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1. 发明专利

TWI663628B 吸收性燈頭面有权
简体标题：吸收性灯头面
公开(公告)号：TWI663628B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：TW103114722
申请日：2014-04-23
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：布里哈特保羅 , BRILLHART, PAUL , 拉尼許喬瑟夫M , RANISH, JOSEPH M. , 古波若沙堤西 , KUPPURAO, SATHEESH , 拉馬查倫巴拉蘇拉馬尼安 , RAMACHANDRAN, BALASUBRAMANIAN , 朱作明 , ZHU, ZUOMING
IPC分类号： H01K1/32 , C23C16/48

2. 发明专利

TW201910552A 藉由局部熱處理之多層石墨烯膜之同時雙面塗層审中-公开
简体标题：借由局部热处理之多层石墨烯膜之同时双面涂层
公开(公告)号：TW201910552A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW107124727
申请日：2018-07-18
申请人：荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
发明人：克爾甘諾凡艾夫喬尼亞 , KURGANOVA, EVGENIA , 吉斯波爾思艾利那斯喬漢斯瑪麗亞 , GIESBERS, ADRIANUS JOHANNES MARIA , 納莎里維奇邁可辛亞歷山德羅維奇 , NASALEVICH, MAXIM ALEKSANDROVICH , 諾登布雅努威稜 , NOTENBOOM, ARNOUD WILLEM , 彼得瑪莉亞 , PETER, MARIA , 凡柔彼德珍 , VAN ZWOL, PIETER-JAN , 凡爾斯大衛凡迪奈德 , VLES, DAVID FERDINAND , 福爾特赫伊曾威廉彼德 , VOORTHUIJZEN, WILLEM-PIETER
IPC分类号： C23C16/48 , C23C16/52
摘要：本發明提供一種製造用於一微影設備之一表膜的方法，該方法包含：使用輻射加熱來局部加熱該表膜，且在該表膜之兩側上沈積塗佈材料，且本發明提供根據此方法製造之表膜。本發明亦揭示具有雙面六方氮化硼塗層之一多層石墨烯表膜在一微影設備中之用途。
简体摘要：本发明提供一种制造用于一微影设备之一表膜的方法，该方法包含：使用辐射加热来局部加热该表膜，且在该表膜之两侧上沉积涂布材料，且本发明提供根据此方法制造之表膜。本发明亦揭示具有双面六方氮化硼涂层之一多层石墨烯表膜在一微影设备中之用途。

3. 发明专利

TW201832308A 具有抗電漿塗層之高功率低氣壓紫外線燈泡审中-公开
简体标题：具有抗等离子涂层之高功率低气压紫外线灯泡
公开(公告)号：TW201832308A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW106144320
申请日：2017-12-18
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：陳曉蘭 , CHEN, XIAOLAN , 馬德洛馬修 , MUDROW, MATTHEW , 貝利柯蒂斯 , BAILEY, CURTIS , 劉史帝芬 , LAU, STEPHEN , 拉馬爾密特歇爾 , LAMAR, MITCHELL
IPC分类号： H01L21/67 , C23C16/48
摘要：一種紫外線燈泡之外包體包含一紫外線透射材料管體，該管體被配置為容納紫外線發射材料；以及包含一抗電漿之塗層，位在該管體之內表面上，其中藉由原子層沉積(ALD)沉積該塗層，且該塗層係附著於該管體內表面的唯一材料。該管體可係具有圓形之環狀管體，且該塗層可係一ALD氧化鋁塗層。該紫外線透射材料可包含石英或熔融矽土，且該管體可具有約1到約2 mm之壁厚。該塗層具有不大於約200 nm之厚度(例如約120 nm到160 nm)。可將該圓形管體形成為環面外形，該環面外形可具有約200 mm之一外直徑，且該管體本身可具有約30 mm之一外直徑。該ALD氧化鋁塗層可係一無針孔的、保形的塗層。一種包含該外包體之紫外線燈泡可容納汞及惰性氣體(例如氬)，該燈泡內之壓力係在100 Torr以下。半導體基板上的薄膜之硬化方法包含在硬化腔室中支撐一半導體基板；以及將該半導體基板上之膜層暴露於由紫外線燈泡所產生的紫外線輻射。其他用途包含半導體基板表面之清洗或流體及物體之殺菌。
简体摘要：一种紫外线灯泡之外包体包含一紫外线透射材料管体，该管体被配置为容纳紫外线发射材料；以及包含一抗等离子之涂层，位在该管体之内表面上，其中借由原子层沉积(ALD)沉积该涂层，且该涂层系附着于该管体内表面的唯一材料。该管体可系具有圆形之环状管体，且该涂层可系一ALD氧化铝涂层。该紫外线透射材料可包含石英或熔融硅土，且该管体可具有约1到约2 mm之壁厚。该涂层具有不大于约200 nm之厚度(例如约120 nm到160 nm)。可将该圆形管体形成为环面外形，该环面外形可具有约200 mm之一外直径，且该管体本身可具有约30 mm之一外直径。该ALD氧化铝涂层可系一无针孔的、保形的涂层。一种包含该外包体之紫外线灯泡可容纳汞及惰性气体(例如氩)，该灯泡内之压力系在100 Torr以下。半导体基板上的薄膜之硬化方法包含在硬化腔室中支撑一半导体基板；以及将该半导体基板上之膜层暴露于由紫外线灯泡所产生的紫外线辐射。其他用途包含半导体基板表面之清洗或流体及物体之杀菌。

4. 发明专利

TW201736636A 半導體製造工具的熱反射器、熱反射系統與製造系統审中-公开
简体标题：半导体制造工具的热反射器、热反射系统与制造系统
公开(公告)号：TW201736636A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW106103291
申请日：2017-01-26
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：洪世瑋 , HUNG, SHIH WEI
IPC分类号： C23C16/46 , C23C16/48 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67115 , C23C16/46 , C23C16/481
摘要：提供具有改善熱均勻性用於一基材之熱處理的一系統與裝置，在一些實施例中，該系統包含一加熱元件、一基材固定元件可以固定一基材，以及一反射結構可以將加熱元件之熱能引向固定於該基材固定元件之該基材，該反射結構包含一紋理部分，其中該紋理部分之一紋理的配置為將該熱能引向該固定之基材。在一些這樣的實施例中，該紋理包含一粗糙化不規則表面的配置為將該熱能引向該固定之基材。在一些這樣的實施例中，該紋理包含多個圓周脊結構的配置為將該熱能引向該固定之基材。
简体摘要：提供具有改善热均匀性用于一基材之热处理的一系统与设备，在一些实施例中，该系统包含一加热组件、一基材固定组件可以固定一基材，以及一反射结构可以将加热组件之热能引向固定于该基材固定组件之该基材，该反射结构包含一纹理部分，其中该纹理部分之一纹理的配置为将该热能引向该固定之基材。在一些这样的实施例中，该纹理包含一粗糙化不守则表面的配置为将该热能引向该固定之基材。在一些这样的实施例中，该纹理包含多个圆周嵴结构的配置为将该热能引向该固定之基材。

5. 发明专利

TW201728243A 佈線基板的佈線修補裝置、佈線基板的製造方法、佈線基板及顯示裝置审中-公开
简体标题：布线基板的布线修补设备、布线基板的制造方法、布线基板及显示设备
公开(公告)号：TW201728243A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105140425
申请日：2016-12-07
申请人： V科技股份有限公司 , V TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：平野貴文 , HIRANO, TAKAFUMI , 鈴木良和 , SUZUKI, YOSHIKAZU
IPC分类号： H05K3/18 , H01L21/60 , C23C16/48 , G02F1/1333
CPC分类号： G02F1/13 , H05K3/22
摘要：本發明關於一種佈線基板的佈線修補裝置、佈線基板的製造方法、佈線基板及顯示裝置。佈線修補裝置用於修補佈線基板的缺陷且具有：在形成於佈線基板(200)的基板上的佈線圖案(202)上的絕緣膜(203)上形成孔(204)的絕緣膜除去裝置(脈衝雷射單元103)、在此處形成電極部(206)的CVD裝置(雷射CVD單元104)、使具有流動性的導電材料附著到佈線基板(200)上並硬化而形成修補用佈線圖案(208)的修補用佈線圖案形成裝置(噴射佈線單元105)，以及使上述裝置依次開始工作的控制裝置(控制部107)。
简体摘要：本发明关于一种布线基板的布线修补设备、布线基板的制造方法、布线基板及显示设备。布线修补设备用于修补布线基板的缺陷且具有：在形成于布线基板(200)的基板上的布线图案(202)上的绝缘膜(203)上形成孔(204)的绝缘膜除去设备(脉冲激光单元103)、在此处形成电极部(206)的CVD设备(激光CVD单元104)、使具有流动性的导电材料附着到布线基板(200)上并硬化而形成修补用布线图案(208)的修补用布线图案形成设备(喷射布线单元105)，以及使上述设备依次开始工作的控制设备(控制部107)。

6. 发明专利

TW201718400A 藉由化學氣相沉積成長石墨烯的方法审中-公开
简体标题：借由化学气相沉积成长石墨烯的方法
公开(公告)号：TW201718400A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105114900
申请日：2016-05-13
申请人：炬力奈米科技有限公司 , G-FORCE NANO TECHNOLOGY LTD.
发明人：邱壬官 , CHIU, JEN-KUAN , 葉昭輝 , YEH, CHAO-HUI , 邱博文 , CHIU, PO-WEN
IPC分类号： C01B31/04 , C23C16/455 , C23C16/48 , C23C16/26
摘要：一種藉由化學氣相沉積成長石墨烯的方法，包括：裝載至少一基板至爐管中；引入至少含有含氧碳源的反應氣體至爐管中；加熱反應氣體，且使用紫外光源對反應氣體照射紫外光，以分解含氧碳源；以及藉由碳源的分解釋放出的碳原子來沉積石墨烯膜於所述至少一基板的表面上。
简体摘要：一种借由化学气相沉积成长石墨烯的方法，包括：装载至少一基板至炉管中；引入至少含有含氧碳源的反应气体至炉管中；加热反应气体，且使用紫外光源对反应气体照射紫外光，以分解含氧碳源；以及借由碳源的分解释放出的碳原子来沉积石墨烯膜于所述至少一基板的表面上。

7. 发明专利

TWI570263B 光輔助原子層沉積方法有权
简体标题：光辅助原子层沉积方法
公开(公告)号：TWI570263B
公开(公告)日：2017-02-11
申请号：TW104125979
申请日：2015-08-10
申请人：炬力奈米科技有限公司 , G-FORCE NANO TECHNOLOGY LTD.
发明人：葉昭輝 , YEH, CHAO HUI , 邱壬官 , CHIU, JEN KUAN
IPC分类号： C23C16/452 , C23C16/48
CPC分类号： C23C16/45536 , C23C16/452

8. 发明专利

TW201817913A 用於磊晶腔室的上圓錐审中-公开
简体标题：用于磊晶腔室的上圆锥
公开(公告)号：TW201817913A
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：TW106126157
申请日：2017-08-03
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：大木慎一 , OKI, SHINICHI , 森義信 , MORI, YOSHINOBU , 青木裕司 , AOKI, YUJI
IPC分类号： C23C16/48 , C23C16/455 , C23C16/52
摘要：本文中描述了一種磊晶沉積腔室，如高生長速率磊晶腔室，所述磊晶沉積腔室在腔室中圓頂上方具有上部錐體，用於控制空氣流。所述上部錐體在所述腔室中具有由兩個或更多個間隙分離的第一部件和第二部件，每個部件具有部分圓柱形區域和從所述部分圓柱形區域延伸的部分圓錐形區域，所述部分圓柱形區域具有第一凹形內表面、第一凸形外表面、以及所述第一凹形內表面的固定曲率半徑，所述部分圓錐形區域具有第二凹形內表面、第二凸形外表面、以及所述第二凹形內表面的變化曲率半徑，其中所述第二凹形內表面從所述部分圓柱形區域延伸至小於所述固定曲率半徑的第二曲率半徑。
简体摘要：本文中描述了一种磊晶沉积腔室，如高生长速率磊晶腔室，所述磊晶沉积腔室在腔室中圆顶上方具有上部锥体，用于控制空气流。所述上部锥体在所述腔室中具有由两个或更多个间隙分离的第一部件和第二部件，每个部件具有部分圆柱形区域和从所述部分圆柱形区域延伸的部分圆锥形区域，所述部分圆柱形区域具有第一凹形内表面、第一凸形外表面、以及所述第一凹形内表面的固定曲率半径，所述部分圆锥形区域具有第二凹形内表面、第二凸形外表面、以及所述第二凹形内表面的变化曲率半径，其中所述第二凹形内表面从所述部分圆柱形区域延伸至小于所述固定曲率半径的第二曲率半径。

9. 发明专利

TW201706448A 針對側壁孔隙密封及通孔清潔度的互聯整合审中-公开
简体标题：针对侧壁孔隙密封及通孔清洁度的互联集成
公开(公告)号：TW201706448A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：TW105119681
申请日：2016-06-23
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：任河 , REN, HE , 那克美荷B , NAIK, MEHUL B. , 帕奇迪尼斯 , PADHI, DEENESH , 達許普力楊卡 , DASH, PRIYANKA , 古莫巴斯卡 , KUMAR, BHASKAR , 狄摩斯亞歷山卓T , DEMOS, ALEXANDROS T.
IPC分类号： C23C16/48 , C23C16/02 , C23C16/56
CPC分类号： H01L21/02126 , C23C16/045 , C23C16/36 , C23C16/482 , C23C16/56 , H01L21/02337 , H01L21/0234 , H01L21/02348 , H01L21/02359 , H01L21/3105 , H01L21/31058 , H01L21/76814 , H01L21/76825 , H01L21/76826 , H01L21/76831
摘要：提供了一種用於密封多孔低k介電膜的方法。該方法包含以下步驟：將基板曝露於UV輻射和第一反應氣體，其中基板具有限定在基板中的開口特徵，開口特徵係由多孔低k介電層和導電材料所界定，其中多孔低k介電層是含矽和碳材料且使用UV輔助光化學氣相沉積而在多孔低k介電層的曝露表面上選擇性地形成孔隙密封層在開口特徵中。
简体摘要：提供了一种用于密封多孔低k介电膜的方法。该方法包含以下步骤：将基板曝露于UV辐射和第一反应气体，其中基板具有限定在基板中的开口特征，开口特征系由多孔低k介电层和导电材料所界定，其中多孔低k介电层是含硅和碳材料且使用UV辅助光化学气相沉积而在多孔低k介电层的曝露表面上选择性地形成孔隙密封层在开口特征中。

10. 发明专利

TW201634736A 沉積技術（一）审中-公开
简体标题：沉积技术（一）
公开(公告)号：TW201634736A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW104140939
申请日：2015-12-07
申请人：皮寇桑公司 , PICOSUN OY
发明人：瑪琳恩提摩 , MALINEN, TIMO , 寇斯特摩朱哈娜 , KOSTAMO, JUHANA , 黎微明 , LI, WEI-MIN , 皮爾明泰若 , PILVI, TERO
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/48 , C23C16/54
CPC分类号： C23C16/45527 , C23C16/45536 , C23C16/45574 , C23C16/45578 , C23C16/48 , C23C16/482 , C23C16/483
摘要：本發明係有關於一種包含以下步驟的方法：進行一含至少一次沉積循環的原子層沉積序列，各循環可產生一沉積材料之單層，該沉積循環含將至少一第一前驅物物種及第二前驅物物種導至反應室內之一基板表面，其中該第一及第二前驅物物種皆以氣相同時存在於該反應室內。
简体摘要：本发明系有关于一种包含以下步骤的方法：进行一含至少一次沉积循环的原子层沉积串行，各循环可产生一沉积材料之单层，该沉积循环含将至少一第一前驱物物种及第二前驱物物种导至反应室内之一基板表面，其中该第一及第二前驱物物种皆以气相同时存在于该反应室内。

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