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1. 发明专利

TWI652837B 感測裝置有权
简体标题：传感设备
公开(公告)号：TWI652837B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：TW106144264
申请日：2017-12-15
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：陳瑞沛 , CHEN, RUEI PEI , 陳培銘 , CHEN, PEI MING , 張博超 , CHANG, PO CHAO
IPC分类号： H01L31/153 , G02F1/1333

2. 发明专利

TWI682553B 半導體影像感測裝置及影像感測器的製造方法有权
简体标题：半导体影像传感设备及影像传感器的制造方法
公开(公告)号：TWI682553B
公开(公告)日：2020-01-11
申请号：TW107132050
申请日：2018-09-12
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：鄭允瑋 , CHENG, YUN WEI , 周俊豪 , CHOU, CHUN HAO , 李國政 , LEE, KUO CHENG
IPC分类号： H01L31/0232 , H01L31/153

3. 发明专利

TW201813117A 積體化感測模組、積體化感測組件及其製造方法审中-公开
简体标题：积体化传感模块、积体化传感组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201813117A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106129899
申请日：2017-09-01
申请人：李美燕 , LEE, MEI YEN
发明人：吳憲明 , WU, HSIEN MING
IPC分类号： H01L31/153 , H01L31/0232 , H01L31/18
CPC分类号： H01L27/14678 , G02B5/208 , G06K9/00013 , H01L27/14618 , H01L27/1462 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/14687 , H01L27/156 , H01L27/3234
摘要：一種積體化感測模組，至少包含：一影像感測晶片，包含多個影像感測單元，排列成二維陣列；一微孔層，位於該影像感測晶片上，並具有一個或多個微孔，該一個或多個微孔係對應至該等影像感測單元，其中該等影像感測單元透過該一個或多個微孔感測一物體之光學影像；以及一透光蓋板或一透光蓋板組合，位於微孔層上方。一種積體化感測組件及積體化感測模組的製造方法亦一併提供。
简体摘要：一种积体化传感模块，至少包含：一影像传感芯片，包含多个影像传感单元，排列成二维数组；一微孔层，位于该影像传感芯片上，并具有一个或多个微孔，该一个或多个微孔系对应至该等影像传感单元，其中该等影像传感单元透过该一个或多个微孔传感一物体之光学影像；以及一透光盖板或一透光盖板组合，位于微孔层上方。一种积体化传感组件及积体化传感模块的制造方法亦一并提供。

4. 发明专利

TW201806176A 線性圖像感測器及其製造方法审中-公开
简体标题：线性图像传感器及其制造方法
公开(公告)号：TW201806176A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106126023
申请日：2017-08-02
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
发明人：村松紀宏 , MURAMATSU, NORIHIRO , 野澤克徳 , NOZAWA, KATSUNORI
IPC分类号： H01L31/153 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC分类号： H01L23/28 , H01L27/146 , H04N1/028
摘要：線性圖像感測器具備第1、第2感測器晶片11A、12A、第1、第2基板21、22、共通支持基板30、支持部60、分離圍堰部70、及密封部80。第1感測器晶片11A在第1基板21之一端側突出一部分而搭載。第2感測器晶片12A在第2基板22之一端側突出一部分而搭載。第1、第2基板21、22搭載於共通支持基板30上。支持部60設置於第1、第2基板21、22之端面之間之間隙中。分離圍堰部70包圍感測器晶片11A、12A而環狀地設置。密封部80在由分離圍堰部70包圍之區域內密封感測器晶片11A、12A。藉此，可實現容易地進行感測器晶片之高精度之配置及密封部之表面之平坦性之確保的構成。
简体摘要：线性图像传感器具备第1、第2传感器芯片11A、12A、第1、第2基板21、22、共通支持基板30、支持部60、分离围堰部70、及密封部80。第1传感器芯片11A在第1基板21之一端侧突出一部分而搭载。第2传感器芯片12A在第2基板22之一端侧突出一部分而搭载。第1、第2基板21、22搭载于共通支持基板30上。支持部60设置于第1、第2基板21、22之端面之间之间隙中。分离围堰部70包围传感器芯片11A、12A而环状地设置。密封部80在由分离围堰部70包围之区域内密封传感器芯片11A、12A。借此，可实现容易地进行传感器芯片之高精度之配置及密封部之表面之平坦性之确保的构成。

5. 发明专利

TWI518736B 光產生系統及其方法有权
简体标题：光产生系统及其方法
公开(公告)号：TWI518736B
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：TW100111213
申请日：2011-03-31
申请人： ATS自動模具系統股份有限公司 , ATS AUTOMATION TOOLING SYSTEMS INC.
发明人：渥通傑哈R , WOOTTON, GERALD R.
IPC分类号： H01J7/24 , H01L31/12 , H01L31/153 , H05B37/02
CPC分类号： F21V29/60 , F21S8/006 , F21V7/04 , F21V7/048 , F21V13/04 , F21V29/51 , F21V29/74 , F21Y2103/33 , F21Y2105/10 , F21Y2105/12 , F21Y2107/90 , F21Y2115/10 , G01J1/08 , G02B19/0028 , G02B19/0066 , H01L33/644 , H01L33/648 , H05B33/0818 , H05B33/086 , Y02B20/347

6. 发明专利

TWI463689B 用於光互連之氧化鋅二極體失效
简体标题：用于光互连之氧化锌二极管
公开(公告)号：TWI463689B
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：TW097107015
申请日：2008-02-29
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：佛比斯李奧那多 , FORBES, LEONARD , 安凱Y. , AHN, KIE Y.
IPC分类号： H01L33/00 , H01L31/153
CPC分类号： G02B6/43 , B82Y20/00 , G02B6/102 , H01L33/20 , H01L33/28

7. 发明专利

TWI667802B 光學感測器及其製造方法有权
简体标题：光学传感器及其制造方法
公开(公告)号：TWI667802B
公开(公告)日：2019-08-01
申请号：TW107103976
申请日：2018-02-05
申请人：世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：曾漢良 , TSENG, HAN LIANG , 李新輝 , LEE, HSIN HUI
IPC分类号： H01L31/153 , H01L31/18

8. 发明专利

TWI650875B 積體化感測模組、積體化感測組件及其製造方法有权
简体标题：积体化传感模块、积体化传感组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI650875B
公开(公告)日：2019-02-11
申请号：TW106129899
申请日：2017-09-01
申请人：李美燕 , LEE, MEI YEN
发明人：吳憲明 , WU, HSIEN MING
IPC分类号： H01L31/153 , H01L31/0232 , H01L31/18

9. 发明专利

TWI505493B 光電半導體晶片及製造光電半導體晶片之方法有权
简体标题：光电半导体芯片及制造光电半导体芯片之方法
公开(公告)号：TWI505493B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：TW100128127
申请日：2011-08-08
申请人：歐司朗光電半導體公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：摩斯伯格喬根 , MOOSBURGER, JURGEN , 紐瑞斯爾克里斯多夫 , NEUREUTHER, CHRISTOPH , 凡馬蘭諾爾溫 , VON MALM, NORWIN
IPC分类号： H01L31/153 , H01L27/15
CPC分类号： H01L33/62 , H01L27/15 , H01L31/153 , H01L33/0079 , H01L33/382 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

10. 发明专利

TW201733150A 光電轉換裝置之製造方法审中-公开
简体标题：光电转换设备之制造方法
公开(公告)号：TW201733150A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105142018
申请日：2016-12-19
申请人：鐘化股份有限公司 , KANEKA CORPORATION
发明人：宇都俊彦 , UTO, TOSHIHIKO , 吉見雅士 , YOSHIMI, MASASHI
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/042 , H01L31/036 , H01L31/153
CPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/18 , Y02E10/50
摘要：本發明係於在導電型單晶矽基板(1)上依次具有本徵矽系薄膜(12)及導電型矽系薄膜(15)之結晶矽系太陽電池之製造中，於在導電型單晶矽基板上形成本徵矽系薄膜之後，一面向CVD腔室內導入氫氣及含矽氣體，一面進行使本徵矽系薄膜之表面暴露於氫電漿之電漿處理。電漿處理時之向CVD腔室內導入之氫導入量為含矽氣體導入量之150～2500倍。
简体摘要：本发明系于在导电型单晶硅基板(1)上依次具有本征硅系薄膜(12)及导电型硅系薄膜(15)之结晶硅系太阳电池之制造中，于在导电型单晶硅基板上形成本征硅系薄膜之后，一面向CVD腔室内导入氢气及含硅气体，一面进行使本征硅系薄膜之表面暴露于氢等离子之等离子处理。等离子处理时之向CVD腔室内导入之氢导入量为含硅气体导入量之150～2500倍。

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