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1. 发明专利

TW201502027A 具有子片層之內密封件审中-公开
简体标题：具有子片层之内密封件
公开(公告)号：TW201502027A
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：TW103108984
申请日：2014-03-13
申请人：塞利格密封產品公司 , SELIG SEALING PRODUCTS, INC.
发明人：托爾斯坦森沃爾羅伯特威廉 , THORSTENSEN-WOLL, ROBERT WILLIAM
IPC分类号： B65D53/08
CPC分类号： B65D17/501 , B65D17/50 , B65D43/02 , B65D51/005 , B65D51/20 , B65D2251/0009 , B65D2251/0015 , B65D2251/0018 , B65D2251/0028 , B65D2251/0071 , B65D2251/009 , B65D2251/0093 , B65D2517/0013 , B65D2517/0082 , B65D2577/2058 , Y10T428/12486 , Y10T428/1486
摘要：本發明涉及一種用於容器的拉片式密封件，其包括上層壓片，該上層壓片形成結合於下層壓片的拉片，下層壓片能被熱封於容器的嘴部或開口。上層壓片限定了整體位於封件周緣或周邊內的拉片。密封件進一步包括位於抓持片下部的用於結構支撑的子片層或部件。
简体摘要：本发明涉及一种用于容器的拉片式密封件，其包括上层压片，该上层压片形成结合于下层压片的拉片，下层压片能被热封于容器的嘴部或开口。上层压片限定了整体位于封件周缘或周边内的拉片。密封件进一步包括位于抓持片下部的用于结构支撑的子片层或部件。

2. 发明专利

TW200532141A 合金包覆鍋爐構件及自熔合金包覆鍋爐構件之熔接施工方法 ALLOY-PLATED BOILER COMPONENT AND WELDING EAECUTION METHOD OF AUTOGENOUS WELDING ALLOY-PLATED BOILER COMPONENT 审中-公开
简体标题：合金包覆锅炉构件及自熔合金包覆锅炉构件之熔接施工方法 ALLOY-PLATED BOILER COMPONENT AND WELDING EAECUTION METHOD OF AUTOGENOUS WELDING ALLOY-PLATED BOILER COMPONENT
公开(公告)号：TW200532141A
公开(公告)日：2005-10-01
申请号：TW093117024
申请日：2004-06-14
申请人：第一高周波工業股份有限公司 DAI-ICHI HIGH FREQUENCY CO., LTD. , 殷德實業有限公司 FLOURSHING ENTERPRISE CO., LTD.
发明人：松原洋一 MATSUBARA, YOUICHI , 曾地義信 SOCHI, YOSHINOBU , 熊川誠 KUMAGAWA, MAKOTO , 李信南 LEE, SHIN NAN
IPC分类号： F22B
CPC分类号： F22B37/108 , B23K9/04 , B23K9/235 , B23K35/304 , B23K2201/12 , F22B37/04 , Y10T428/12486 , Y10T428/12493 , Y10T428/12937 , Y10T428/12944 , Y10T428/12965
摘要：本發明的目的在於提供一種可於需保護部的全部區域上施加具備優良的耐侵蝕／熔蝕性的合金材料的熔著包覆，且即使進行熔接連接亦不會產生因熱衝擊而造成破裂的合金包覆鍋爐構件。本發明的解決手段為，位於用在熔接連接的端部且包含該端部附近，而於進行熔接作業之際可能產生熱衝擊而造成破裂的急速升溫區域C上，施加超合金包覆(15)，另一方面，於急速升溫區域C以外的其餘區域上，施加自熔合金包覆(16)。合金包覆(15、16)均具有過半量的富含Ni的Ni–Cr，但是在超合金包覆(15)當中，B、Si的含量各控制在0.1％以下及0.5％以下，於自熔合金包覆(16)當中，B、Si的含量各為1至5％。
简体摘要：本发明的目的在于提供一种可于需保护部的全部区域上施加具备优良的耐侵蚀／熔蚀性的合金材料的熔着包覆，且即使进行熔接连接亦不会产生因热冲击而造成破裂的合金包覆锅炉构件。本发明的解决手段为，位于用在熔接连接的端部且包含该端部附近，而于进行熔接作业之际可能产生热冲击而造成破裂的急速升温区域C上，施加超合金包覆(15)，另一方面，于急速升温区域C以外的其余区域上，施加自熔合金包覆(16)。合金包覆(15、16)均具有过半量的富含Ni的Ni–Cr，但是在超合金包覆(15)当中，B、Si的含量各控制在0.1％以下及0.5％以下，于自熔合金包覆(16)当中，B、Si的含量各为1至5％。

3. 发明专利

TWI227282B 已分散超微粒鑽石粒子之金屬薄膜層、具有該薄膜層之金屬材料及該等的製造方法 A METAL THIN FILM DISPERSING A SUPER-FINE DIAMOND PARTICLES, A METAL MATERIAL HAVING THE METAL THIN FILM, AND A METHOD FOR PREPARING THE SAME 有权
简体标题：已分散超微粒钻石粒子之金属薄膜层、具有该薄膜层之金属材料及该等的制造方法 A METAL THIN FILM DISPERSING A SUPER-FINE DIAMOND PARTICLES, A METAL MATERIAL HAVING THE METAL THIN FILM, AND A METHOD FOR PREPARING THE SAME
公开(公告)号：TWI227282B
公开(公告)日：2005-02-01
申请号：TW092116027
申请日：2003-06-12
申请人：藤村忠正 FUJIMURA TADAMASA
发明人：鹽崎茂 SHIOZAKI SHIGERU , 曾根正人 SONE MASATO , 吉田英夫 YOSHIDA HIDEO , 左近清人 SAKON KIYOHITO , 藤村忠正 FUJIMURA TADAMASA
IPC分类号： C23C , C01B
CPC分类号： C25D15/02 , Y10T428/12486
摘要：提供在薄膜層中以高濃度的均勻分散鑽石微粒子且硬度優越的鑽石微粒子-金屬共析膜，又採用電鍍浴，利用電鍍法，可達成所謂能提供製作出鑽石微粒子-金屬共析膜之經予改善的方法。
一種金屬薄膜層，係已分散鑽石粒子於層中的金屬薄膜層，其特徵在於：
(i)該金屬薄膜層係層厚5nm(0.005μm)至3500nm(35.0μm)，
(ii)該鑽石粒子係沿前述金屬薄膜層之層厚方向的各水平約略均勻分散，
(iii)該金屬薄膜層中的該鑽石粒子之含有率為1至12%，
(iv)該鑽石粒子係其粒徑分布在換算成等價圓時，粒徑在16nm以下的粒子之數量平均存在率為50%以上，
(v)粒徑超過50nm之粒子的數量平均存在率為實質上0%，
(vi)粒徑未滿2nm之粒子的數量平均存在率為實質上0%。
简体摘要：提供在薄膜层中以高浓度的均匀分散钻石微粒子且硬度优越的钻石微粒子-金属共析膜，又采用电镀浴，利用电镀法，可达成所谓能提供制作出钻石微粒子-金属共析膜之经予改善的方法。一种金属薄膜层，系已分散钻石粒子于层中的金属薄膜层，其特征在于： (i)该金属薄膜层系层厚5nm(0.005μm)至3500nm(35.0μm)， (ii)该钻石粒子系沿前述金属薄膜层之层厚方向的各水平约略均匀分散， (iii)该金属薄膜层中的该钻石粒子之含有率为1至12%， (iv)该钻石粒子系其粒径分布在换算成等价圆时，粒径在16nm以下的粒子之数量平均存在率为50%以上， (v)粒径超过50nm之粒子的数量平均存在率为实质上0%， (vi)粒径未满2nm之粒子的数量平均存在率为实质上0%。

4. 发明专利

TW235290B 陶瓷的微球粒失效
公开(公告)号：TW235290B
公开(公告)日：1994-12-01
申请号：TW080101056
申请日：1991-02-09
申请人：柯瑪爾克鋁有限公司
发明人：列斯利C.安渥斯 , 查托夫J.希柯克 , 瑞摩W.蕭
IPC分类号： C04B
CPC分类号： C04B35/18 , C04B35/111 , C09K8/80 , E21B43/267 , Y10T428/12486
摘要：具有平均粒徑為0.01～0.3微米之超細鋁礬土燒成的微球，其粒徑不超過30微米，特色是實質上為一固體型態，用比重計測得其密度大致介於3.2～3.9g/㎝3，BET表面積大致介於0.05～0.5㎡/g，且形成的晶粒不超過４微米；此外，改善了微球粒的表面化學特性使其溼潤性提高，並使其與所用之基質材料能更緊密結合。
简体摘要：具有平均粒径为0.01～0.3微米之超细铝矾土烧成的微球，其粒径不超过30微米，特色是实质上为一固体型态，用比重计测得其密度大致介于3.2～3.9g/㎝3，BET表面积大致介于0.05～0.5㎡/g，且形成的晶粒不超过４微米；此外，改善了微球粒的表面化学特性使其湿润性提高，并使其与所用之基质材料能更紧密结合。

5. 发明专利

TW209880B 金屬基質複合物及其製法失效
简体标题：金属基质复合物及其制法
公开(公告)号：TW209880B
公开(公告)日：1993-07-21
申请号：TW077103118
申请日：1988-05-12
申请人：藍賽德科技公司
发明人：丹尼.R.懷特 , 安德魯.W.烏爾喀特 , 戴夫.K.葛禮伯 , 邁克爾.K.埃格哈傑寧
IPC分类号： C22C , C04B
CPC分类号： C22C29/00 , B22F2998/00 , B22F2999/00 , C22C1/1036 , C22C32/00 , C22C47/08 , C22C49/14 , C22C2001/1063 , Y10T428/12007 , Y10T428/12486 , C22C47/04 , B22F2201/02
摘要：一種陶瓷加強鋁基質複合物係在有一種包含大約10-100%氮 (以容積計) 其餘為非氧化氣體例如氫或氬之氣體存在時，使一種熔融之鋁鎂合金與一可滲透之陶瓷材料塊接觸所形成。在此等狀況下，熔融鋁在正常大氣壓力下自然滲入陶瓷塊。一鋁實心體可置於靠近一可滲透之陶瓷材料床墊，並使其成熔融狀態，較佳為至少約攝氏 700 度，俾藉滲入而形成鋁基質複合物。除了鎂以外，可配合鋁採用輔助性摻雜元素。所成之複合物製品在鋁基質及 (或) 氮化鋁外表面層上可含有一種間斷氮化鋁相。
简体摘要：一种陶瓷加强铝基质复合物系在有一种包含大约10-100%氮 (以容积计) 其余为非氧化气体例如氢或氩之气体存在时，使一种熔融之铝镁合金与一可渗透之陶瓷材料块接触所形成。在此等状况下，熔融铝在正常大气压力下自然渗入陶瓷块。一铝实心体可置于靠近一可渗透之陶瓷材料床垫，并使其成熔融状态，较佳为至少约摄氏 700 度，俾藉渗入而形成铝基质复合物。除了镁以外，可配合铝采用辅助性掺杂元素。所成之复合物制品在铝基质及 (或) 氮化铝外表面层上可含有一种间断氮化铝相。

6. 发明专利

TWI598221B 配線基板之製造方法及支持件有权
简体标题：配线基板之制造方法及支持件
公开(公告)号：TWI598221B
公开(公告)日：2017-09-11
申请号：TW101145579
申请日：2012-12-05
申请人：新光電氣工業股份有限公司 , SHINKO ELECTRIC INDUSTRIES CO., LTD.
发明人：金子健太郎 , KANEKO, KENTARO , 小林和弘 , KOBAYASHI, KAZUHIRO
IPC分类号： B32B15/04 , B32B3/02 , B32B38/10
CPC分类号： B32B38/10 , B32B3/02 , B32B5/26 , B32B7/06 , B32B15/04 , B32B15/043 , B32B15/14 , B32B2260/023 , B32B2305/076 , B32B2311/00 , B32B2457/08 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H05K3/0097 , H05K3/4682 , H05K2203/1536 , Y10T428/12486 , H01L2924/00

7. 发明专利

TW200616725A 包層合金底質及其製法 CLAD ALLOY SUBSTRATES AND METHOD FOR MAKING SAME 审中-公开
简体标题：包层合金底质及其制法 CLAD ALLOY SUBSTRATES AND METHOD FOR MAKING SAME
公开(公告)号：TW200616725A
公开(公告)日：2006-06-01
申请号：TW094119446
申请日：2005-06-09
申请人：艾帝產業公司 ATI PROPERTIES, INC.
发明人：大衛柏 BERGSTROM, DAVID S. , 克里斯蕭 SCHOTT, KRIS J. , 馬克塔 TARHAY, MARK A.
IPC分类号： B21D
CPC分类号： B23P11/00 , B23K20/04 , B23K20/227 , B23K33/00 , B23K2203/16 , B23K2203/172 , Y10S29/904 , Y10T29/49366 , Y10T29/49908 , Y10T29/49924 , Y10T29/49936 , Y10T428/12264 , Y10T428/12486 , Y10T428/12493 , Y10T428/12507 , Y10T428/12937 , Y10T428/12944 , Y10T428/12951
摘要：一種生產單包層或多包層產品之方法，包括提供一包含一包層用材置於一底材上之熔接總成。底材及包層用材二者均為個別選出之合金。該熔接總成之包層用材之至少一第一邊緣不伸及底材之一第一邊緣，從而提供一在該等第一邊緣間之邊際。一為合金之熱強度大於包層用材之材料在該邊際內且鄰接包層用材之第一邊緣。該熔接總成予熱軋以提供一熱軋帶，而該邊際內之材料在熱軋期間抑制包層用材擴展至底材之邊緣外。在此等方法之某些具體形式中，底材為不銹鋼而包層用材為鎳或鎳金屬。
简体摘要：一种生产单包层或多包层产品之方法，包括提供一包含一包层用材置于一底材上之熔接总成。底材及包层用材二者均为个别选出之合金。该熔接总成之包层用材之至少一第一边缘不伸及底材之一第一边缘，从而提供一在该等第一边缘间之边际。一为合金之热强度大于包层用材之材料在该边际内且邻接包层用材之第一边缘。该熔接总成予热轧以提供一热轧带，而该边际内之材料在热轧期间抑制包层用材扩展至底材之边缘外。在此等方法之某些具体形式中，底材为不锈钢而包层用材为镍或镍金属。

8. 发明专利

TW200307763A 已分散超微粒鑽石粒子之金屬薄膜層、具有該薄膜層之金屬材料及該等的製造方法审中-公开
简体标题：已分散超微粒钻石粒子之金属薄膜层、具有该薄膜层之金属材料及该等的制造方法
公开(公告)号：TW200307763A
公开(公告)日：2003-12-16
申请号：TW092116027
申请日：2003-06-12
申请人：藤村忠正 FUJIMURA TADAMASA
发明人：鹽崎茂 SHIOZAKI SHIGERU , 曾根正人 SONE MASATO , 吉田英夫 YOSHIDA HIDEO , 左近清人 SAKON KIYOHITO , 藤村忠正 FUJIMURA TADAMASA
IPC分类号： C23C , C01B
CPC分类号： C25D15/02 , Y10T428/12486
摘要：提供在薄膜層中以高濃度的均勻分散鑽石微粒子且硬度優越的鑽石微粒子–金屬共析膜，又採用電鍍浴，利用電鍍法，可達成所謂能提供製作出鑽石微粒子–金屬共析膜之經予改善的方法。一種金屬薄膜層，係已分散鑽石粒子於層中的金屬薄膜層，其特徵在於：（i）該金屬薄膜層係層厚5nm（0．005μm）至3500nm（35．0μm），（ii）該鑽石粒子係沿前述金屬薄膜層之層厚方向的各水平約略均勻分散，（iii）該金屬薄膜層中的該鑽石粒子之含有率為1至12％，（iv）該鑽石粒子係其粒徑分布在換算成等價圓時，粒徑在16nm以下的粒子之數量平均存在率為50％以上，（v）粒徑超過50nm之粒子的數量平均存在率為實質上0％，（vi）粒徑未滿2nm之粒子的數量平均存在率為實質上0％。
简体摘要：提供在薄膜层中以高浓度的均匀分散钻石微粒子且硬度优越的钻石微粒子–金属共析膜，又采用电镀浴，利用电镀法，可达成所谓能提供制作出钻石微粒子–金属共析膜之经予改善的方法。一种金属薄膜层，系已分散钻石粒子于层中的金属薄膜层，其特征在于：（i）该金属薄膜层系层厚5nm（0．005μm）至3500nm（35．0μm），（ii）该钻石粒子系沿前述金属薄膜层之层厚方向的各水平约略均匀分散，（iii）该金属薄膜层中的该钻石粒子之含有率为1至12％，（iv）该钻石粒子系其粒径分布在换算成等价圆时，粒径在16nm以下的粒子之数量平均存在率为50％以上，（v）粒径超过50nm之粒子的数量平均存在率为实质上0％，（vi）粒径未满2nm之粒子的数量平均存在率为实质上0％。

9. 发明专利

TW499705B 目標標記構件,製造方法及使用其之電子束曝光裝置有权
简体标题：目标标记构件,制造方法及使用其之电子束曝光设备
公开(公告)号：TW499705B
公开(公告)日：2002-08-21
申请号：TW090109101
申请日：2001-04-17
申请人：愛德萬測試股份有限公司
发明人：高桑真樹
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/304 , H01J2237/30433 , H01J2237/3175 , Y10T428/12486 , Y10T428/12632 , Y10T428/12674 , Y10T428/1284
摘要：一種目標標記構件，其具有：具有複數個標記之標記圖樣與該標記之控制後寬度，其提供在電子束形狀測量與電子束之聚焦中之準確度與有效性。該目標標記構件係用以在一電子束處理裝置中調整一電子束之聚焦與測量該電子束之形狀，包括：金屬標記部份，具有既定標記圖樣，該金屬標記部份包括磊晶金屬材質；以及基底，其支撐該金屬標記部份。
简体摘要：一种目标标记构件，其具有：具有复数个标记之标记图样与该标记之控制后宽度，其提供在电子束形状测量与电子束之聚焦中之准确度与有效性。该目标标记构件系用以在一电子束处理设备中调整一电子束之聚焦与测量该电子束之形状，包括：金属标记部份，具有既定标记图样，该金属标记部份包括磊晶金属材质；以及基底，其支撑该金属标记部份。

10. 发明专利

TW246649B 一形成含有三度空間相連共同基質之金屬基質複合物體的方法以及藉此方法所獲得之產品失效
简体标题：一形成含有三度空间相连共同基质之金属基质复合物体的方法以及借此方法所获得之产品
公开(公告)号：TW246649B
公开(公告)日：1995-05-01
申请号：TW078108310
申请日：1989-10-30
申请人：藍克塞德工業技術公司
发明人：艾倫S.納革伯革 , 克里斯多夫R.甘轘迪 , 麥可K.阿法杰尼安
IPC分类号： B22D
CPC分类号： C04B41/009 , B22F3/26 , C04B35/74 , C04B35/80 , C04B41/5155 , C04B41/88 , C04B2111/00931 , C22C1/1036 , C22C32/0068 , C22C47/08 , C22C2001/1063 , Y10T428/12451 , Y10T428/12486 , C04B41/4519 , C04B41/4523 , C04B41/51
摘要：本發明係有關於藉由一熔融基質金屬之自發滲入一三度空間相連材料以形成一金屬基質複合物體之方法。此外，該三度空間相連材料在其至少一部分孔隙內可含有填充材料。詳言之，一滲入增進劑及／或一滲入增進劑先質及／或一滲入蒙氣至少在製程期間之某些時刻與一填充材料及／或一三度空間相連材料及／或一基質金屬連通，此允許熔融基質金屬自發滲入三度空間相連材料以及任何含於三度空間相連材料之至少一部分孔隙內之填充材料。
简体摘要：本发明系有关于借由一熔融基质金属之自发渗入一三度空间相连材料以形成一金属基质复合物体之方法。此外，该三度空间相连材料在其至少一部分孔隙内可含有填充材料。详言之，一渗入增进剂及／或一渗入增进剂先质及／或一渗入蒙气至少在制程期间之某些时刻与一填充材料及／或一三度空间相连材料及／或一基质金属连通，此允许熔融基质金属自发渗入三度空间相连材料以及任何含于三度空间相连材料之至少一部分孔隙内之填充材料。

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