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1. 发明专利

TW202008075A 光罩及其形成方法审中-公开
公开(公告)号：TW202008075A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW108115413
申请日：2019-05-03
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
发明人：黃崇洋 , HUANG, CHUNG-YANG , 張浩銘 , CHANG, HAO-MING , 李明哲 , LI, MING CHE , 許有心 , HSU, YU-HSIN , 賴伯政 , LAI, PO-CHENG , 李冠賢 , LEE, KUAN-SHIEN , 林維信 , LIN, WEI-HSIN , 林詣軒 , LIN, YI-HSUAN , 施旺成 , SHIH, WANG CHENG , 林政旻 , LIN, CHENG-MING
IPC分类号： G03F1/24 , G03F1/26 , G03F1/32 , G03F1/36 , G03F1/42 , G03F1/44 , G03F1/48 , G03F1/54 , G03F1/60 , G03F1/72 , G03F1/80 , G03F1/82 , G03F1/86 , C09K13/00 , C23F1/02 , C23F1/38 , H01L21/027
摘要：根據本發明的一些實施例，一種用於形成一光罩之方法包含：接納一基板，該基板具有形成於其上之一第一層，其中在該基板上方放置暴露該第一層之部分之一經圖案化第二層；透過該經圖案化第二層而移除該第一層之該等經暴露部分以在該第一層中形成複數個開口；移除該經圖案化第二層；及利用一蝕刻劑執行一濕式蝕刻以移除該第一層之部分以使該複數個開口變寬。該蝕刻劑與該第一層之一頂部表面及該複數個開口之側壁接觸。該複數個開口中之每一者在該濕式蝕刻之該執行之前具有一第一寬度且在該濕式蝕刻之該執行之後具有一第二寬度。該第二寬度大於該第一寬度。
简体摘要：根据本发明的一些实施例，一种用于形成一光罩之方法包含：接纳一基板，该基板具有形成于其上之一第一层，其中在该基板上方放置暴露该第一层之部分之一经图案化第二层；透过该经图案化第二层而移除该第一层之该等经暴露部分以在该第一层中形成复数个开口；移除该经图案化第二层；及利用一蚀刻剂运行一湿式蚀刻以移除该第一层之部分以使该复数个开口变宽。该蚀刻剂与该第一层之一顶部表面及该复数个开口之侧壁接触。该复数个开口中之每一者在该湿式蚀刻之该运行之前具有一第一宽度且在该湿式蚀刻之该运行之后具有一第二宽度。该第二宽度大于该第一宽度。

2. 发明专利

TWI674338B 用於銀薄層的蝕刻劑組合物，使用其形成金屬圖案的方法和使用其製作陣列基板的方法有权
简体标题：用于银薄层的蚀刻剂组合物，使用其形成金属图案的方法和使用其制作数组基板的方法
公开(公告)号：TWI674338B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：TW105102696
申请日：2016-01-28
申请人：南韓商東友精細化工有限公司 , DONGWOO FINE-CHEM CO., LTD.
发明人：權玟廷 , KWON, MIN-JEONG , 安基燻 , AN, KI-HUN , 李昔準 , LEE, SUCK-JUN
IPC分类号： C23F1/30 , C09K13/06 , C23F1/02 , H05K3/06 , H01L27/12 , H01L27/32

3. 发明专利

TWI639729B 至少含有銦及鎵之氧化物的蝕刻液及蝕刻方法有权
简体标题：至少含有铟及镓之氧化物的蚀刻液及蚀刻方法
公开(公告)号：TWI639729B
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW102144062
申请日：2013-12-02
申请人：日商三菱瓦斯化學股份有限公司 , MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
发明人：竹內秀範 , TAKEUCHI, HIDENORI , 夕部邦夫 , YUBE, KUNIO , 岡部哲 , OKABE, SATOSHI , 臼井麻里 , USUI, MARI
IPC分类号： C23F1/30 , C23F1/44 , C01G15/00 , C23F1/02

4. 发明专利

TWI629375B 製備高透光率軟性導電基材的方法及該導電基材有权
简体标题：制备高透光率软性导电基材的方法及该导电基材
公开(公告)号：TWI629375B
公开(公告)日：2018-07-11
申请号：TW106117261
申请日：2017-05-24
申请人：國立中興大學 , NATIONAL CHUNG HSING UNIVERSITY
发明人：竇維平 , DOW, WEI PING , 陳柏廷 , CHEN, PO TING , 林良杰 , LIN, LIANG JIE , 張弘明 , CHANG, HONG MING , 林庭筠 , LIN, TING YUN , 林芳瑜 , LIN, FANG YU
IPC分类号： C23C18/20 , C23C18/31 , C23F1/02 , H01B5/14 , H01B13/00

5. 发明专利

TWI625425B 蝕刻液、補給液以及銅配線的形成方法有权
简体标题：蚀刻液、补给液以及铜配线的形成方法
公开(公告)号：TWI625425B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW103141630
申请日：2014-12-01
申请人： MEC股份有限公司 , MEC COMPANY LTD.
发明人：小寺浩史 , KODERA, HIROFUMI , 高垣愛 , TAKAGAKI, AI
IPC分类号： C23F1/18 , C23F1/02 , H05K3/06

6. 发明专利

TWI613328B 蝕刻液及蝕刻液套組、使用其的蝕刻方法以及半導體基板製品的製造方法有权
简体标题：蚀刻液及蚀刻液套组、使用其的蚀刻方法以及半导体基板制品的制造方法
公开(公告)号：TWI613328B
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW103115796
申请日：2014-05-02
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：杉島泰雄 , SUGISHIMA, YASUO , 高橋智美 , TAKAHASHI, SATOMI , 小山朗子 , KOYAMA, AKIKO , 上村哲也 , KAMIMURA, TETSUYA
IPC分类号： C23F1/02 , C23F1/44 , C23F1/38 , C23F1/40 , C09K13/00 , C23F1/32 , H01L21/321 , H01L21/283
CPC分类号： C23F1/32 , C23F1/38 , C23F1/40 , C23F1/44 , H01L21/02068 , H01L21/28518 , H01L21/30604 , H01L21/32134 , H01L29/665 , H01L29/7833

7. 发明专利

TWI608128B 用於電子裝置中金屬化作用之蝕刻化學有权
简体标题：用于电子设备中金属化作用之蚀刻化学
公开(公告)号：TWI608128B
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：TW105130663
申请日：2015-03-03
申请人：史達克公司 , H. C. STARCK INC.
发明人：后根派崔克 , HOGAN, PATRICK , 墨爾強恩 , MOORE, JOHN , 布瑞爾亞力士 , BREWER, ALEX , 沛提特亞瑞德 , PETTIT, JARED
IPC分类号： C23F1/44 , C23F1/02 , C23F1/16 , H01L21/283 , H01L21/3213 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1288 , C23F1/02 , C23F1/16 , C23F1/18 , C23F1/26 , C23F1/30 , G02F1/13439 , G02F1/1368 , G02F2202/103 , H01L21/283 , H01L21/32134 , H01L21/32139 , H01L27/1218 , H01L27/1222 , H01L27/1296 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/4958 , H01L29/66742 , H01L29/66765 , H01L29/78603 , H01L29/78669

8. 发明专利

TW201728782A 製造圖案化導體的方法审中-公开
简体标题：制造图案化导体的方法
公开(公告)号：TW201728782A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105136162
申请日：2016-11-07
申请人：陶氏全球科技責任有限公司 , DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC
发明人：迪基克塔馬拉 , DIKIC, TAMARA , 德格拉夫麥克A , DE GRAAF, MICHAEL A. , 布勞特克里斯多夫 , BRAULT, CHRISTOPHE , 普洛特史帝芬 , PROT, STEFAN , 托弗斯凡科特森 C A , TORFS-VAN COTTHEM, C A
IPC分类号： C23F1/02 , H05K1/02 , H05K1/09 , H05K3/06 , H05K3/22
CPC分类号： H05K3/06 , C03C2218/33 , C23F1/02 , C23F4/00 , H01G9/055 , H05K1/0274 , H05K1/09 , H05K3/064 , H05K3/22 , H05K2201/0275
摘要：提供一種製造圖案化導體之方法，所述方法包括：提供基板，所述基板包括：上面沈積有導電層之基材；提供導電層蝕刻劑；提供紡紗材料，所述紡紗材料包括：載體；以及光敏掩模材料；提供顯影劑；形成複數個掩模纖維，且將其沈積至所述導電層上，形成複數個沈積之纖維；使所述複數個沈積之纖維圖案化，以提供經處理之纖維部分及未經處理之纖維部分；顯影所述複數個沈積之纖維，其中移除所述經處理之纖維部分或所述未經處理之纖維部分，留下圖案化的纖維陣列；使所述導電層接觸所述導電層蝕刻劑，其中移除未經所述圖案化的纖維陣列覆蓋的所述導電層，在所述基板上留下圖案化的導電網絡。
简体摘要：提供一种制造图案化导体之方法，所述方法包括：提供基板，所述基板包括：上面沉积有导电层之基材；提供导电层蚀刻剂；提供纺纱材料，所述纺纱材料包括：载体；以及光敏掩模材料；提供显影剂；形成复数个掩模纤维，且将其沉积至所述导电层上，形成复数个沉积之纤维；使所述复数个沉积之纤维图案化，以提供经处理之纤维部分及未经处理之纤维部分；显影所述复数个沉积之纤维，其中移除所述经处理之纤维部分或所述未经处理之纤维部分，留下图案化的纤维数组；使所述导电层接触所述导电层蚀刻剂，其中移除未经所述图案化的纤维数组覆盖的所述导电层，在所述基板上留下图案化的导电网络。

9. 发明专利

TW201720963A 蝕刻液、補給液以及銅配線的形成方法审中-公开
简体标题：蚀刻液、补给液以及铜配线的形成方法
公开(公告)号：TW201720963A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW106105283
申请日：2016-06-17
申请人： MEC股份有限公司 , MEC COMPANY LTD.
发明人：小寺浩史 , KODERA, HIROFUMI , 片山育代 , KATAYAMA, IKUYO , 菱川翔太 , HISHIKAWA, SHOTA
IPC分类号： C23F1/18 , C23F1/02 , H05K3/06
CPC分类号： C23F1/18 , C09K13/06 , H05K3/067 , H05K2203/0789
摘要：本發明提供一種蝕刻液及其補給液、以及銅配線的形成方法，可於不降低銅配線的直線性(銅配線頂部的配線寬度(W2))之情況下抑制側蝕，並且可抑制銅配線底部的配線寬度(W1)之不均。本發明之銅的蝕刻液包含酸、以及選自由脂肪族非環式化合物、脂肪族雜環式化合物、及雜芳香族化合物所組成之群組中的1種以上化合物；前述脂肪族非環式化合物為碳數2~10之飽和脂肪族非環式化合物(A)，僅具有2個以上的氮作為雜原子；前述脂肪族雜環式化合物為包含5員環至7員環之化合物(B)，前述5員環至7員環具有1個以上的氮作為構成環之雜原子；前述雜芳香族化合物為包含6員芳香雜環之化合物(C)，前述6員芳香雜環具有1個以上的氮作為構成環之雜原子。
简体摘要：本发明提供一种蚀刻液及其补给液、以及铜配线的形成方法，可于不降低铜配线的直线性(铜配线顶部的配线宽度(W2))之情况下抑制侧蚀，并且可抑制铜配线底部的配线宽度(W1)之不均。本发明之铜的蚀刻液包含酸、以及选自由脂肪族非环式化合物、脂肪族杂环式化合物、及杂芳香族化合物所组成之群组中的1种以上化合物；前述脂肪族非环式化合物为碳数2~10之饱和脂肪族非环式化合物(A)，仅具有2个以上的氮作为杂原子；前述脂肪族杂环式化合物为包含5员环至7员环之化合物(B)，前述5员环至7员环具有1个以上的氮作为构成环之杂原子；前述杂芳香族化合物为包含6员芳香杂环之化合物(C)，前述6员芳香杂环具有1个以上的氮作为构成环之杂原子。

10. 发明专利

TWI580764B 蝕刻劑溶液及其使用方法有权
简体标题：蚀刻剂溶液及其使用方法
公开(公告)号：TWI580764B
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW104143649
申请日：2015-12-24
申请人：氣體產品及化學品股份公司 , AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.
发明人：沛瑞斯郡艾韋拉德 , PARRIS, GENE EVERAD , 加斯特爾威廉傑克 , CASTEEL, WILLIAM JACK, JR. , 陳天牛 , CHEN, TIANNIU
IPC分类号： C09K13/02 , C23F1/40 , C23F1/02 , H01L21/308
CPC分类号： C09K13/02 , H01L21/30608 , H01L21/76898

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