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1. 发明专利

TW201414362A 中子產生裝置用標靶及其製造方法审中-公开
简体标题：中子产生设备用标靶及其制造方法
公开(公告)号：TW201414362A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW102125083
申请日：2013-07-12
申请人：八神製作所股份有限公司 , YAGAMI CO., LTD.
发明人：土田一輝 , TSUCHIDA, KAZUKI
IPC分类号： H05H6/00 , G21G4/02 , A61N5/10
CPC分类号： H05H6/00 , A61N2005/109 , B22D19/00 , B23K20/021 , G21G4/02
摘要：本發明提供一種壽命長的中子產生裝置用標靶及其製造方法。該中子產生裝置係將由加速器所加速後之質子束照射於作為靶材的鋰，並藉由7Li(p,n)7Be反應使其產生中子；該中子產生裝置用標靶係具備：金屬基板(52A)，係保持靶材(54)；以及密封金屬薄膜(53)，係位在保持靶材(54)之保持面側(X)。在金屬基板(52A)之保持面側(X)係具有：緣框部(52a)；以及浮凸構造，係在由緣框部(52a)所包圍之內側餘留複數個島部(52b)，並將緣框部(52a)及複數個島部(52b)以外之其他的區域形成為被減薄至靶材(54)之厚度量的凹部。密封金屬薄膜(53)、和緣框部(52a)及複數個島部(52b)之表面進行熱均壓(HIP)接合，而靶材(54)藉由密封金屬薄膜(53)而被密封於凹部。島部(52b)係可以由鋰合金所構成。
简体摘要：本发明提供一种寿命长的中子产生设备用标靶及其制造方法。该中子产生设备系将由加速器所加速后之质子束照射于作为靶材的锂，并借由7Li(p,n)7Be反应使其产生中子；该中子产生设备用标靶系具备：金属基板(52A)，系保持靶材(54)；以及密封金属薄膜(53)，系位在保持靶材(54)之保持面侧(X)。在金属基板(52A)之保持面侧(X)系具有：缘框部(52a)；以及浮凸构造，系在由缘框部(52a)所包围之内侧余留复数个岛部(52b)，并将缘框部(52a)及复数个岛部(52b)以外之其他的区域形成为被减薄至靶材(54)之厚度量的凹部。密封金属薄膜(53)、和缘框部(52a)及复数个岛部(52b)之表面进行热均压(HIP)接合，而靶材(54)借由密封金属薄膜(53)而被密封于凹部。岛部(52b)系可以由锂合金所构成。

2. 发明专利

TW201902531A 用於離子束標靶之基材表面修飾之方法及系統审中-公开
简体标题：用于离子束标靶之基材表面修饰之方法及系统
公开(公告)号：TW201902531A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW106118830
申请日：2017-06-07
申请人：中子療法股份有限公司 , NEUTRON THERAPEUTICS INC.
发明人：帕克小威廉 H. , PARK, JR., WILLIAM H. , 蘭伯特馬克 , LAMBERT, MARK , 吉萊斯皮喬瑟夫 , GILLESPIE, JOSEPH , 斯米克諾亞 , SMICK, NOAH , 逆瀨隆夫 , SAKASE, TAKAO
IPC分类号： A61N5/10 , G21G1/10 , G21G4/02 , H05H6/00
摘要：一中子產生標靶之設計和製造方法係被揭露。在某些實施例中，一標靶基材之一表面能被修飾以形成一或更多的表面特徴細構。在某些實施例中，一中子源層可被配設在該標靶基材之該表面上。在某些實施例中，該中心源層及該標靶基材可被加熱至一升高溫度，以在該二者之間形成一接合。在某些實施例中，該標靶基材的表面修飾能減少該標靶中的起泡和材料剝落。該標靶可被用於硼中子捕獲療法。
简体摘要：一中子产生标靶之设计和制造方法系被揭露。在某些实施例中，一标靶基材之一表面能被修饰以形成一或更多的表面特徴细构。在某些实施例中，一中子源层可被配设在该标靶基材之该表面上。在某些实施例中，该中心源层及该标靶基材可被加热至一升高温度，以在该二者之间形成一接合。在某些实施例中，该标靶基材的表面修饰能减少该标靶中的起泡和材料剥落。该标靶可被用于硼中子捕获疗法。

3. 发明专利

TWI536874B 中子產生裝置用標靶及其製造方法有权
简体标题：中子产生设备用标靶及其制造方法
公开(公告)号：TWI536874B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW102125083
申请日：2013-07-12
申请人：八神製作所股份有限公司 , YAGAMI CO., LTD.
发明人：土田一輝 , TSUCHIDA, KAZUKI
IPC分类号： H05H6/00 , G21G4/02 , A61N5/10
CPC分类号： H05H6/00 , A61N2005/109 , B22D19/00 , B23K20/021 , G21G4/02

4. 发明专利

TW201330004A 透過一核反應器處理照射標的之系統及方法审中-公开
简体标题：透过一核反应器处理照射标的之系统及方法
公开(公告)号：TW201330004A
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：TW101138325
申请日：2012-10-17
申请人：奇異日立核能美國有限公司 , GE-HITACHI NUCLEAR ENERGY AMERICAS LLC
发明人：達亞約吉斯渥爾 , DAYAL, YOGESHWAR , 賽圖厄爾F , SAITO, EARL F. , 柏格約翰F , BERGER, JOHN F. , 布里汀漢馬丁W , BRITTINGHAM, MARTIN W. , 莫瑞拉斯史帝芬K , MORALES, STEPHEN K. , 哈爾傑佛瑞M , HARE, JEFFREY M.
IPC分类号： G21G1/00 , G21G1/02 , G21C19/20 , G21C19/32 , H05H6/00
CPC分类号： G21C23/00 , G21G1/02
摘要：本發明揭示在操作之商用核反應器之儀器管中製作放射性同位素之裝置及方法。可在操作期間將照射標的插入儀器管中及自儀器管中取出而轉化成原本無法在商用核反應器之操作期間獲得之放射性同位素。實例裝置可將待轉化成可用放射性同位素或其他所要之材料之照射標的連續地插入可自一進出障壁外側進出之若干不同起始點及終點、及自該等點取出並儲存，該進出障壁可為例如一安全廠房、一排水井壁或防止在該核電廠操作期間進出儀器管之其他進出限制物。
简体摘要：本发明揭示在操作之商用核反应器之仪器管中制作放射性同位素之设备及方法。可在操作期间将照射标的插入仪器管中及自仪器管中取出而转化成原本无法在商用核反应器之操作期间获得之放射性同位素。实例设备可将待转化成可用放射性同位素或其他所要之材料之照射标的连续地插入可自一进出障壁外侧进出之若干不同起始点及终点、及自该等点取出并存储，该进出障壁可为例如一安全厂房、一排水井壁或防止在该核电厂操作期间进出仪器管之其他进出限制物。

5. 发明专利

TW202022892A 靶搬送系統、靶體及靶搬送方法审中-公开
简体标题：靶搬送系统、靶体及靶搬送方法
公开(公告)号：TW202022892A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW108134264
申请日：2019-09-23
申请人：日商日本醫事物理股份有限公司 , NIHON MEDI-PHYSICS CO., LTD.
发明人：伊藤拓 , ITO, TAKU
IPC分类号： G21C23/00 , G21C19/19 , G21G1/00 , H05H6/00
摘要：本發明之課題在於提供一種靶搬送系統，其於使用加速器之RI之製造中，有利於構成之簡化及小型化，而且構成零件難以受到因放射線而導致之損傷等影響。本發明之解決手段之靶搬送系統係由搬送管道(1)、靶保持部(3)、泵(9)、搬送管道(1)及靶導入部(5)構成，其中，搬送管道(1)係搬送靶體(50)，該靶體(50)至少包含用以生成核種之材料體，靶保持部(3)係保持靶體(50)，且將自加速器(10)輸出之粒子線(B)照射於靶體(50)，而泵(9)、搬送管道(1)及靶導入部(5)係利用冷卻水(W)將靶體(50)搬送至靶保持部(3)，該冷卻水(W)係沿搬送方向流動於搬送管道(1)內並且冷卻上述靶體，泵(9)、搬送管道(1)及靶導入部(5)係於靶保持部(3)中之粒子線(B)對靶體(50)之照射中，使冷卻水(W)朝搬送方向流動，於粒子線(B)的照射結束後，利用冷卻水(W)而自搬送管道(1)回收靶體(50)。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种靶搬送系统，其于使用加速器之RI之制造中，有利于构成之简化及小型化，而且构成零件难以受到因放射线而导致之损伤等影响。本发明之解决手段之靶搬送系统系由搬送管道(1)、靶保持部(3)、泵(9)、搬送管道(1)及靶导入部(5)构成，其中，搬送管道(1)系搬送靶体(50)，该靶体(50)至少包含用以生成核种之材料体，靶保持部(3)系保持靶体(50)，且将自加速器(10)输出之粒子线(B)照射于靶体(50)，而泵(9)、搬送管道(1)及靶导入部(5)系利用冷却水(W)将靶体(50)搬送至靶保持部(3)，该冷却水(W)系沿搬送方向流动于搬送管道(1)内并且冷却上述靶体，泵(9)、搬送管道(1)及靶导入部(5)系于靶保持部(3)中之粒子线(B)对靶体(50)之照射中，使冷却水(W)朝搬送方向流动，于粒子线(B)的照射结束后，利用冷却水(W)而自搬送管道(1)回收靶体(50)。

6. 发明专利

TWI591647B 透過一核反應器處理照射標的之系統及方法有权
简体标题：透过一核反应器处理照射标的之系统及方法
公开(公告)号：TWI591647B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：TW101138325
申请日：2012-10-17
申请人：奇異日立核能美國有限公司 , GE-HITACHI NUCLEAR ENERGY AMERICAS LLC
发明人：達亞約吉斯渥爾 , DAYAL, YOGESHWAR , 賽圖厄爾F , SAITO, EARL F. , 柏格約翰F , BERGER, JOHN F. , 布里汀漢馬丁W , BRITTINGHAM, MARTIN W. , 莫瑞拉斯史帝芬K , MORALES, STEPHEN K. , 哈爾傑佛瑞M , HARE, JEFFREY M.
IPC分类号： G21G1/00 , G21G1/02 , G21C19/20 , G21C19/32 , H05H6/00
CPC分类号： G21C23/00 , G21G1/02

7. 发明专利

TW201701318A 具有傾斜的限制環之電漿處理系統與結構审中-公开
简体标题：具有倾斜的限制环之等离子处理系统与结构
公开(公告)号：TW201701318A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW105109788
申请日：2016-03-29
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：奧古斯丁尼亞克愛德華 , AUGUSTYNIAK, EDWARD , 崎山幸紀 , SAKIYAMA, YUKINORI , 談太德 , TAN, TAIDE , 謝赫法亞茲 , SHAIKH, FAYAZ
IPC分类号： H01J37/36 , H05H6/00 , H05H15/00
CPC分类号： C23C16/4585 , C23C16/5096 , C23C16/52
摘要：電漿腔室包括基座、上電極及環狀結構。基座具有用以支撐晶圓之中央區域、及在中央區域周圍之階部區域。傾斜區域在階部區域周圍，傾斜區域之頂表面係從階部區域向下傾斜，俾使在頂表面之內邊界與中央區域之間之垂直距離係小於在頂表面之外邊界與中央區域之間之垂直距離。上電極係耦接至射頻電源。當環狀結構被放置在基座之上時，環狀結構之內周緣係在基座之中央區域周圍，環狀結構之一部分之厚度係隨著環狀結構之半徑而增加。
简体摘要：等离子腔室包括基座、上电极及环状结构。基座具有用以支撑晶圆之中央区域、及在中央区域周围之阶部区域。倾斜区域在阶部区域周围，倾斜区域之顶表面系从阶部区域向下倾斜，俾使在顶表面之内边界与中央区域之间之垂直距离系小于在顶表面之外边界与中央区域之间之垂直距离。上电极系耦接至射频电源。当环状结构被放置在基座之上时，环状结构之内周缘系在基座之中央区域周围，环状结构之一部分之厚度系随着环状结构之半径而增加。

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