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1. 发明专利

TW201832308A 具有抗電漿塗層之高功率低氣壓紫外線燈泡审中-公开
简体标题：具有抗等离子涂层之高功率低气压紫外线灯泡
公开(公告)号：TW201832308A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW106144320
申请日：2017-12-18
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：陳曉蘭 , CHEN, XIAOLAN , 馬德洛馬修 , MUDROW, MATTHEW , 貝利柯蒂斯 , BAILEY, CURTIS , 劉史帝芬 , LAU, STEPHEN , 拉馬爾密特歇爾 , LAMAR, MITCHELL
IPC分类号： H01L21/67 , C23C16/48
摘要：一種紫外線燈泡之外包體包含一紫外線透射材料管體，該管體被配置為容納紫外線發射材料；以及包含一抗電漿之塗層，位在該管體之內表面上，其中藉由原子層沉積(ALD)沉積該塗層，且該塗層係附著於該管體內表面的唯一材料。該管體可係具有圓形之環狀管體，且該塗層可係一ALD氧化鋁塗層。該紫外線透射材料可包含石英或熔融矽土，且該管體可具有約1到約2 mm之壁厚。該塗層具有不大於約200 nm之厚度(例如約120 nm到160 nm)。可將該圓形管體形成為環面外形，該環面外形可具有約200 mm之一外直徑，且該管體本身可具有約30 mm之一外直徑。該ALD氧化鋁塗層可係一無針孔的、保形的塗層。一種包含該外包體之紫外線燈泡可容納汞及惰性氣體(例如氬)，該燈泡內之壓力係在100 Torr以下。半導體基板上的薄膜之硬化方法包含在硬化腔室中支撐一半導體基板；以及將該半導體基板上之膜層暴露於由紫外線燈泡所產生的紫外線輻射。其他用途包含半導體基板表面之清洗或流體及物體之殺菌。
简体摘要：一种紫外线灯泡之外包体包含一紫外线透射材料管体，该管体被配置为容纳紫外线发射材料；以及包含一抗等离子之涂层，位在该管体之内表面上，其中借由原子层沉积(ALD)沉积该涂层，且该涂层系附着于该管体内表面的唯一材料。该管体可系具有圆形之环状管体，且该涂层可系一ALD氧化铝涂层。该紫外线透射材料可包含石英或熔融硅土，且该管体可具有约1到约2 mm之壁厚。该涂层具有不大于约200 nm之厚度(例如约120 nm到160 nm)。可将该圆形管体形成为环面外形，该环面外形可具有约200 mm之一外直径，且该管体本身可具有约30 mm之一外直径。该ALD氧化铝涂层可系一无针孔的、保形的涂层。一种包含该外包体之紫外线灯泡可容纳汞及惰性气体(例如氩)，该灯泡内之压力系在100 Torr以下。半导体基板上的薄膜之硬化方法包含在硬化腔室中支撑一半导体基板；以及将该半导体基板上之膜层暴露于由紫外线灯泡所产生的紫外线辐射。其他用途包含半导体基板表面之清洗或流体及物体之杀菌。

3. 发明专利

TW201447018A 金屬晶種層上之金屬氧化物的還原方法與設備审中-公开
简体标题：金属晶种层上之金属氧化物的还原方法与设备
公开(公告)号：TW201447018A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103107265
申请日：2014-03-04
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：史柏林泰菲A , SPURLIN, TIGHE A. , 安東內利喬治安組 , ANTONELLI, GEORGE ANDREW , 道比那娜塔莉亞V , DOUBINA, NATALIA V. , 鄧肯詹姆斯E , DUNCAN, JAMES E. , 李德強納森D , REID, JONATHAN D. , 波特大衛 , PORTER, DAVID , 蘭伯特達西E , LAMBERT, DARCY E. , 欣荷德加拉科許彌 , SINGHAL, DURGALAKSHMI , 劉史蒂芬 , LAU, STEPHEN , 史多維馬修 , STOWELL, MARSHALL
IPC分类号： C23C16/44 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76873 , C23C18/1619 , C23C18/1675 , C23C18/1851 , C23C18/1865 , C23C18/1868 , C25D5/34 , C25D5/40 , C25D5/42 , C25D17/001 , H01J37/32357 , H01L21/02063 , H01L21/02068 , H01L21/67115 , H01L21/68742 , H01L21/76861 , H01L21/76874
摘要：本發明揭露用以將金屬氧化物表面還原成改質之金屬表面的方法及設備。藉由將金屬氧化物表面曝露到遠端電漿，可將基板上的金屬氧化物表面還原成純金屬並使該金屬回流。遠端電漿設備可在單一獨立的設備內部處理金屬氧化物表面、以及冷卻、裝載/卸載、及移動基板。遠端電漿設備包含處理腔室及控制器，該控制器用以在處理腔室中設置具有金屬晶種層之基板；形成還原氣體物種之遠端電漿，其中該遠端電漿包含來自該還原氣體物種之自由基、離子、及/或紫外(UV)輻射；並使該基板之該金屬晶種層曝露到該遠端電漿以將該金屬晶種層之氧化物還原成金屬且使該金屬回流。
简体摘要：本发明揭露用以将金属氧化物表面还原成改质之金属表面的方法及设备。借由将金属氧化物表面曝露到远程等离子，可将基板上的金属氧化物表面还原成纯金属并使该金属回流。远程等离子设备可在单一独立的设备内部处理金属氧化物表面、以及冷却、装载/卸载、及移动基板。远程等离子设备包含处理腔室及控制器，该控制器用以在处理腔室中设置具有金属晶种层之基板；形成还原气体物种之远程等离子，其中该远程等离子包含来自该还原气体物种之自由基、离子、及/或紫外(UV)辐射；并使该基板之该金属晶种层曝露到该远程等离子以将该金属晶种层之氧化物还原成金属且使该金属回流。

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