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    • 6. 发明专利
    • 磁性儲存單元及其製備方法
    • 磁性存储单元及其制备方法
    • TW201401276A
    • 2014-01-01
    • TW101122827
    • 2012-06-26
    • 錸鑽科技股份有限公司RITEDIA CORPORATION
    • 宋健民SUNG, CHIEN MIN林逸樵LIN, I CHIAO林弘正LIN, HUNG CHENG
    • G11B5/62G11B5/84C01B31/04C08J3/00
    • 本發明提供一種磁性儲存單元及其製備方法,包括:(A)提供一暫時基材,係具有一表面,而一碳溶劑層於形成表面上;(B)藉由一碳源形成一石墨烯層於碳溶劑層上,石墨烯層係包括一第一表面及一相對於第一表面之第二表面,而石墨烯層之第一表面接抵於碳溶劑層;(C)提供一基板,並於基板之表面上形成一黏著層,且黏著層附著石墨烯層之第二表面後,從石墨烯層之第一表面上移除暫時基板及碳溶劑層;以及(D)藉由雷射鑽孔加工於石墨烯層之第一表面,使得複數個孔洞形成於石墨烯層之第一表面上。因此,本發明提供了一種具有高磁區密度之磁性儲存單元。
    • 本发明提供一种磁性存储单元及其制备方法,包括:(A)提供一暂时基材,系具有一表面,而一碳溶剂层于形成表面上;(B)借由一碳源形成一石墨烯层于碳溶剂层上,石墨烯层系包括一第一表面及一相对于第一表面之第二表面,而石墨烯层之第一表面接抵于碳溶剂层;(C)提供一基板,并于基板之表面上形成一黏着层,且黏着层附着石墨烯层之第二表面后,从石墨烯层之第一表面上移除暂时基板及碳溶剂层;以及(D)借由激光钻孔加工于石墨烯层之第一表面,使得复数个孔洞形成于石墨烯层之第一表面上。因此,本发明提供了一种具有高磁区密度之磁性存储单元。