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1. 发明专利

TW202007706A 低黏度聚酯多元醇的製法审中-公开
简体标题：低黏度聚酯多元醇的制法
公开(公告)号：TW202007706A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW107126961
申请日：2018-08-02
申请人：遠東新世紀股份有限公司
发明人：黃德仁 , HWANG, DER-REN , 王正廷 , WANG, CHENG-TING , 張雅媖 , CHANG, YA-YING , 簡君潔 , CHIEN, CHUN-CHIEH
IPC分类号： C08G63/181 , C08K3/105 , C08K3/01 , C08G18/42
摘要：一種低黏度聚酯多元醇的製法，包含以下步驟：將一種芳族二酸系化合物、一種含有鹼金屬離子的化合物及一種脂族二醇進行混合，得到一混合物；及使該混合物進行反應，其中，基於該混合物的總重為100%，該含有鹼金屬離子的化合物的鹼金屬離子含量範圍為10~12000 ppm。本發明製法透過於混合物中加入該含有鹼金屬離子的化合物，之後再讓該混合物進行反應，而能有效控制該芳族二酸系化合物與該脂族二醇的反應，並進而能獲得滿足後續應用的低黏度聚酯多元醇。
简体摘要：一种低黏度聚酯多元醇的制法，包含以下步骤：将一种芳族二酸系化合物、一种含有碱金属离子的化合物及一种脂族二醇进行混合，得到一混合物；及使该混合物进行反应，其中，基于该混合物的总重为100%，该含有碱金属离子的化合物的碱金属离子含量范围为10~12000 ppm。本发明制法透过于混合物中加入该含有碱金属离子的化合物，之后再让该混合物进行反应，而能有效控制该芳族二酸系化合物与该脂族二醇的反应，并进而能获得满足后续应用的低黏度聚酯多元醇。

2. 发明专利

TW201910429A 樹脂組成物、硬化物、單層樹脂片、疊層樹脂片、預浸體、覆金屬箔疊層板、印刷電路板、密封用材料、纖維強化複合材料及黏著劑审中-公开
简体标题：树脂组成物、硬化物、单层树脂片、叠层树脂片、预浸体、覆金属箔叠层板、印刷电路板、密封用材料、纤维强化复合材料及黏着剂
公开(公告)号：TW201910429A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW107126256
申请日：2018-07-30
申请人：日商三菱瓦斯化學股份有限公司 , MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
发明人：中西講平 , NAKANISHI, KOUHEI , 片桐俊介 , KATAGIRI, SYUNSUKE , 染谷昌男 , SOMEYA, MASAO
IPC分类号： C08L79/04 , C08K3/01 , C08J5/18 , B32B27/00 , C08J5/24 , B32B15/08 , H05K1/03 , C09K3/10 , C08J5/04 , C09J179/04 , C09J11/04
摘要：一種樹脂組成物，含有：下式(1)表示之氰酸酯化合物、及熱傳導率為3W/(m･K)以上之填充材。 [化1]式(1)中，Ar1及Ar3各為相同或相異且表示下式(2)表示之2價基，Ar2表示下式(3)或(4)表示之2價基。 [化2][化3][化4]式(2)、式(3)及式(4)中，R1及R2表示1價取代基，各自獨立地表示氫原子、碳數1~6之直鏈狀或分枝狀之烷基、或鹵素原子。n表示1~4之整數，m表示1~8之整數。
简体摘要：一种树脂组成物，含有：下式(1)表示之氰酸酯化合物、及热传导率为3W/(m･K)以上之填充材。 [化1]式(1)中，Ar1及Ar3各为相同或相异且表示下式(2)表示之2价基，Ar2表示下式(3)或(4)表示之2价基。 [化2][化3][化4]式(2)、式(3)及式(4)中，R1及R2表示1价取代基，各自独立地表示氢原子、碳数1~6之直链状或分枝状之烷基、或卤素原子。n表示1~4之整数，m表示1~8之整数。

3. 发明专利

TW202023073A 半導體元件审中-公开
简体标题：半导体组件
公开(公告)号：TW202023073A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW108130643
申请日：2019-08-27
申请人：日商琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：森田亘 , MORITA, WATARU , 加藤邦久 , KATO, KUNIHISA , 武藤豪志 , MUTO, TSUYOSHI , 勝田祐馬 , KATSUTA, YUMA
IPC分类号： H01L35/16 , H01L35/32 , C08K3/01 , C08L101/00
摘要：一種半導體元件，其在將半導體元件使用作為熱電轉換元件時，提供具有優異熱電性能之具備剖面形狀經控制的熱電元件層之熱電轉換元件，且為在基板上包括由半導體組合物構成的半導體元件層的半導體元件，上述半導體組合物包括半導體材料，並且，在將包括上述半導體元件層的中央部的縱剖面的面積設為S（μm2）、縱剖面的厚度方向的厚度的最大值設為Dmax（μm）、縱剖面的寬度方向的長度的最大值設為Xmax（μm）時，上述半導體元件層的上述縱剖面滿足以下的條件（A）及（B）：（A）0.75≦S／（Dmax×Xmax）≦1.00 （B）Dmax≧10μm或（Dmax／Xmax）≧0.03。
简体摘要：一种半导体组件，其在将半导体组件使用作为热电转换组件时，提供具有优异热电性能之具备剖面形状经控制的热电组件层之热电转换组件，且为在基板上包括由半导体组合物构成的半导体组件层的半导体组件，上述半导体组合物包括半导体材料，并且，在将包括上述半导体组件层的中央部的纵剖面的面积设为S（μm2）、纵剖面的厚度方向的厚度的最大值设为Dmax（μm）、纵剖面的宽度方向的长度的最大值设为Xmax（μm）时，上述半导体组件层的上述纵剖面满足以下的条件（A）及（B）：（A）0.75≦S／（Dmax×Xmax）≦1.00 （B）Dmax≧10μm或（Dmax／Xmax）≧0.03。

4. 发明专利

TW201840415A 阻氣性薄膜及密封體审中-公开
简体标题：阻气性薄膜及密封体
公开(公告)号：TW201840415A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107110057
申请日：2018-03-23
申请人：日商琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：永縄智史 , NAGANAWA, SATOSHI , 西嶋健太 , NISHIJIMA, KENTA , 大橋健寛 , OHASHI, TAKEHIRO , 泉達矢 , IZUMI, TATSUYA
IPC分类号： B32B9/00 , C09J163/08 , B32B27/00 , C08K3/01 , C09J7/35 , C09J201/00 , H01L51/56
摘要：本發明之阻氣性薄膜係具有以剝離薄片、基底層、阻氣層及接著劑層順序層合而成之層合體之阻氣性薄膜，前述接著劑層係由含有聚烯烴系樹脂(A)及熱硬化性成分(B)之接著劑組成物所形成之層。
简体摘要：本发明之阻气性薄膜系具有以剥离薄片、基底层、阻气层及接着剂层顺序层合而成之层合体之阻气性薄膜，前述接着剂层系由含有聚烯烃系树脂(A)及热硬化性成分(B)之接着剂组成物所形成之层。

5. 实用新型

TWM596230U 具有耐高溫和抗菌的塑膠母粒有权
简体标题：具有耐高温和抗菌的塑胶母粒
公开(公告)号：TWM596230U
公开(公告)日：2020-06-01
申请号：TW108217437
申请日：2019-12-30
申请人：連宗興
发明人：連宗興 , 佐佐木正人
IPC分类号： C08K3/01 , C08K9/06 , C08K3/22

6. 发明专利

TW202018009A 高耐熱尺寸安定之射出材料及其應用审中-公开
简体标题：高耐热尺寸安定之射出材料及其应用
公开(公告)号：TW202018009A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW107139656
申请日：2018-11-08
申请人：台灣勁合有限公司 , TAIWAN CHEMWELL INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：陳信宏 , CHEN, HSIN-HUNG
IPC分类号： C08L67/00 , C08L63/00 , C08L71/12 , C08K3/01 , B29C45/00
摘要：一種高耐熱尺寸安定之射出材料，其包含：一液晶高分子；一擴鏈劑，該擴鏈劑為包含環氧官能基之高分子；以及一尺寸安定劑，該尺寸安定劑為無機粉體或纖維；本發明利用該擴鏈劑的具可反應官能基分子進行該液晶高分子的接枝及干擾，以破壞其結晶排列，降低其結晶速度跟結晶程度，改善材料快速結晶所導致的射出機射孔塞嘴、材料溢流問題；再另外在配方中導入纖維或填料以提高其耐熱性，以提高耐用次數及使用溫度，同時降低材料的熱膨脹係數，使材料在冷熱循環環境使用時，具有低熱膨脹係數的特性，延長使用壽命。
简体摘要：一种高耐热尺寸安定之射出材料，其包含：一液晶高分子；一扩链剂，该扩链剂为包含环氧官能基之高分子；以及一尺寸安定剂，该尺寸安定剂为无机粉体或纤维；本发明利用该扩链剂的具可反应官能基分子进行该液晶高分子的接枝及干扰，以破坏其结晶排列，降低其结晶速度跟结晶程度，改善材料快速结晶所导致的射出机射孔塞嘴、材料溢流问题；再另外在配方中导入纤维或填料以提高其耐热性，以提高耐用次数及使用温度，同时降低材料的热膨胀系数，使材料在冷热循环环境使用时，具有低热膨胀系数的特性，延长使用寿命。

7. 发明专利

TW201910484A 用於奈米晶體混合物之ＵＶ可固化丙烯酸酯組成物审中-公开
简体标题：用于奈米晶体混合物之ＵＶ可固化丙烯酸酯组成物
公开(公告)号：TW201910484A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW107123735
申请日：2018-07-09
申请人：德商漢高智慧財產控股公司 , HENKEL IP & HOLDING GMBH
发明人：曹荔蓉 , CHAO, LIRONG , 查潘金提姆姆 , CHAMPAGNE, TIM M
IPC分类号： C09K11/02 , C08L33/14 , C08L33/06 , C08K3/01 , C08K5/5397 , C08K5/07 , C08K3/30 , C09K11/08 , B82Y20/00
摘要：本發明係有關於一種奈米晶體組成物，其包括複數個奈米晶體，該等奈米晶體包括一包括一金屬或一半導電化合物或其混合物之核及至少一配位子，其中，該核被至少一配位子所包圍，以及一聚合基材，其中，該聚合基材係由一或多個經化學官能基化之甲基丙烯酸酯寡聚體與一或多個甲基丙烯酸酯單體聚合而成，其中，該等奈米晶體被嵌入該聚合基材。
简体摘要：本发明系有关于一种奈米晶体组成物，其包括复数个奈米晶体，该等奈米晶体包括一包括一金属或一半导电化合物或其混合物之核及至少一配位子，其中，该核被至少一配位子所包围，以及一聚合基材，其中，该聚合基材系由一或多个经化学官能基化之甲基丙烯酸酯寡聚体与一或多个甲基丙烯酸酯单体聚合而成，其中，该等奈米晶体被嵌入该聚合基材。

8. 发明专利

TW202003680A 硬化性組成物、半導體元件保護用材料、及半導體裝置审中-公开
简体标题：硬化性组成物、半导体组件保护用材料、及半导体设备
公开(公告)号：TW202003680A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108116153
申请日：2019-05-10
申请人：日商積水化學工業股份有限公司 , SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.
发明人：西村貴史 , NISHIMURA, TAKASHI , 中村秀 , NAKAMURA, SHIGERU , 小林祐輔 , KOBAYASHI, YUUSUKE
IPC分类号： C08L63/00 , C08G59/20 , C08G59/50 , C08G59/62 , C08K3/01 , C08K3/14 , C08K3/22 , C08K3/34 , H01L23/29 , H01L23/31
摘要：本發明係一種硬化性組成物，其含有：環氧化合物（A）、於23℃為液狀之硬化劑（B）、導熱率為10 W／m•K以上且為球狀之無機填料（C）及離子交換體（X），上述離子交換體（X）由鋯系陽離子交換體及鉍系陰離子交換體構成。根據本發明，可提供一種散熱性、絕緣可靠性及塗佈性優異之硬化性組成物。
简体摘要：本发明系一种硬化性组成物，其含有：环氧化合物（A）、于23℃为液状之硬化剂（B）、导热率为10 W／m•K以上且为球状之无机填料（C）及离子交换体（X），上述离子交换体（X）由锆系阳离子交换体及铋系阴离子交换体构成。根据本发明，可提供一种散热性、绝缘可靠性及涂布性优异之硬化性组成物。

9. 发明专利

TWI670291B 低黏度聚酯多元醇的製法有权
简体标题：低黏度聚酯多元醇的制法
公开(公告)号：TWI670291B
公开(公告)日：2019-09-01
申请号：TW107126961
申请日：2018-08-02
申请人：遠東新世紀股份有限公司
发明人：黃德仁 , HWANG, DER-REN , 王正廷 , WANG, CHENG-TING , 張雅媖 , CHANG, YA-YING , 簡君潔 , CHIEN, CHUN-CHIEH
IPC分类号： C08G63/181 , C08K3/105 , C08K3/01 , C08G18/42

10. 发明专利

TW201841827A 無結晶水Ｆｅ（ＩＩ）化合物作為輻射吸收劑的用途审中-公开
简体标题：无结晶水Ｆｅ（ＩＩ）化合物作为辐射吸收剂的用途
公开(公告)号：TW201841827A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107107639
申请日：2018-03-07
申请人：德商坎斯菲立克布登漢兩合公司 , CHEMISCHE FABRIK BUDENHEIM KG
发明人：威森柏斯基魯迪格 , WISSEMBORSKI, RUEDIGER , 利特沙伊德克里斯汀 , LITTERSCHEID, CHRISTIAN , 史尼雷納 , SCHNEE, RAINER , 維爾斯帕本布瑞法蘭西斯卡 , WELSCH-PAPENBREER, FRANZISKA , 阿道夫喬辛 , ADOLF, JOACHIM
IPC分类号： C01B25/37 , C01B25/45 , C01B25/42 , C01B25/44 , C07F9/38 , C08K3/01 , C08K3/32 , C08K5/5317 , C09K3/00
摘要：本發明是關於通式Fe3(PO4)2之無結晶水正磷酸鐵(II)或通式FeaMetb(POc)d之無結晶水正磷酸鐵(II)金屬、膦酸鐵(II)金屬、焦磷酸鐵(II)金屬或偏磷酸鐵(II)金屬，其中a是從1至5的數字，b為從＞0至5的數字，c是從2.5至5的數字，d是從0.5至3的數字以及Met代表選自由Li、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、過渡金屬(d嵌段)，特別是Sc、Y、La、Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Cu、Zn、Co、Ni、Ag、Au、第三、第四和第五主族的金屬與半金屬，特別是B、Al、Ga、In、Si、Sn、Sb、Bi和鑭系元素所組成群組的一或多種金屬，或上述磷酸鹽的組合，作為電磁輻射的吸收劑，該吸收劑精細地分佈或溶解在載體材料中。
简体摘要：本发明是关于通式Fe3(PO4)2之无结晶水正磷酸铁(II)或通式FeaMetb(POc)d之无结晶水正磷酸铁(II)金属、膦酸铁(II)金属、焦磷酸铁(II)金属或偏磷酸铁(II)金属，其中a是从1至5的数字，b为从＞0至5的数字，c是从2.5至5的数字，d是从0.5至3的数字以及Met代表选自由Li、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、过渡金属(d嵌段)，特别是Sc、Y、La、Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Cu、Zn、Co、Ni、Ag、Au、第三、第四和第五主族的金属与半金属，特别是B、Al、Ga、In、Si、Sn、Sb、Bi和镧系元素所组成群组的一或多种金属，或上述磷酸盐的组合，作为电磁辐射的吸收剂，该吸收剂精细地分布或溶解在载体材料中。

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