专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI694173B 蝕刻液、補給液以及銅配線的形成方法有权
简体标题：蚀刻液、补给液以及铜配线的形成方法
公开(公告)号：TWI694173B
公开(公告)日：2020-05-21
申请号：TW106105283
申请日：2016-06-17
申请人：日商MEC股份有限公司 , MEC COMPANY LTD.
发明人：小寺浩史 , KODERA, HIROFUMI , 片山育代 , KATAYAMA, IKUYO , 菱川翔太 , HISHIKAWA, SHOTA
IPC分类号： C23F1/18 , C23F1/02 , H05K3/06

2. 发明专利

TWI694172B 蝕刻液、補給液以及銅配線的形成方法有权
简体标题：蚀刻液、补给液以及铜配线的形成方法
公开(公告)号：TWI694172B
公开(公告)日：2020-05-21
申请号：TW106105282
申请日：2016-06-17
申请人：日商MEC股份有限公司 , MEC COMPANY LTD.
发明人：小寺浩史 , KODERA, HIROFUMI , 片山育代 , KATAYAMA, IKUYO , 菱川翔太 , HISHIKAWA, SHOTA
IPC分类号： C23F1/18

3. 发明专利

TWI679304B 覆膜形成用組合物、表面處理金屬構件的製造方法及金屬-樹脂複合體的製造方法有权
简体标题：覆膜形成用组合物、表面处理金属构件的制造方法及金属-树脂复合体的制造方法
公开(公告)号：TWI679304B
公开(公告)日：2019-12-11
申请号：TW107100547
申请日：2018-01-05
申请人：日商MEC股份有限公司 , MEC COMPANY LTD.
发明人：秋山大作 , AKIYAMA, DAISAKU , 東松逸朗 , TOMATSU, ITSURO , 網谷康孝 , AMITANI, YASUTAKA , 上甲圭佑 , JOKO, KEISUKE , 里見德哉 , SATOMI, TOKUYA
IPC分类号： C23C22/05 , B32B7/04 , B32B15/08 , H05K3/28 , H05K3/38

4. 发明专利

TW201617481A 蝕刻方法审中-公开
简体标题：蚀刻方法
公开(公告)号：TW201617481A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：TW105103496
申请日：2011-12-07
申请人： MEC股份有限公司 , MEC COMPANY LTD.
发明人：石田輝和 , ISHIDA, TERUKAZU , 出口友香里 , DEGUCHI, YUKARI , 佐藤未菜 , SATO, MINA
IPC分类号： C23F1/02 , C23F1/18 , C23F1/34 , C09K13/00 , H01L21/3213 , H05K3/06
摘要：本發明提供一種用於蝕刻同時存在有金屬氧化物層和銅層的被處理物，而可以選擇性地蝕刻前述銅層的蝕刻劑及使用前述蝕刻劑的蝕刻方法。一種蝕刻劑，其係用於蝕刻同時存在有金屬氧化物層和銅層的被處理物，而選擇性地蝕刻前述銅層之蝕刻液，其中前述金屬氧化物層為包含選自Zn、Sn、Al、In以及Ga中的1種以上金屬的氧化物，前述蝕刻劑的特徵在於：其係由包括以銅離子計為0.1~3.0重量%的銅(II)離子源；0.1~30.0重量%的碳數為6以下的有機酸；以及0.1~30.0重量%的含氮化合物的水溶液所構成，其中前含氮化合物為選自由在環內具有2個以上氮原子的雜環化合物以及碳數為8以下的含胺基化合物所構成的群中的1種以上，其pH為5.0~10.5。
简体摘要：本发明提供一种用于蚀刻同时存在有金属氧化物层和铜层的被处理物，而可以选择性地蚀刻前述铜层的蚀刻剂及使用前述蚀刻剂的蚀刻方法。一种蚀刻剂，其系用于蚀刻同时存在有金属氧化物层和铜层的被处理物，而选择性地蚀刻前述铜层之蚀刻液，其中前述金属氧化物层为包含选自Zn、Sn、Al、In以及Ga中的1种以上金属的氧化物，前述蚀刻剂的特征在于：其系由包括以铜离子计为0.1~3.0重量%的铜(II)离子源；0.1~30.0重量%的碳数为6以下的有机酸；以及0.1~30.0重量%的含氮化合物的水溶液所构成，其中前含氮化合物为选自由在环内具有2个以上氮原子的杂环化合物以及碳数为8以下的含胺基化合物所构成的群中的1种以上，其pH为5.0~10.5。

5. 发明专利

TW201606136A 蝕刻劑及補給液审中-公开
简体标题：蚀刻剂及补给液
公开(公告)号：TW201606136A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104119551
申请日：2015-06-17
申请人： MEC股份有限公司 , MEC COMPANY LTD.
发明人：千石洋一 , SENGOKU, YOICHI , 來條未菜 , RAIJO, MINA , 秋山大作 , AKIYAMA, DAISAKU
IPC分类号： C23F1/28
CPC分类号： C23F1/28
摘要：本發明的鐵鋼材的蝕刻劑係包含二價鐵離子、三價鐵離子、及含有乙炔基的水溶性化合物之酸性水溶液。以蝕刻劑中二價鐵離子的濃度為A重量%、三價鐵離子的濃度為B重量%時，A/B的值較佳為0.1~2.5。本發明的補給液係連續或重複使用前述蝕刻劑時添加於前述蝕刻劑，且為包含含有乙炔基的水溶性化合物之水溶液。
简体摘要：本发明的铁钢材的蚀刻剂系包含二价铁离子、三价铁离子、及含有乙炔基的水溶性化合物之酸性水溶液。以蚀刻剂中二价铁离子的浓度为A重量%、三价铁离子的浓度为B重量%时，A/B的值较佳为0.1~2.5。本发明的补给液系连续或重复使用前述蚀刻剂时添加于前述蚀刻剂，且为包含含有乙炔基的水溶性化合物之水溶液。

6. 发明专利

TWI494474B 鋁之表面粗化劑及使用它之表面粗化方法有权
简体标题：铝之表面粗化剂及使用它之表面粗化方法
公开(公告)号：TWI494474B
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW099143217
申请日：2010-12-10
申请人： MEC股份有限公司 , MEC COMPANY LTD.
发明人：大串亮 , OGUSHI, RYO , 王谷稔 , OTANI, MINORU
IPC分类号： C23F1/36 , C09J5/02
CPC分类号： C23F1/36 , C09K13/00 , C09K13/02 , C23F1/00 , C23F1/14 , C23F1/32

7. 发明专利

TW201529896A 蝕刻液、補給液以及銅配線的形成方法审中-公开
简体标题：蚀刻液、补给液以及铜配线的形成方法
公开(公告)号：TW201529896A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW103141630
申请日：2014-12-01
申请人： MEC股份有限公司 , MEC COMPANY LTD.
发明人：小寺浩史 , KODERA, HIROFUMI , 高垣愛 , TAKAGAKI, AI
IPC分类号： C23F1/18 , C23F1/02 , H05K3/06
CPC分类号： C23F1/18 , H05K3/067
摘要：提供不損及銅配線的直線性並可抑制側面蝕刻之蝕刻液、其補給液、及銅配線的形成方法。本發明之蝕刻液，係銅的蝕刻液，前述蝕刻液為含有酸、氧化性金屬離子及芳香雜環化合物之水溶液。前述芳香雜環化合物係在分子內含有：具有1個以上的氮作為構成環之雜原子之5員芳香雜環、以及具有1個以上的氮作為構成環之雜原子之6員芳香雜環。
简体摘要：提供不损及铜配线的直线性并可抑制侧面蚀刻之蚀刻液、其补给液、及铜配线的形成方法。本发明之蚀刻液，系铜的蚀刻液，前述蚀刻液为含有酸、氧化性金属离子及芳香杂环化合物之水溶液。前述芳香杂环化合物系在分子内含有：具有1个以上的氮作为构成环之杂原子之5员芳香杂环、以及具有1个以上的氮作为构成环之杂原子之6员芳香杂环。

8. 发明专利

TWI488998B 置換析出型無電鍍用接著層形成液及接著層形成方法有权
简体标题：置换析出型无电镀用接着层形成液及接着层形成方法
公开(公告)号：TWI488998B
公开(公告)日：2015-06-21
申请号：TW098136181
申请日：2009-10-26
申请人： MEC股份有限公司 , MEC COMPANY LTD.
发明人：河口睦行 , KAWAGUCHI, MUTSUYUKI , 天谷剛 , AMATANI, TSUYOSHI , 藤井祐子 , FUJII, YUKO , 傳江雅美 , TSUTAE, MASAMI
IPC分类号： C23C18/48 , H05K3/38
CPC分类号： C25D5/48 , H05K3/384 , H05K2203/0361 , H05K2203/073

9. 发明专利

TWI448580B 積層體之形成方法有权
简体标题：积层体之形成方法
公开(公告)号：TWI448580B
公开(公告)日：2014-08-11
申请号：TW099108191
申请日：2010-03-19
申请人： MEC股份有限公司 , MEC COMPANY LTD.
发明人：河口睦行 , KAWAGUCHI, MUTSUYUKI , 天谷剛 , AMATANI, TSUYOSHI
IPC分类号： C23C22/05 , B32B15/08 , H05K3/38
CPC分类号： H05K3/389 , B32B37/203 , B32B38/0012 , B32B2037/243 , B32B2038/168 , B32B2309/02 , B32B2309/04 , B32B2457/00 , H05K1/0269 , H05K3/022 , H05K2201/0355 , H05K2203/1476 , H05K2203/163

10. 发明专利

TW201419972A 印刷配線板之製造方法及表面處理裝置审中-公开
简体标题：印刷配线板之制造方法及表面处理设备
公开(公告)号：TW201419972A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：TW102120290
申请日：2013-06-07
申请人： MEC股份有限公司 , MEC COMPANY LTD.
发明人：網谷康孝 , AMITANI, YASUTAKA , 松本啟佑 , MATSUMOTO, KEISUKE , 漆畑薰 , URUSHIBATA, KAORU
IPC分类号： H05K3/46
CPC分类号： C23F1/18 , C23F1/08 , H05K3/0035 , H05K3/0085 , H05K2203/075 , H05K2203/0789 , H05K2203/1476 , H05K2203/1509 , H05K2203/1545
摘要：本發明提供一種印刷配線板之製造方法，其在進行水平搬送之際，不僅能抑制因搬送損傷起因造成之孔徑不一，更能減低雷射加工能源之用量，及提供一種使用該製造方法之表面處理裝置。本發明之印刷配線板之製造方法係包含以下步驟：對印刷配線板製造用積層板(10)之表層的銅層(3)表面進行前處理步驟，及對經前述前處理步驟後的銅層(3)表面進行雷射光照射以形成孔洞之雷射加工步驟。前述前處理步驟具有以下步驟：在含氧環境下使銅層(3)表面與水溶液A接觸之第一表面處理步驟，及使經過前述第一表面處理步驟後的銅層(3)表面與水溶液B接觸之第二表面處理步驟。本發明中，於前述第二表面處理步驟中，係於不供給氧之下使銅層(3)表面與水溶液B接觸。
简体摘要：本发明提供一种印刷配线板之制造方法，其在进行水平搬送之际，不仅能抑制因搬送损伤起因造成之孔径不一，更能减低激光加工能源之用量，及提供一种使用该制造方法之表面处理设备。本发明之印刷配线板之制造方法系包含以下步骤：对印刷配线板制造用积层板(10)之表层的铜层(3)表面进行前处理步骤，及对经前述前处理步骤后的铜层(3)表面进行激光光照射以形成孔洞之激光加工步骤。前述前处理步骤具有以下步骤：在含氧环境下使铜层(3)表面与水溶液A接触之第一表面处理步骤，及使经过前述第一表面处理步骤后的铜层(3)表面与水溶液B接触之第二表面处理步骤。本发明中，于前述第二表面处理步骤中，系于不供给氧之下使铜层(3)表面与水溶液B接触。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式