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1. 发明专利

TWI582784B 單端位線記憶體的具有動態參考電壓的差動傳感電路有权
简体标题：单端位线内存的具有动态参考电压的差动传感电路
公开(公告)号：TWI582784B
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：TW104124296
申请日：2015-07-27
申请人：聯發科技股份有限公司 , MEDIATEK INC.
发明人：黃世煌 , HUANG, SHIH HUANG , 黃睿夫 , HUANG, REI FU
IPC分类号： G11C7/06 , G11C16/26
CPC分类号： G11C7/12 , G11C7/062 , G11C7/08 , G11C7/14 , G11C7/22

2. 发明专利

TWI570718B 寫輔助電路和記憶單元有权
简体标题：写辅助电路和记忆单元
公开(公告)号：TWI570718B
公开(公告)日：2017-02-11
申请号：TW104127287
申请日：2015-08-21
申请人：聯發科技股份有限公司 , MEDIATEK INC.
发明人：黃世煌 , HUANG, SHIH HUANG
IPC分类号： G11C11/413
CPC分类号： G11C11/419

3. 发明专利

TW201626387A 寫輔助電路和記憶單元审中-公开
简体标题：写辅助电路和记忆单元
公开(公告)号：TW201626387A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW104127287
申请日：2015-08-21
申请人：聯發科技股份有限公司 , MEDIATEK INC.
发明人：黃世煌 , HUANG, SHIH HUANG
IPC分类号： G11C11/413
CPC分类号： G11C11/419
摘要：本發明提供了一種能夠使用位元線和位元線條將資料寫入記憶單元的寫輔助電路。該寫輔助電路包括箝位電路、第一感測放大器和第二感測放大器。箝位電路耦接至第一節點和第二節點，以使第一節點和第二節點的電壓不低於資料保持電壓。第一節點和第二節點分別由第一電壓源和第二電壓源提供。第一和第二感測放大器用於檢測位元線或位元線條的電壓，且對所述電壓進行放大，以及，根據所述資料，下拉第一節點和第二節點之一者的電壓而將第一節點和第二節點之另一者的電壓保持在電源供給電壓電平。相應地，本發明還提供了一種記憶單元。
简体摘要：本发明提供了一种能够使用比特线和比特线条将数据写入记忆单元的写辅助电路。该写辅助电路包括箝位电路、第一传感放大器和第二传感放大器。箝位电路耦接至第一节点和第二节点，以使第一节点和第二节点的电压不低于数据保持电压。第一节点和第二节点分别由第一电压源和第二电压源提供。第一和第二传感放大器用于检测比特线或比特线条的电压，且对所述电压进行放大，以及，根据所述数据，下拉第一节点和第二节点之一者的电压而将第一节点和第二节点之另一者的电压保持在电源供给电压电平。相应地，本发明还提供了一种记忆单元。

4. 发明专利

TWI486968B 記憶電路與字元線控制電路有权
简体标题：记忆电路与字符线控制电路
公开(公告)号：TWI486968B
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW101124169
申请日：2012-07-05
申请人：聯發科技股份有限公司 , MEDIATEK INC.
发明人：黃世煌 , HUANG, SHIH HUANG
IPC分类号： G11C8/08 , G11C11/40
CPC分类号： G11C7/12 , G11C5/148 , G11C7/20 , G11C8/08 , G11C11/418 , G11C2207/2227

5. 发明专利

TW201729194A 感測放大器電路审中-公开
简体标题：传感放大器电路
公开(公告)号：TW201729194A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105136588
申请日：2016-11-10
申请人：聯發科技股份有限公司 , MEDIATEK INC.
发明人：賴淑琳 , LAI, SHU LIN , 林書玄 , LIN, SHU HSUAN , 黃世煌 , HUANG, SHIH HUANG
IPC分类号： G11C15/04
CPC分类号： G11C15/04 , G11C7/067 , G11C2207/002
摘要：本發明提供一種感測放大器電路，包含：單端感測放大器；以及隔離開關，耦接在偏置節點與記憶體設備的第一線之間，接收單端感測放大器的輸出並選擇性隔離該偏置節點與該第一線，以回應該單端感測放大器的該輸出，其中該第一線耦接到該記憶體設備的多個記憶體單元。本發明所提出的感測放大器電路能夠大幅降低搜索操作時的電路功耗。
简体摘要：本发明提供一种传感放大器电路，包含：单端传感放大器；以及隔离开关，耦接在偏置节点与内存设备的第一线之间，接收单端传感放大器的输出并选择性隔离该偏置节点与该第一线，以回应该单端传感放大器的该输出，其中该第一线耦接到该内存设备的多个内存单元。本发明所提出的传感放大器电路能够大幅降低搜索操作时的电路功耗。

6. 发明专利

TW201624477A 單端位線記憶體的具有動態參考電壓的差動傳感電路审中-公开
简体标题：单端位线内存的具有动态参考电压的差动传感电路
公开(公告)号：TW201624477A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW104124296
申请日：2015-07-27
申请人：聯發科技股份有限公司 , MEDIATEK INC.
发明人：黃世煌 , HUANG, SHIH HUANG , 黃睿夫 , HUANG, REI FU
IPC分类号： G11C7/06 , G11C16/26
CPC分类号： G11C7/12 , G11C7/062 , G11C7/08 , G11C7/14 , G11C7/22
摘要：本發明提供了一種用於單端位線記憶體的具有動態參考電壓的差動傳感電路。典型的差動傳感電路包括：動態參考電壓生成單元和差動傳感放大單元。動態參考電壓生成單元耦接到輸入電壓上，並且用於接收設置信號以生成動態參考電壓。差動傳感放大單元耦接到單端位線記憶體和動態參考電壓生成單元上，並且用於接收至少一來自單端位線記憶體的輸入信號和來自動態參考電壓生成單元的動態參考電壓，從而相應地生成至少一輸出信號。本發明所公開的用動態參考電壓的差動傳感電路能夠提高性能並且降低動態功率，而無需接收直流電流且不需要單端位線記憶體的較大晶片面積，本發明適用於高速和低功率的設計。
简体摘要：本发明提供了一种用於单端位线内存的具有动态参考电压的差动传感电路。典型的差动传感电路包括：动态参考电压生成单元和差动传感放大单元。动态参考电压生成单元耦接到输入电压上，并且用于接收设置信号以生成动态参考电压。差动传感放大单元耦接到单端位线内存和动态参考电压生成单元上，并且用于接收至少一来自单端位线内存的输入信号和来自动态参考电压生成单元的动态参考电压，从而相应地生成至少一输出信号。本发明所公开的用动态参考电压的差动传感电路能够提高性能并且降低动态功率，而无需接收直流电流且不需要单端位线内存的较大芯片面积，本发明适用于高速和低功率的设计。

7. 发明专利

TWI497520B 記憶體輸出電路有权
简体标题：内存输出电路
公开(公告)号：TWI497520B
公开(公告)日：2015-08-21
申请号：TW101124170
申请日：2012-07-05
申请人：聯發科技股份有限公司 , MEDIATEK INC.
发明人：黃世煌 , HUANG, SHIH HUANG
IPC分类号： G11C7/00 , H03K19/0175
CPC分类号： G11C7/062 , G11C7/1048 , G11C7/1057 , G11C7/1069 , G11C7/12 , G11C7/18

8. 发明专利

TWI615843B 感測放大器電路有权
简体标题：传感放大器电路
公开(公告)号：TWI615843B
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：TW105136588
申请日：2016-11-10
申请人：聯發科技股份有限公司 , MEDIATEK INC.
发明人：賴淑琳 , LAI, SHU LIN , 林書玄 , LIN, SHU HSUAN , 黃世煌 , HUANG, SHIH HUANG
IPC分类号： G11C15/04
CPC分类号： G11C15/04 , G11C7/067 , G11C2207/002

9. 发明专利

TW201303889A 記憶電路與字元線控制電路审中-公开
简体标题：记忆电路与字符线控制电路
公开(公告)号：TW201303889A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：TW101124169
申请日：2012-07-05
申请人：聯發科技股份有限公司 , MEDIATEK INC.
发明人：黃世煌 , HUANG, SHIH HUANG
IPC分类号： G11C8/08 , G11C11/40
CPC分类号： G11C7/12 , G11C5/148 , G11C7/20 , G11C8/08 , G11C11/418 , G11C2207/2227
摘要：本發明提供一種記憶電路，包括一第一PMOS電晶體、一第二PMOS電晶體、一第一NMOS電晶體、一第二NMOS電晶體、以及一記憶單元陣列。該第一PMOS電晶體耦接於一第一電壓端與一第一節點之間。該第二PMOS電晶體耦接於該第一電壓端與一第二節點之間。該第一NMOS電晶體耦接於一第三節點與一第二電壓端之間。該第二NMOS電晶體耦接於一第四節點與一第二電壓端之間。該記憶單元陣列包括多個記憶單元，其中該等記憶單元之至少一個包含一第一反相器及一第二反相器，其中該第一反相器之一正電源端耦接至該第一節點，該第一反相器之一負電源端耦接至該第三節點，該第二反相器之一正電源端耦接至該第二節點，且該第二反相器之一負電源端耦接至該第四節點。
简体摘要：本发明提供一种记忆电路，包括一第一PMOS晶体管、一第二PMOS晶体管、一第一NMOS晶体管、一第二NMOS晶体管、以及一记忆单元数组。该第一PMOS晶体管耦接于一第一电压端与一第一节点之间。该第二PMOS晶体管耦接于该第一电压端与一第二节点之间。该第一NMOS晶体管耦接于一第三节点与一第二电压端之间。该第二NMOS晶体管耦接于一第四节点与一第二电压端之间。该记忆单元数组包括多个记忆单元，其中该等记忆单元之至少一个包含一第一反相器及一第二反相器，其中该第一反相器之一正电源端耦接至该第一节点，该第一反相器之一负电源端耦接至该第三节点，该第二反相器之一正电源端耦接至该第二节点，且该第二反相器之一负电源端耦接至该第四节点。

10. 发明专利

TW201303884A 記憶體輸出電路审中-公开
简体标题：内存输出电路
公开(公告)号：TW201303884A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：TW101124170
申请日：2012-07-05
申请人：聯發科技股份有限公司 , MEDIATEK INC.
发明人：黃世煌 , HUANG, SHIH HUANG
IPC分类号： G11C7/00 , H03K19/0175
CPC分类号： G11C7/062 , G11C7/1048 , G11C7/1057 , G11C7/1069 , G11C7/12 , G11C7/18
摘要：本發明提供一種記憶體輸出電路。於一實施例中，該記憶體輸出電路接收一記憶單元陣列所輸出的位元線資料及反位元線資料，包括一預充電電路、一前置放大器、以及一感測放大器。該預充電電路預充電一第一節點及一第一反節點，其中該位元線資料及該反位元線資料分別被輸出至該第一節點及該第一反節點。該前置放大器依據於該第一節點之一第一電壓及於該第一反節點之一第一反電壓分別於一第二節點及一第二反節點產生一第二電壓以及一第二反電壓。該感測放大器偵測於該第二節點之該第二電壓及於該第二反節點之該第二反電壓以分別於一第三節點及一第三反節點產生一第三電壓以及一第三反電壓。
简体摘要：本发明提供一种内存输出电路。于一实施例中，该内存输出电路接收一记忆单元数组所输出的比特线数据及反比特线数据，包括一预充电电路、一前置放大器、以及一传感放大器。该预充电电路预充电一第一节点及一第一反节点，其中该比特线数据及该反比特线数据分别被输出至该第一节点及该第一反节点。该前置放大器依据于该第一节点之一第一电压及于该第一反节点之一第一反电压分别于一第二节点及一第二反节点产生一第二电压以及一第二反电压。该传感放大器侦测于该第二节点之该第二电压及于该第二反节点之该第二反电压以分别于一第三节点及一第三反节点产生一第三电压以及一第三反电压。

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