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1. 发明专利

TWI639250B 具有反射式層序列的發光二極體晶片有权
简体标题：具有反射式层串行的发光二极管芯片
公开(公告)号：TWI639250B
公开(公告)日：2018-10-21
申请号：TW105137869
申请日：2016-11-18
申请人：德商歐斯朗奧托半導體股份有限公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：包爾約翰尼斯 , BAUR, JOHANNES , 史密特沃夫甘 , SCHMID, WOLFGANG
IPC分类号： H01L33/10

2. 发明专利

TW201727938A 具有反射式層序列的發光二極體晶片审中-公开
简体标题：具有反射式层串行的发光二极管芯片
公开(公告)号：TW201727938A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105137869
申请日：2016-11-18
申请人：歐斯朗奧托半導體股份有限公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：包爾約翰尼斯 , BAUR, JOHANNES , 史密特沃夫甘 , SCHMID, WOLFGANG
IPC分类号： H01L33/10
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/14 , H01L33/20 , H01L33/405 , H01L33/44
摘要：本發明涉及一種發光二極體晶片(1)，具有：一載體(10)，一半導體層序列(2)，一反射式層序列，其以區域方式配置在載體(10)和半導體層序列(2)之間，此處反射式層序列(8)具有一面向半導體層序列(2)之介電質層(83)和一遠離半導體層序列(2)的金屬之鏡面層(81)，以及一包封層(9)，其部份地配置在載體(10)和反射式層序列(8)之間，此處該包封層(9)部份地經由反射式層序列(8)而向內延伸至半導體層序列(2)中且以此方式而形成一隔離路徑(91)，其使反射式層序列(8)之內部區(51)與反射式層序列(8)之邊緣區(52)相隔離。
简体摘要：本发明涉及一种发光二极管芯片(1)，具有：一载体(10)，一半导体层串行(2)，一反射式层串行，其以区域方式配置在载体(10)和半导体层串行(2)之间，此处反射式层串行(8)具有一面向半导体层串行(2)之介电质层(83)和一远离半导体层串行(2)的金属之镜面层(81)，以及一包封层(9)，其部份地配置在载体(10)和反射式层串行(8)之间，此处该包封层(9)部份地经由反射式层串行(8)而向内延伸至半导体层串行(2)中且以此方式而形成一隔离路径(91)，其使反射式层串行(8)之内部区(51)与反射式层串行(8)之边缘区(52)相隔离。

3. 发明专利

TWI478390B 光電半導體晶片有权
简体标题：光电半导体芯片
公开(公告)号：TWI478390B
公开(公告)日：2015-03-21
申请号：TW101127429
申请日：2012-07-30
申请人：歐斯朗奧托半導體股份有限公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：唐格林伊瓦 , TANGRING, IVAR , 史密特沃夫甘 , SCHMID, WOLFGANG
IPC分类号： H01L33/36
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/145 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L2224/48463

4. 发明专利

TWI575783B 光電半導體晶片及製造光電半導體晶片之方法有权
简体标题：光电半导体芯片及制造光电半导体芯片之方法
公开(公告)号：TWI575783B
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：TW099142563
申请日：2010-12-07
申请人：歐斯朗奧托半導體股份有限公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：艾伯哈法蘭茲 , EBERHARD, FRANZ , 史密特沃夫甘 , SCHMID, WOLFGANG
IPC分类号： H01L33/62
CPC分类号： H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/44 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

5. 发明专利

TW201314957A 光電半導體晶片审中-公开
简体标题：光电半导体芯片
公开(公告)号：TW201314957A
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW101127429
申请日：2012-07-30
申请人：歐斯朗奧托半導體股份有限公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：唐格林伊瓦 , TANGRING, IVAR , 史密特沃夫甘 , SCHMID, WOLFGANG
IPC分类号： H01L33/36
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/145 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L2224/48463
摘要：在光電半導體晶片(1)之至少一實施形式中，包括半導體層序列(2)，其具有至少一活性層(20)。此外，半導體晶片(1)具有一上側接觸結構(3)，其位於該半導體層序列(2)之輻射主側(23)上；以及一下側接觸結構(4)，其位於半導體層序列(2)之與該輻射主側(23)相對向的下側(24)上。又，該半導體晶片(1)包括至少二個溝槽(5)，其由該輻射主側(23)而延伸到達該下側(24)。在該輻射主側(23)之俯視圖中觀看時，該上側接觸結構(3)和該下側接觸結構(4)互相隔開而配置著。同樣，在該輻射主側(23)之俯視圖中觀看時，所述溝槽(5)位在該上側接觸結構(3)和該下側接觸結構(4)之間。
简体摘要：在光电半导体芯片(1)之至少一实施形式中，包括半导体层串行(2)，其具有至少一活性层(20)。此外，半导体芯片(1)具有一上侧接触结构(3)，其位于该半导体层串行(2)之辐射主侧(23)上；以及一下侧接触结构(4)，其位于半导体层串行(2)之与该辐射主侧(23)相对向的下侧(24)上。又，该半导体芯片(1)包括至少二个沟槽(5)，其由该辐射主侧(23)而延伸到达该下侧(24)。在该辐射主侧(23)之俯视图中观看时，该上侧接触结构(3)和该下侧接触结构(4)互相隔开而配置着。同样，在该辐射主侧(23)之俯视图中观看时，所述沟槽(5)位在该上侧接触结构(3)和该下侧接触结构(4)之间。

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