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1. 发明专利

TWI640879B 半導體裝置、資訊處理系統、及資訊寫入／讀取方法有权
简体标题：半导体设备、信息处理系统、及信息写入／读取方法
公开(公告)号：TWI640879B
公开(公告)日：2018-11-11
申请号：TW105112474
申请日：2016-04-21
申请人：長瀬產業股份有限公司 , NAGASE & CO., LTD.
发明人：西澤正登 , NISHIZAWA, MASATO , 小林薰 , KOBAYASHI, KAORU , 大塚寛治 , OTSUKA, KANJI , 佐藤陽一 , SATO, YOICHI , 河內利之 , KOUCHI, TOSHIYUKI , 上井稔 , UWAI, MINORU
IPC分类号： G06F17/30 , G11C15/04

2. 发明专利

TWI616877B 記憶體機器有权
简体标题：内存机器
公开(公告)号：TWI616877B
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW105125881
申请日：2016-08-15
申请人：波可阿波可網路股份有限公司 , POCO-APOCO NETWORKS CO., LTD.
发明人：井上一成 , INOUE, KAZUNARI
IPC分类号： G11C15/04 , H04L12/70

3. 发明专利

TW201729194A 感測放大器電路审中-公开
简体标题：传感放大器电路
公开(公告)号：TW201729194A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105136588
申请日：2016-11-10
申请人：聯發科技股份有限公司 , MEDIATEK INC.
发明人：賴淑琳 , LAI, SHU LIN , 林書玄 , LIN, SHU HSUAN , 黃世煌 , HUANG, SHIH HUANG
IPC分类号： G11C15/04
CPC分类号： G11C15/04 , G11C7/067 , G11C2207/002
摘要：本發明提供一種感測放大器電路，包含：單端感測放大器；以及隔離開關，耦接在偏置節點與記憶體設備的第一線之間，接收單端感測放大器的輸出並選擇性隔離該偏置節點與該第一線，以回應該單端感測放大器的該輸出，其中該第一線耦接到該記憶體設備的多個記憶體單元。本發明所提出的感測放大器電路能夠大幅降低搜索操作時的電路功耗。
简体摘要：本发明提供一种传感放大器电路，包含：单端传感放大器；以及隔离开关，耦接在偏置节点与内存设备的第一线之间，接收单端传感放大器的输出并选择性隔离该偏置节点与该第一线，以回应该单端传感放大器的该输出，其中该第一线耦接到该内存设备的多个内存单元。本发明所提出的传感放大器电路能够大幅降低搜索操作时的电路功耗。

4. 发明专利

TWI462100B 關於具有浮體之記憶體單元之方法、裝置及系統有权
简体标题：关于具有浮体之内存单元之方法、设备及系统
公开(公告)号：TWI462100B
公开(公告)日：2014-11-21
申请号：TW099110797
申请日：2010-04-07
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：唐珊D , TANG, SANH D.
IPC分类号： G11C15/04
CPC分类号： H01L29/7841 , H01L27/108 , H01L27/10802

5. 发明专利

TW201432692A 利用反及快閃爲基的內容可定址記憶體之重複刪除系統及技術审中-公开
简体标题：利用反及快闪为基的内容可寻址内存之重复删除系统及技术
公开(公告)号：TW201432692A
公开(公告)日：2014-08-16
申请号：TW102140753
申请日：2013-11-08
申请人：桑迪士克科技公司 , SANDISK TECHNOLOGIES INC.
发明人：斯普勞斯史蒂芬T , SPROUSE, STEVEN T. , 李顏 , LI, YAN
IPC分类号： G11C15/04 , G11C16/04 , G06F17/30 , G06F3/06
摘要：一種基於反及快閃之內容可定址記憶體(CAM)被用於一索引鍵-值定址儲存磁碟機。該裝置可使用一標準傳輸協定，諸如PCI-E、SAS、SATA、eMMC、SCSI及等等。一主機將一索引鍵-值對寫入該磁碟機，其中該磁碟機沿著該磁碟機之一CAM反及部分之位元線寫入該等索引鍵並將該值儲存在該磁碟機中。該磁碟機隨後維持將該等索引鍵連結至該值之位置之一表格。在一讀取過程中，該主機提供一索引鍵至磁碟機，其隨後沿著儲存該等索引鍵之區塊之該等字線廣播。基於任意匹配的位元線，該等表格隨後可用於擷取及供應相應資料至該主機。此配置可應用於重複刪除：對於儲存在一主資料儲存區段中之資料集，相應資料索引鍵可被產生並儲存在搜尋反及中。隨後可比較非來自該系統外或內部產生之一所接收索引鍵與該搜尋反及。該系統可應用於線內及線外重複刪除兩者。
简体摘要：一种基于反及快闪之内容可寻址内存(CAM)被用于一索引键-值寻址存储磁盘机。该设备可使用一标准传输协定，诸如PCI-E、SAS、SATA、eMMC、SCSI及等等。一主机将一索引键-值对写入该磁盘机，其中该磁盘机沿着该磁盘机之一CAM反及部分之比特线写入该等索引键并将该值存储在该磁盘机中。该磁盘机随后维持将该等索引键链接至该值之位置之一表格。在一读取过程中，该主机提供一索引键至磁盘机，其随后沿着存储该等索引键之区块之该等字线广播。基于任意匹配的比特线，该等表格随后可用于截取及供应相应数据至该主机。此配置可应用于重复删除：对于存储在一主数据存储区段中之数据集，相应数据索引键可被产生并存储在搜索反及中。随后可比较非来自该系统外或内部产生之一所接收索引键与该搜索反及。该系统可应用于线内及线外重复删除两者。

6. 发明专利

TW201301285A 儲存裝置审中-公开
简体标题：存储设备
公开(公告)号：TW201301285A
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW101119960
申请日：2012-06-04
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：松林大介 , MATSUBAYASHI, DAISUKE
IPC分类号： G11C15/04
CPC分类号： G11C5/06 , G09B19/0038 , G11C5/025 , G11C7/18 , G11C15/04 , G11C15/046
摘要：本發明的一個方式的目的之一是縮小電路面積。一種儲存裝置，該儲存裝置包括藉由比較儲存在儲存單元中的第一資料和作為檢索資料的第二資料來判斷第一資料的內容的儲存單元，該儲存單元包括：藉由成為導通狀態來控制第一資料的寫入並藉由成為截止狀態來控制所述第一資料的保持的第一電晶體；源極和汲極中的一方的電位為第二資料的電位，且閘極的電位為第一資料的電位的第二電晶體；以及其導電型與第二電晶體的導電型相反，源極和汲極中的一方與第二電晶體的源極和汲極中的另一方電連接，且閘極的電位為第一資料的電位的第三電晶體。
简体摘要：本发明的一个方式的目的之一是缩小电路面积。一种存储设备，该存储设备包括借由比较存储在存储单元中的第一数据和作为检索数据的第二数据来判断第一数据的内容的存储单元，该存储单元包括：借由成为导通状态来控制第一数据的写入并借由成为截止状态来控制所述第一数据的保持的第一晶体管；源极和汲极中的一方的电位为第二数据的电位，且闸极的电位为第一数据的电位的第二晶体管；以及其导电型与第二晶体管的导电型相反，源极和汲极中的一方与第二晶体管的源极和汲极中的另一方电连接，且闸极的电位为第一数据的电位的第三晶体管。

7. 发明专利

TWI594238B 直接對ＬＺ７７引擎輸出之標記進行霍夫曼編碼程序之硬體資料壓縮器有权
简体标题：直接对ＬＺ７７发动机输出之标记进行霍夫曼编码进程之硬件数据压缩器
公开(公告)号：TWI594238B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105114409
申请日：2016-05-10
申请人：上海兆芯集成電路有限公司 , VIA ALLIANCE SEMICONDUCTOR CO., LTD.
发明人：亨利 G 葛蘭 , HENRY, G. GLENN , 派克斯泰瑞 , PARKS, TERRY
IPC分类号： G11C15/04 , H03M7/30 , H03M7/42
CPC分类号： H03M7/42 , G11C15/04 , H03M7/3086 , H03M7/40 , H03M7/4031 , H03M7/6058

8. 发明专利

TWI529717B 於半導體裝置中位址分配與驗證之方法及裝置有权
简体标题：于半导体设备中位址分配与验证之方法及设备
公开(公告)号：TWI529717B
公开(公告)日：2016-04-11
申请号：TW102127390
申请日：2006-01-27
申请人：賽普拉斯半導體公司 , CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：河端正藏 , KAWABATA, SHOZO , 柴田健二 , SHIBATA, KENJI , 古山孝昭 , FURUYAMA, TAKAAKI , 川本悟 , KAWAMOTO, SATORU
IPC分类号： G11C15/04
CPC分类号： G11C15/00

9. 发明专利

TWI497493B 利用相位改變裝置的高密度內容可定址記憶體有权
简体标题：利用相位改变设备的高密度内容可寻址内存
公开(公告)号：TWI497493B
公开(公告)日：2015-08-21
申请号：TW098121421
申请日：2009-06-25
申请人：萬國商業機器公司 , INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：賴中H , LAM, CHUNG H. , 拉珍德倫比賓 , RAJENDRAN, BIPIN
IPC分类号： G11C15/02 , G11C15/04
CPC分类号： G11C15/02 , G11C11/16 , G11C13/0004 , G11C15/04 , G11C15/046

10. 发明专利

TWI466120B 用於比較在ＳeＯＩ上之一內容可定址的記憶體之資料的裝置有权
简体标题：用于比较在ＳeＯＩ上之一内容可寻址的内存之数据的设备
公开(公告)号：TWI466120B
公开(公告)日：2014-12-21
申请号：TW099143142
申请日：2010-12-10
申请人：斯歐埃技術公司 , S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES
发明人：馬茲勒卡洛斯 , MAZURE, CARLOS , 費蘭特理查德 , FERRANT, RICHARD
IPC分类号： G11C15/04
CPC分类号： G11C15/046 , H04L45/7453

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