专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI643457B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI643457B
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW104111963
申请日：2015-04-14
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：布約克倫德諾拉 , BJORKLUND, NORA , 青木健 , AOKI, TAKESHI , 黒川義元 , KUROKAWA, YOSHIYUKI
IPC分类号： H03K19/177 , G11C11/405 , H01L29/786

2. 发明专利

TWI619117B 驅動半導體裝置的方法及半導體裝置有权
简体标题：驱动半导体设备的方法及半导体设备
公开(公告)号：TWI619117B
公开(公告)日：2018-03-21
申请号：TW103108432
申请日：2014-03-11
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：長塚修平 , NAGATSUKA, SHUHEI , 井上広樹 , INOUE, HIROKI , 石津貴彥 , ISHIZU, TAKAHIKO , 松嵜徳 , MATSUZAKI, TAKANORI , 塩野入豊 , SHIONOIRI, YUTAKA , 加藤清 , KATO, KIYOSHI
IPC分类号： G11C11/405 , H01L29/786
CPC分类号： G11C16/24 , G11C11/5642 , G11C16/0433 , G11C16/08

3. 发明专利

TW201633304A 半導體裝置、記憶體裝置及電子裝置审中-公开
简体标题：半导体设备、内存设备及电子设备
公开(公告)号：TW201633304A
公开(公告)日：2016-09-16
申请号：TW104141155
申请日：2015-12-08
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：加藤清 , KATO, KIYOSHI
IPC分类号： G11C11/405 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L29/786
CPC分类号： G11C5/10 , G11C5/06 , G11C7/14 , G11C11/24 , G11C11/401 , G11C11/4074 , G11C11/4091 , G11C11/4096 , G11C11/419 , G11C29/021 , G11C29/028 , G11C2029/5006
摘要：本發明的一個實施方式提供一種小型的可靠性高記憶容量大的記憶體裝置。本發明的一個實施方式是包括儲存資料的電路及讀出資料的電路的半導體裝置，儲存資料的電路包括電晶體及電容元件，讀出資料的電路具有對儲存資料的電路供應電位的功能以及從儲存資料的電路讀出電位的功能。藉由在不同的層中設置儲存資料的電路及讀出資料的電路，來製造記憶容量大的半導體裝置。
简体摘要：本发明的一个实施方式提供一种小型的可靠性高记忆容量大的内存设备。本发明的一个实施方式是包括存储数据的电路及读出数据的电路的半导体设备，存储数据的电路包括晶体管及电容组件，读出数据的电路具有对存储数据的电路供应电位的功能以及从存储数据的电路读出电位的功能。借由在不同的层中设置存储数据的电路及读出数据的电路，来制造记忆容量大的半导体设备。

4. 发明专利

TWI689922B 半導體裝置、記憶體裝置及電子裝置有权
简体标题：半导体设备、内存设备及电子设备
公开(公告)号：TWI689922B
公开(公告)日：2020-04-01
申请号：TW104141155
申请日：2015-12-08
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：加藤清 , KATO, KIYOSHI
IPC分类号： G11C11/405 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L29/786

5. 发明专利

TW201802810A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201802810A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106107853
申请日：2017-03-09
申请人：半導體能源硏究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：黒川義元 , KUROKAWA, YOSHIYUKI
IPC分类号： G11C11/405 , G11C11/56 , G06F12/00
CPC分类号： G06F7/00 , G06F17/00 , G11C5/063
摘要：本發明的目的之一是抑制能夠執行類比資料的算術處理的半導體裝置的電路規模。在該半導體裝置中，記憶單元生成對應於第一類比資料的第一電流並生成對應於第一類比資料及第二類比資料的第二電流，參考用記憶單元生成對應於參考資料的參考電流，第一電路在第一電流小於參考電流的情況下生成對應於第一電流與參考電流之差分的第三電流並保持第三電流，第二電路在第一電流大於參考電流的情況下生成對應於第一電流與參考電流之差分的第四電流並保持第四電流，並且，第一電路和第二電路中的一個生成對應於第三類比資料的第五電流。
简体摘要：本发明的目的之一是抑制能够运行模拟数据的算术处理的半导体设备的电路规模。在该半导体设备中，记忆单元生成对应于第一模拟数据的第一电流并生成对应于第一模拟数据及第二模拟数据的第二电流，参考用记忆单元生成对应于参考数据的参考电流，第一电路在第一电流小于参考电流的情况下生成对应于第一电流与参考电流之差分的第三电流并保持第三电流，第二电路在第一电流大于参考电流的情况下生成对应于第一电流与参考电流之差分的第四电流并保持第四电流，并且，第一电路和第二电路中的一个生成对应于第三模拟数据的第五电流。

7. 发明专利

TWI523150B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI523150B
公开(公告)日：2016-02-21
申请号：TW100107318
申请日：2011-03-04
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：井上廣樹 , INOUE, HIROKI , 松崎隆德 , MATSUZAKI, TAKANORI , 長塚修平 , NAGATSUKA, SHUHEI
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/108 , G11C11/405 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/11521 , G11C16/0408 , H01L27/11551 , H01L27/1156 , H01L27/1207 , H01L27/1225 , H01L28/60

8. 发明专利

TW201447883A 驅動半導體裝置的方法及半導體裝置审中-公开
简体标题：驱动半导体设备的方法及半导体设备
公开(公告)号：TW201447883A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103108432
申请日：2014-03-11
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：長塚修平 , NAGATSUKA, SHUHEI , 井上広樹 , INOUE, HIROKI , 石津貴彥 , ISHIZU, TAKAHIKO , 松嵜徳 , MATSUZAKI, TAKANORI , 塩野入豊 , SHIONOIRI, YUTAKA , 加藤清 , KATO, KIYOSHI
IPC分类号： G11C11/405 , H01L29/786
CPC分类号： G11C16/24 , G11C11/5642 , G11C16/0433 , G11C16/08
摘要：本發明的目的之一是在將使用了矽的電晶體及使用了氧化物半導體的電晶體設置於記憶單元的結構中，能夠以不根據多值的個數切換用來讀出多值資料的信號的方式從記憶單元讀出多值資料。將位元線的電壓放電，藉由用來讀出資料的電晶體將該位元線充電，將因充電而變化的位元線的電位作為多值資料讀出。藉由採用該結構，可以在讀出儲存於電晶體的閘極的對應於資料的電位時，使切換用來讀出資料的信號的次數為一次。
简体摘要：本发明的目的之一是在将使用了硅的晶体管及使用了氧化物半导体的晶体管设置于记忆单元的结构中，能够以不根据多值的个数切换用来读出多值数据的信号的方式从记忆单元读出多值数据。将比特线的电压放电，借由用来读出数据的晶体管将该比特线充电，将因充电而变化的比特线的电位作为多值数据读出。借由采用该结构，可以在读出存储于晶体管的闸极的对应于数据的电位时，使切换用来读出数据的信号的次数为一次。

9. 发明专利

TWI413983B 具側邊及頂部閘控讀取電晶體之變埠增益胞有权
简体标题：具侧边及顶部闸控读取晶体管之变端口增益胞
公开(公告)号：TWI413983B
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW095129349
申请日：2006-08-10
申请人：萬國商業機器公司 , INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：傑克A. 曼得門 , MANDELMAN, JACK A. , 肯格歐鄭 , CHENG, KANGGUO , 瑞瑪奇恩戴瓦卡尼 , DIVAKARUNI, RAMACHANDRA , 卡爾J. 瑞登斯 , RADENS, CARL J. , 王耿 , WANG, GENG
IPC分类号： G11C11/405
CPC分类号： H01L27/108 , H01L27/10829 , H01L27/10867 , H01L27/1203

10. 实用新型

TWM575178U 移位暫存器以及閘極驅動電路有权
简体标题：移位寄存器以及闸极驱动电路
公开(公告)号：TWM575178U
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：TW107215693
申请日：2018-11-19
申请人：凌巨科技股份有限公司 , GIANTPLUS TECHNOLOGY CO., LTD , 國立交通大學 , NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY
发明人：周凱茹 , CHOU, KAI-JU , 陳辰恩 , CHEN, CHENG-EN , 鍾佩芳 , CHUNG, PEI-FANG , 陳致豪 , CHEN, JHIH-HAO , 劉柏村 , LIU, PO-TSUN , 鄭光廷 , ZHENG, GUANG-TING , 盧奕翔 , LU, I-HSIANG
IPC分类号： G11C8/04 , G11C11/405 , G11C19/38 , G11C27/04 , G09G3/26 , G09G3/20 , G09G3/3291 , G09G3/36 , G02F1/133 , G02F1/167 , G02F1/29

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式