专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW202008075A 光罩及其形成方法审中-公开
公开(公告)号：TW202008075A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW108115413
申请日：2019-05-03
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
发明人：黃崇洋 , HUANG, CHUNG-YANG , 張浩銘 , CHANG, HAO-MING , 李明哲 , LI, MING CHE , 許有心 , HSU, YU-HSIN , 賴伯政 , LAI, PO-CHENG , 李冠賢 , LEE, KUAN-SHIEN , 林維信 , LIN, WEI-HSIN , 林詣軒 , LIN, YI-HSUAN , 施旺成 , SHIH, WANG CHENG , 林政旻 , LIN, CHENG-MING
IPC分类号： G03F1/24 , G03F1/26 , G03F1/32 , G03F1/36 , G03F1/42 , G03F1/44 , G03F1/48 , G03F1/54 , G03F1/60 , G03F1/72 , G03F1/80 , G03F1/82 , G03F1/86 , C09K13/00 , C23F1/02 , C23F1/38 , H01L21/027
摘要：根據本發明的一些實施例，一種用於形成一光罩之方法包含：接納一基板，該基板具有形成於其上之一第一層，其中在該基板上方放置暴露該第一層之部分之一經圖案化第二層；透過該經圖案化第二層而移除該第一層之該等經暴露部分以在該第一層中形成複數個開口；移除該經圖案化第二層；及利用一蝕刻劑執行一濕式蝕刻以移除該第一層之部分以使該複數個開口變寬。該蝕刻劑與該第一層之一頂部表面及該複數個開口之側壁接觸。該複數個開口中之每一者在該濕式蝕刻之該執行之前具有一第一寬度且在該濕式蝕刻之該執行之後具有一第二寬度。該第二寬度大於該第一寬度。
简体摘要：根据本发明的一些实施例，一种用于形成一光罩之方法包含：接纳一基板，该基板具有形成于其上之一第一层，其中在该基板上方放置暴露该第一层之部分之一经图案化第二层；透过该经图案化第二层而移除该第一层之该等经暴露部分以在该第一层中形成复数个开口；移除该经图案化第二层；及利用一蚀刻剂运行一湿式蚀刻以移除该第一层之部分以使该复数个开口变宽。该蚀刻剂与该第一层之一顶部表面及该复数个开口之侧壁接触。该复数个开口中之每一者在该湿式蚀刻之该运行之前具有一第一宽度且在该湿式蚀刻之该运行之后具有一第二宽度。该第二宽度大于该第一宽度。

2. 发明专利

TWI229439B 半導體製造方法有权
简体标题：半导体制造方法
公开(公告)号：TWI229439B
公开(公告)日：2005-03-11
申请号：TW090122836
申请日：2001-09-14
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：鄭道 CHENG, TAO , 黃文信 HUANG, WEN HSIN , 尤君平 JIUN-PYNG YOU , 吳林峻 WU, LIN JUNE , 張仕宗 CHANG, SHIH TZUNG , 李明哲 , 陳俊彰 CHEN, CHUN CHANG , 林俞谷 LIN, YU KU , 管彤華 , 王英郎 WANG, TING CHUN
IPC分类号： H01L
摘要：一種半導體製造方法，包括以下步驟。提供一基底，該基底上具有一金屬層及一覆蓋該金屬層之絕緣層。在該絕緣層上形成一護蓋氧化層。形成一穿越該護蓋氧化層及該絕緣層之介層孔而暴露該金屬層，致使該金屬層上生成一金屬氧化層。經由濺擊而移除該金屬氧化層。本發明藉由在進行濺擊清潔前先形成一護蓋氧化層，使爐箱內壁之附著物均為氧化物，以利於掌控其可能剝落時間而定時清理爐箱，避免意外掉落於晶片上形成缺陷。
简体摘要：一种半导体制造方法，包括以下步骤。提供一基底，该基底上具有一金属层及一覆盖该金属层之绝缘层。在该绝缘层上形成一护盖氧化层。形成一穿越该护盖氧化层及该绝缘层之介层孔而暴露该金属层，致使该金属层上生成一金属氧化层。经由溅击而移除该金属氧化层。本发明借由在进行溅击清洁前先形成一护盖氧化层，使炉箱内壁之附着物均为氧化物，以利于掌控其可能剥落时间而定时清理炉箱，避免意外掉落于芯片上形成缺陷。

3. 发明专利

TW533508B 防止半導體之金屬間介電層破裂的結構與方法有权
简体标题：防止半导体之金属间介电层破裂的结构与方法
公开(公告)号：TW533508B
公开(公告)日：2003-05-21
申请号：TW088107325
申请日：1999-05-05
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：王英郎 , 鄧覺為 , 李明哲 , 管彤華
IPC分类号： H01L
摘要：本發明揭露了一種防止多重金屬間介電層發生裂縫的結構與方法。此一結構係透過選擇性的各個金屬間介電層之間，嵌入具有殘留壓縮應力的氧化層，並藉由此一壓縮應力氧化層所提供的束縛力，而防止半導體結構中的金屬間介電層中產生裂縫。而此一壓縮應力層，則可以透過對金屬間介電層表面進行研磨，並以電漿化學氣相沈積的製程，於其表面沈積一層氧化層而得到。至於此一氧化層中的應力，則可藉由調整反應中的射頻能量而加以控制。
简体摘要：本发明揭露了一种防止多重金属间介电层发生裂缝的结构与方法。此一结构系透过选择性的各个金属间介电层之间，嵌入具有残留压缩应力的氧化层，并借由此一压缩应力氧化层所提供的束缚力，而防止半导体结构中的金属间介电层中产生裂缝。而此一压缩应力层，则可以透过对金属间介电层表面进行研磨，并以等离子化学气相沉积的制程，于其表面沉积一层氧化层而得到。至于此一氧化层中的应力，则可借由调整反应中的射频能量而加以控制。

4. 发明专利

TW455525B 改善鎢金屬層化學/機械式研磨之方法有权
简体标题：改善钨金属层化学/机械式研磨之方法
公开(公告)号：TW455525B
公开(公告)日：2001-09-21
申请号：TW089119884
申请日：2000-09-26
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：陳科維 , 王廷君 , 李明哲 , 王英郎
IPC分类号： B24B , H01L
摘要：一種改善鎢金屬化學/機械式研磨製程產出量及增加研磨墊使用壽命之方法，本發明係將晶圓載入以第一道硬式研磨墊，以移除粗糙面，為使產出量提高，在第一道研磨時，注入比其後一道研磨更多的研磨漿，且荷重加大。隨後晶圓再由機器手臂傳送至第二研磨墊上，第二研磨墊係採用軟式研磨，用以移除其餘之鎢層至所設定之移除量為止，最後，再傳送至第三研磨墊上進行以磨氧化層的研磨漿研磨氧化層，以使鎢插塞及/或導線高於周圍之氧化層。
简体摘要：一种改善钨金属化学/机械式研磨制程产出量及增加研磨垫使用寿命之方法，本发明系将晶圆加载以第一道硬式研磨垫，以移除粗糙面，为使产出量提高，在第一道研磨时，注入比其后一道研磨更多的研磨浆，且荷重加大。随后晶圆再由机器手臂发送至第二研磨垫上，第二研磨垫系采用软式研磨，用以移除其余之钨层至所设置之移除量为止，最后，再发送至第三研磨垫上进行以磨氧化层的研磨浆研磨氧化层，以使钨插塞及/或导线高于周围之氧化层。

5. 发明专利

TW410433B 鎢化學氣相沉積製程中斷後之晶圓再生方法有权
简体标题：钨化学气相沉积制程中断后之晶圆再生方法
公开(公告)号：TW410433B
公开(公告)日：2000-11-01
申请号：TW088110671
申请日：1999-06-24
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：吳鈞 , 李明哲 , 林俞谷 , 王英郎
IPC分类号： H01L
摘要：本發明提供一種鎢插塞製作方法，以防止鎢插塞因回蝕產生損失。本發明所提供鎢化學氣相沉積製程中斷後之晶圓再生方法包含下列步驟:首先提供一晶圓,該晶圓係於製作鎢插塞之鎢化學氣相沉積製程(WCVD)中因晶圓背部壓力警報器(backside pressure alarm,BPA)感應而中斷，此時該晶圓表面已覆蓋一層WCVD之矽晶種層(Silicon seed layer)，因此重新定位該晶圓後執行一濺擊蝕刻(sputtering etch)製程，將該矽晶種層及少許TiN黏著層(glue layer)蝕刻掉，隨後重新沉積黏著層與新的矽晶種層，以及進行製作鎢插塞之鎢化學氣相沉積製程，再回蝕該鎢層以形成鎢插塞於連結洞內。
简体摘要：本发明提供一种钨插塞制作方法，以防止钨插塞因回蚀产生损失。本发明所提供钨化学气相沉积制程中断后之晶圆再生方法包含下列步骤:首先提供一晶圆,该晶圆系于制作钨插塞之钨化学气相沉积制程(WCVD)中因晶圆背部压力警报器(backside pressure alarm,BPA)感应而中断，此时该晶圆表面已覆盖一层WCVD之硅晶种层(Silicon seed layer)，因此重新定位该晶圆后运行一溅击蚀刻(sputtering etch)制程，将该硅晶种层及少许TiN黏着层(glue layer)蚀刻掉，随后重新沉积黏着层与新的硅晶种层，以及进行制作钨插塞之钨化学气相沉积制程，再回蚀该钨层以形成钨插塞于链接洞内。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式