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2. 发明专利

TW201015551A 使用相位改變裝置之高密度內容可定址記憶體 HIGH DENSITY CONTENT ADDRESSABLE MEMORY USING PHASE CHANGE DEVICES 审中-公开
简体标题：使用相位改变设备之高密度内容可寻址内存 HIGH DENSITY CONTENT ADDRESSABLE MEMORY USING PHASE CHANGE DEVICES
公开(公告)号：TW201015551A
公开(公告)日：2010-04-16
申请号：TW098121421
申请日：2009-06-25
申请人：萬國商業機器公司
发明人：賴中H , 拉珍德倫比賓
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C15/02 , G11C11/16 , G11C13/0004 , G11C15/04 , G11C15/046
摘要：在此揭露一種可將已儲存字元(stored word)儲存於記憶體元件中的內容可定址記憶體陣列。每個記憶體元件將至少二互補二進位位元其中之一儲存為至少二互補電阻值的其中之一。每個記憶體元件電性耦接至一存取裝置。內容可定址記憶體陣列的一態樣為在搜尋作業期間，利用偏壓電路以對存取裝置作偏壓。在搜尋作業期間，會接收到含有一位元串的搜尋字元。將每個存取裝置偏壓至搜尋字元中一相對應搜尋位元的互補電阻值。若儲存於記憶體元件中的位元和存取裝置中電阻值代表的位元互補時，則表示在搜尋字元與已儲存字元之間有一相符結果。
简体摘要：在此揭露一种可将已存储字符(stored word)存储于内存组件中的内容可寻址内存数组。每个内存组件将至少二互补二进制比特其中之一存储为至少二互补电阻值的其中之一。每个内存组件电性耦接至一存取设备。内容可寻址内存数组的一态样为在搜索作业期间，利用偏压电路以对存取设备作偏压。在搜索作业期间，会接收到含有一比特串的搜索字符。将每个存取设备偏压至搜索字符中一相对应搜索比特的互补电阻值。若存储于内存组件中的比特和存取设备中电阻值代表的比特互补时，则表示在搜索字符与已存储字符之间有一相符结果。

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