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2. 发明专利

TW201335434A 用於直接金屬噴敷之低蝕刻方法审中-公开
简体标题：用于直接金属喷敷之低蚀刻方法
公开(公告)号：TW201335434A
公开(公告)日：2013-09-01
申请号：TW102100179
申请日：2013-01-04
申请人：麥克達米德尖端股份有限公司 , MACDERMID ACUMEN, INC.
发明人：范凱昇 , FENG, KESHENG , 納伯瓊 , NABLE, JUN , 麥卡赫提亞當 , MCCAHERTY, ADAM
IPC分类号： C23F3/06 , C23F1/14
CPC分类号： C25D5/34 , C23G1/103 , C25D7/123
摘要：一種用以增加所處理的銅表面之清潔力的水性處理液包含：a)一種選自由有機酸類、醇類、酮類、腈類、及以上之一種或以上的組合所組成的群組之有機化合物；以及b)一種氧化劑。該水性處理液可用於將具有金屬及非金屬區域之印刷線路板基板內的孔壁進行金屬噴敷之方法，其中將該印刷線路板以還原劑處理，然後以碳質粒子之水性分散液接觸而在基板上形成該分散液之塗層。該方法的步驟包含將印刷線路板基板的金屬區域以該水性處理液接觸而將沉積的碳質粒子從其移除。該水性處理液以低微蝕刻速率提供乾淨的銅表面。
简体摘要：一种用以增加所处理的铜表面之清洁力的水性处理液包含：a)一种选自由有机酸类、醇类、酮类、腈类、及以上之一种或以上的组合所组成的群组之有机化合物；以及b)一种氧化剂。该水性处理液可用于将具有金属及非金属区域之印刷线路板基板内的孔壁进行金属喷敷之方法，其中将该印刷线路板以还原剂处理，然后以碳质粒子之水性分散液接触而在基板上形成该分散液之涂层。该方法的步骤包含将印刷线路板基板的金属区域以该水性处理液接触而将沉积的碳质粒子从其移除。该水性处理液以低微蚀刻速率提供干净的铜表面。

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