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1. 发明专利

TWI687051B 可程式邏輯裝置及半導體裝置有权
简体标题：可进程逻辑设备及半导体设备
公开(公告)号：TWI687051B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW103104412
申请日：2014-02-11
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：上妻宗広 , KOZUMA, MUNEHIRO , 黒川義元 , KUROKAWA, YOSHIYUKI , 池田之 , IKEDA, TAKAYUKI , 青木健 , AOKI, TAKESHI
IPC分类号： H03K19/177

2. 发明专利

TWI666937B 攝像裝置及電子裝置有权
简体标题：摄像设备及电子设备
公开(公告)号：TWI666937B
公开(公告)日：2019-07-21
申请号：TW104127765
申请日：2015-08-25
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：井上廣樹 , INOUE, HIROKI , 黒川義元 , KUROKAWA, YOSHIYUKI , 池田隆之 , IKEDA, TAKAYUKI , 岡本佑樹 , OKAMOTO, YUKI
IPC分类号： H04N5/335 , H01L27/146 , H04N5/225

3. 发明专利

TW202022681A 半導體裝置及電子裝置审中-公开
简体标题：半导体设备及电子设备
公开(公告)号：TW202022681A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW108136531
申请日：2019-10-09
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：木村肇 , KIMURA, HAJIME , 黒川義元 , KUROKAWA, YOSHIYUKI
IPC分类号： G06G7/60 , G06N3/063 , G11C7/18 , H01L45/00
摘要：提供一種能夠以低功耗進行積和運算的半導體裝置。本發明的一個實施方式是一種包括第一、第二電路的半導體裝置，第一電路包括第一保持節點，第二電路包括第二保持節點。第一電路與第一、第二輸入佈線及第一、第二佈線電連接，第二電路與第一、第二輸入佈線及第一、第二佈線電連接，第一、第二電路的每一個具有將對應於第一資料的第一、第二電位保持在第一、第二保持節點的功能。藉由對第一、第二輸入佈線輸入對應於第二資料的電位，第一電路向第一佈線和第二佈線的一方輸出電流，第二電路向第一佈線和第二佈線的另一方輸出電流。第一、第二電路向第一佈線或第二佈線輸出的電流根據第一、第二保持節點所保持的第一、第二電位決定。
简体摘要：提供一种能够以低功耗进行积和运算的半导体设备。本发明的一个实施方式是一种包括第一、第二电路的半导体设备，第一电路包括第一保持节点，第二电路包括第二保持节点。第一电路与第一、第二输入布线及第一、第二布线电连接，第二电路与第一、第二输入布线及第一、第二布线电连接，第一、第二电路的每一个具有将对应于第一数据的第一、第二电位保持在第一、第二保持节点的功能。借由对第一、第二输入布线输入对应于第二数据的电位，第一电路向第一布线和第二布线的一方输出电流，第二电路向第一布线和第二布线的另一方输出电流。第一、第二电路向第一布线或第二布线输出的电流根据第一、第二保持节点所保持的第一、第二电位决定。

4. 发明专利

TWI688211B 半導體裝置、電子組件及電子裝置有权
简体标题：半导体设备、电子组件及电子设备
公开(公告)号：TWI688211B
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：TW108110120
申请日：2016-01-20
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：上妻宗広 , KOZUMA, MUNEHIRO , 池田之 , IKEDA, TAKAYUKI , 黒川義元 , KUROKAWA, YOSHIYUKI , 青木健 , AOKI, TAKESHI , 岡本佑樹 , OKAMOTO, YUKI
IPC分类号： H03K19/177 , H03K19/0948 , H03K19/00

5. 发明专利

TWI670942B 半導體裝置及半導體裝置的驅動方法有权
简体标题：半导体设备及半导体设备的驱动方法
公开(公告)号：TWI670942B
公开(公告)日：2019-09-01
申请号：TW104107052
申请日：2015-03-05
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：岡本佑樹 , OKAMOTO, YUKI , 黒川義元 , KUROKAWA, YOSHIYUKI
IPC分类号： H03L7/099 , H01L27/088

6. 发明专利

TWI665919B 半導體裝置、影像裝置及電子裝置有权
简体标题：半导体设备、影像设备及电子设备
公开(公告)号：TWI665919B
公开(公告)日：2019-07-11
申请号：TW104122551
申请日：2015-07-13
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：岡本佑樹 , OKAMOTO, YUKI , 上妻宗広 , KOZUMA, MUNEHIRO , 黒川義元 , KUROKAWA, YOSHIYUKI
IPC分类号： H04N5/335 , H01L27/148

7. 发明专利

TWI650742B 類比運算電路、半導體裝置及電子機器有权
简体标题：模拟运算电路、半导体设备及电子机器
公开(公告)号：TWI650742B
公开(公告)日：2019-02-11
申请号：TW104107239
申请日：2015-03-06
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：黒川義元 , KUROKAWA, YOSHIYUKI , 池田之 , IKEDA, TAKAYUKI , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC分类号： G09G3/20 , G09G3/36

8. 发明专利

TW201834219A 半導體裝置及製造半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及制造半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201834219A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106139246
申请日：2017-11-14
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：竹村保彦 , TAKEMURA, YASUHIKO , 黒川義元 , KUROKAWA, YOSHIYUKI
IPC分类号： H01L27/1156 , H01L27/108
摘要：提供一種每單位面積的記憶容量大的半導體裝置。所公開的半導體裝置包括層疊在基板上的多個增益單元型記憶單元，各記憶單元的寫入電晶體的通道長度方向的軸彼此重疊並大致垂直於基板的頂面。該半導體裝置能夠儲存多值資料。讀出電晶體的通道為（填埋於貫通讀出電晶體的閘極的孔中的）柱狀矽，寫入電晶體的通道為（填埋於貫通寫入電晶體的閘極（寫入字線）及讀出電晶體的閘極的孔中的）柱狀金屬氧化物，柱狀矽隔著絕緣膜面對讀出電晶體的閘極，柱狀金屬氧化物隔著藉由使寫入字線氧化而得到的絕緣膜面對寫入字線並電連接到讀出電晶體的閘極。
简体摘要：提供一种每单位面积的记忆容量大的半导体设备。所公开的半导体设备包括层叠在基板上的多个增益单元型记忆单元，各记忆单元的写入晶体管的信道长度方向的轴彼此重叠并大致垂直于基板的顶面。该半导体设备能够存储多值数据。读出晶体管的信道为（填埋于贯通读出晶体管的闸极的孔中的）柱状硅，写入晶体管的信道为（填埋于贯通写入晶体管的闸极（写入字线）及读出晶体管的闸极的孔中的）柱状金属氧化物，柱状硅隔着绝缘膜面对读出晶体管的闸极，柱状金属氧化物隔着借由使写入字线氧化而得到的绝缘膜面对写入字线并电连接到读出晶体管的闸极。

9. 发明专利

TW202015229A 攝像裝置审中-公开
简体标题：摄像设备
公开(公告)号：TW202015229A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：TW108128053
申请日：2015-04-16
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 坂倉真之 , SAKAKURA, MASAYUKI , 黒川義元 , KUROKAWA, YOSHIYUKI
IPC分类号： H01L27/146
摘要：本發明的目的是提供一種拍攝品質高且可以以低成本製造的攝像裝置。該攝像裝置包括：包括第一電晶體及第二電晶體的第一電路；以及包括第二電晶體及光電二極體的第二電路，其中第一電晶體設置在矽基板的第一面，第二電晶體隔著第一絕緣層設置在矽基板的第一面上，矽基板包括第二絕緣層，第二絕緣層設置為圍繞光電二極體的側面，第一電晶體為在矽基板中包含活性區域的p通道型電晶體，第二電晶體為將氧化物半導體層用作活性層的n通道型電晶體，光電二極體的受光面設置在矽基板的與第一面對置的面。
简体摘要：本发明的目的是提供一种拍摄品质高且可以以低成本制造的摄像设备。该摄像设备包括：包括第一晶体管及第二晶体管的第一电路；以及包括第二晶体管及光电二极管的第二电路，其中第一晶体管设置在硅基板的第一面，第二晶体管隔着第一绝缘层设置在硅基板的第一面上，硅基板包括第二绝缘层，第二绝缘层设置为围绕光电二极管的侧面，第一晶体管为在硅基板中包含活性区域的p信道型晶体管，第二晶体管为将氧化物半导体层用作活性层的n信道型晶体管，光电二极管的受光面设置在硅基板的与第一面对置的面。

10. 发明专利

TWI676358B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI676358B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：TW104135839
申请日：2015-10-30
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：岡本佑樹 , OKAMOTO, YUKI , 黒川義元 , KUROKAWA, YOSHIYUKI
IPC分类号： H03L7/08

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