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1. 发明专利

TW202026448A 蒸鍍裝置审中-公开
简体标题：蒸镀设备
公开(公告)号：TW202026448A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108133494
申请日：2019-09-18
申请人：日商愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：北沢僚也 , KITAZAWA, RYOYA , 倉田敬臣 , KURATA, TAKAOMI
IPC分类号： C23C14/50 , C23C14/56 , C23C14/04 , C23C14/24 , H01L21/67 , H01L21/687 , H05B33/10 , H01L51/50 , H01L27/146 , G09F9/00
摘要：本發明提供一種能夠抑制蒸鍍材料的大的飛散角度所造成的影響之蒸鍍裝置。本發明的一形態的基板保持裝置具備蒸發源、支持機構、限制板以及腔室。蒸發源係收容蒸鍍材料且具備加熱蒸鍍材料之加熱機構。支持機構在與蒸發源對向之位置處支持蒸鍍對象物。限制板係相對於蒸發源與前述蒸鍍對象物的中點而被配置於蒸鍍對象物側，並限制蒸鍍材料之飛散路徑。腔室係收容蒸發源、支持機構以及限制板。
简体摘要：本发明提供一种能够抑制蒸镀材料的大的飞散角度所造成的影响之蒸镀设备。本发明的一形态的基板保持设备具备蒸发源、支持机构、限制板以及腔室。蒸发源系收容蒸镀材料且具备加热蒸镀材料之加热机构。支持机构在与蒸发源对向之位置处支持蒸镀对象物。限制板系相对于蒸发源与前述蒸镀对象物的中点而被配置于蒸镀对象物侧，并限制蒸镀材料之飞散路径。腔室系收容蒸发源、支持机构以及限制板。

2. 发明专利

TWI695899B 用於真空熱蒸鍍經取代之1,2,3-三亞基三(氰甲基亞基)環丙烷與使用它們之電子裝置及半導體材料有权
简体标题：用于真空热蒸镀经取代之1,2,3-三亚基三(氰甲基亚基)环丙烷与使用它们之电子设备及半导体材料
公开(公告)号：TWI695899B
公开(公告)日：2020-06-11
申请号：TW104142042
申请日：2015-12-15
申请人：德商諾瓦發光二極體有限公司 , NOVALED GMBH
发明人：漢莫特馬克斯 , HUMMERT, MARKUS , 布魯赫阿希姆 , BRUCH, ACHIM , 科恩克里斯蒂亞娜 , KOEHN, CHRISTIANE , 穆林麥斯 , NUELLEN, MAX P.
IPC分类号： C23C14/24 , C23C14/12 , C07D213/84 , C07C255/50 , C07D239/26 , C09K11/06 , H01L51/50

3. 发明专利

TWI685580B 真空蒸鍍裝置及其蒸發頭、真空蒸鍍方法有权
简体标题：真空蒸镀设备及其蒸发头、真空蒸镀方法
公开(公告)号：TWI685580B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：TW107129736
申请日：2018-08-27
申请人：大陸商上海微電子裝備(集團)股份有限公司 , SHANGHAI MICRO ELECTRONICS EQUIPMENT(GROUP)CO., LTD.
发明人：陳勇輝 , CHEN, YONGHUI , 郝征 , HAO, ZHENG , 李志丹 , LI, ZHIDAN , 張俊 , ZHANG, JUN
IPC分类号： C23C14/24 , C23C14/04

4. 发明专利

TWI684655B 用於沉積層於基板上之裝置有权
简体标题：用于沉积层于基板上之设备
公开(公告)号：TWI684655B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：TW104139149
申请日：2015-11-25
申请人：德商愛思強歐洲公司 , AIXTRON SE
发明人：朗麥克 , LONG, MICHAEL
IPC分类号： C23C14/12 , C23C14/24 , C23C14/56 , C23C16/455

5. 发明专利

TW202003883A 蒸鍍遮罩的製造方法及有機發光材料的蒸鍍方法审中-公开
简体标题：蒸镀遮罩的制造方法及有机发光材料的蒸镀方法
公开(公告)号：TW202003883A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW107117291
申请日：2018-05-21
申请人：鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
发明人：陳英杰 , CHEN, YING-CHIEH , 水野康宏 , YASUHIRO, MIZUNO
IPC分类号： C23C14/04 , C23C14/24 , H01L27/28
摘要：本發明提供一種蒸鍍遮罩的製造方法，包括：提供一基體，所述基體包括塑膠膜；將靜電保護膜設置於所述塑膠膜的一表面；將結合有所述靜電保護膜的基體施加張力並固定在一框架上；蝕刻所述塑膠膜，在所述塑膠膜上形成至少一個開口；去除所述靜電保護膜，形成蒸鍍遮罩。本發明的蒸鍍遮罩的製造過程中不僅可以防止水汽和防止刮傷，在蝕刻形成開口的過程中，更好地避免基體的移動，並且能夠帶走蝕刻過程中的顆粒（碎片），以此製造的顯示面板效果更優。
简体摘要：本发明提供一种蒸镀遮罩的制造方法，包括：提供一基体，所述基体包括塑胶膜；将静电保护膜设置于所述塑胶膜的一表面；将结合有所述静电保护膜的基体施加张力并固定在一框架上；蚀刻所述塑胶膜，在所述塑胶膜上形成至少一个开口；去除所述静电保护膜，形成蒸镀遮罩。本发明的蒸镀遮罩的制造过程中不仅可以防止水汽和防止刮伤，在蚀刻形成开口的过程中，更好地避免基体的移动，并且能够带走蚀刻过程中的颗粒（碎片），以此制造的显示皮肤效果更优。

6. 发明专利

TWI681439B 基板處理裝置及基板處理方法以及記憶媒體有权
简体标题：基板处理设备及基板处理方法以及记忆媒体
公开(公告)号：TWI681439B
公开(公告)日：2020-01-01
申请号：TW105103321
申请日：2016-02-02
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：山英亮 , YAMASAKI, HIDEAKI , 浦野智也 , URANO, TOMONARI
IPC分类号： H01L21/02 , C23C14/24

7. 发明专利

TWI676695B 遮罩板及成膜方法有权
公开(公告)号：TWI676695B
公开(公告)日：2019-11-11
申请号：TW107118376
申请日：2018-05-30
申请人：日商愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：三上瞬 , MIKAMI, SHUN , 中尾裕利 , NAKAO, HIROTOSHI , 田宮慎太郎 , TAMIYA, SHINTAROU , 朝比奈伸一 , ASAHINA, SHINICHI
IPC分类号： C23C14/04 , C23C14/24 , C23C14/50 , H01L21/683 , H05B33/10 , H01L51/50

8. 发明专利

TWI676694B 用以沈積一或多層之處理系統及用於其之方法有权
简体标题：用以沉积一或多层之处理系统及用于其之方法
公开(公告)号：TWI676694B
公开(公告)日：2019-11-11
申请号：TW106141046
申请日：2017-11-24
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：海斯戴德 , HAAS, DIETER , 史奇伯勒佑維 , SCHUBLER, UWE , 地古坎柏喬斯曼紐 , DIEGUEZ-CAMPO, JOSE MANUEL , 班格特史丹分 , BANGERT, STEFAN
IPC分类号： C23C14/04 , C23C14/24 , C23C14/50 , C23C14/56 , H01L51/56

9. 发明专利

TWI673162B 蒸鍍遮罩之拉伸方法、附有框架之蒸鍍遮罩之製造方法、有機半導體元件之製造方法及拉伸裝置有权
简体标题：蒸镀遮罩之拉伸方法、附有框架之蒸镀遮罩之制造方法、有机半导体组件之制造方法及拉伸设备
公开(公告)号：TWI673162B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：TW104110438
申请日：2015-03-31
申请人：日商大日本印刷股份有限公司 , DAI NIPPON PRINTING CO., LTD.
发明人：小幡勝也 , OBATA, KATSUNARI , 岡本英介 , OKAMOTO, HIDEYUKI , 本間良幸 , HONMA, YOSHIYUKI , 武田利彦 , TAKEDA, TOSHIHIKO
IPC分类号： B32B15/08 , B32B3/10 , B32B38/12 , B29C73/28 , B32B38/00 , C23C14/04 , C23C14/24 , H01L51/00 , H01L21/67

10. 发明专利

TW201921099A 蒸鍍遮罩审中-公开
简体标题：蒸镀遮罩
公开(公告)号：TW201921099A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107144160
申请日：2016-02-05
申请人：日商大日本印刷股份有限公司 , DAI NIPPON PRINTING CO., LTD.
发明人：池永知加雄 , IKENAGA,CHIKAO
IPC分类号： G03F1/68 , G03F1/50 , C23C14/24
摘要：提供將形成有具有複雜形狀的貫通孔的蒸鍍遮罩利用鍍層處理而製造的方法。蒸鍍遮罩製造方法，係具備：在具有絕緣性的基板上形成依既定圖案設有第1開口部的第1金屬層的第1成膜程序；以及將設有連通於第1開口部的第2開口部的第2金屬層形成於第1金屬層上的第2成膜程序。第2成膜程序，係包含：在基板上及第1金屬層上，騰出既定間隙而形成抗蝕圖案的抗蝕層形成程序；以及於抗蝕圖案之間隙在第1金屬層上使第2金屬層的鍍層處理程序。抗蝕層形成程序，係實施成：第1金屬層的第1開口部由抗蝕層圖案所覆蓋，同時抗蝕圖案之間隙位於第1金屬層上。
简体摘要：提供将形成有具有复杂形状的贯通孔的蒸镀遮罩利用镀层处理而制造的方法。蒸镀遮罩制造方法，系具备：在具有绝缘性的基板上形成依既定图案设有第1开口部的第1金属层的第1成膜进程；以及将设有连通于第1开口部的第2开口部的第2金属层形成于第1金属层上的第2成膜进程。第2成膜进程，系包含：在基板上及第1金属层上，腾出既定间隙而形成抗蚀图案的抗蚀层形成进程；以及于抗蚀图案之间隙在第1金属层上使第2金属层的镀层处理进程。抗蚀层形成进程，系实施成：第1金属层的第1开口部由抗蚀层图案所覆盖，同时抗蚀图案之间隙位于第1金属层上。

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