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1. 发明专利

TWI542548B 細微水滑石粒子有权
简体标题：细微水滑石粒子
公开(公告)号：TWI542548B
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：TW102110636
申请日：2013-03-26
申请人：協和化學工業股份有限公司 , KYOWA CHEMICAL INDUSTRY CO., LTD.
发明人：黑木祐輔 , KUROGI, YUSUKE , 中村司 , NAKAMURA, TSUKASA , 宮田茂男 , MIYATA, SHIGEO
IPC分类号： C01F7/00 , C08K3/26 , B02C15/00
CPC分类号： C01F7/005 , B02C17/20 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01P2002/84 , C01P2004/03 , C01P2004/51 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C08K3/26 , C08K9/02 , C08K9/04 , C08K9/06 , C08K2003/265 , C08K2201/005 , C08L23/02 , C08L27/06 , Y10S977/773 , Y10S977/90 , Y10T428/2982

2. 发明专利

TW460297B 研製醫藥物質之連續性方法失效
简体标题：研制医药物质之连续性方法
公开(公告)号：TW460297B
公开(公告)日：2001-10-21
申请号：TW084103642
申请日：1995-04-13
申请人：伊蘭製藥國際有限公司
发明人：大衛.A.茲凱 , 賴瑞.P.西曼
IPC分类号： A61K
CPC分类号： A61K9/146 , Y10S977/773 , Y10S977/775 , Y10S977/888 , Y10S977/896 , Y10S977/90 , Y10S977/915 , Y10S977/927
摘要：一種製備治療或診斷製劑之亞微顆粒之連續性方法，其包括連續注入該製劑和堅硬的研磨介質至碾磨槽中，在碾磨槽中使製劑與研磨介質接觸以降低製劑之尺寸，連續自碾磨槽中除去製劑和研磨介質，以及再自研磨介質中分離製劑等數個步驟。在一較佳之具體實施例中，研磨介質是小於300微米平均顆粒尺寸之聚合樹脂。在另一具體實施例中，製劑、研磨介質和液體分散介質係連續注入碾磨槽中。在另一具體實施例中,製劑和研磨介質係經過碾磨槽再循環。該方法促成在連續性研磨過程中微細研磨介質之使用，例如小於約300微米之顆粒尺寸，該過程能提供非常微細之製劑顆粒，例如尺寸小於1OO毫微米之顆粒,同時避免先前技藝方法需要在碾磨槽中自研磨介質中分離製劑所伴隨之許多問題，例如分離網之阻塞。
简体摘要：一种制备治疗或诊断制剂之亚微颗粒之连续性方法，其包括连续注入该制剂和坚硬的研磨介质至碾磨槽中，在碾磨槽中使制剂与研磨介质接触以降低制剂之尺寸，连续自碾磨槽中除去制剂和研磨介质，以及再自研磨介质中分离制剂等数个步骤。在一较佳之具体实施例中，研磨介质是小于300微米平均颗粒尺寸之聚合树脂。在另一具体实施例中，制剂、研磨介质和液体分散介质系连续注入碾磨槽中。在另一具体实施例中,制剂和研磨介质系经过碾磨槽再循环。该方法促成在连续性研磨过程中微细研磨介质之使用，例如小于约300微米之颗粒尺寸，该过程能提供非常微细之制剂颗粒，例如尺寸小于1OO毫微米之颗粒,同时避免先前技艺方法需要在碾磨槽中自研磨介质中分离制剂所伴随之许多问题，例如分离网之阻塞。

3. 发明专利

TWI590492B 矽產品，包含該矽產品之發光單元及製造該矽產品之方法有权
简体标题：硅产品，包含该硅产品之发光单元及制造该硅产品之方法
公开(公告)号：TWI590492B
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW102124947
申请日：2013-07-11
申请人：皇家飛利浦有限公司 , KONINKLIJKE PHILIPS N.V.
发明人：狄拉特湯威赫姆斯馬利亞 , DE LAAT, TON WILHELMUS MARIA , 庫爾洛羅夫 , KOOLE, ROELOF , 波莫瑪賽爾林內 , BOHMER, MARCEL RENE
IPC分类号： H01L33/26 , H01L33/06
CPC分类号： C09K11/025 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C08J3/2053 , C08J2383/04 , C08K9/12 , C08K2201/001 , C08K2201/003 , C08L83/04 , C09K11/02 , C09K11/08 , F21V9/30 , H01L33/501 , H01L33/502 , H01L33/56 , Y10S977/774 , Y10S977/783 , Y10S977/90 , Y10S977/95

4. 发明专利

TWI503190B 金屬基奈米複合材料的製備方法有权
简体标题：金属基奈米复合材料的制备方法
公开(公告)号：TWI503190B
公开(公告)日：2015-10-11
申请号：TW100139094
申请日：2011-10-27
申请人：鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
发明人：李文珍 , LI, WEN-ZHEN , 劉世英 , LIU, SHI-YING
IPC分类号： B22D11/114 , B22D11/16
CPC分类号： C22C47/08 , B22F2999/00 , C22C49/14 , Y10S977/773 , Y10S977/90 , B22F2202/01

5. 发明专利

TW201240203A 製造呈粉末型式之聚合物／奈米碳管混合物之方法 METHOD FOR PRODUCING POLYMER/CARBON NANOTUBE MIXTURES IN POWDER FORM 审中-公开
简体标题：制造呈粉末型式之聚合物／奈米碳管混合物之方法 METHOD FOR PRODUCING POLYMER/CARBON NANOTUBE MIXTURES IN POWDER FORM
公开(公告)号：TW201240203A
公开(公告)日：2012-10-01
申请号：TW100147337
申请日：2011-12-20
申请人：拜耳材料科學股份有限公司
发明人：菲基梅爾艾格柏特 , 巫菲克班諾
IPC分类号： H01M , C01B , B82Y
CPC分类号： H01B1/04 , B82Y40/00 , H01M4/1393 , H01M4/587 , H01M4/622 , H01M4/623 , H01M4/96 , H01M10/0525 , Y10S977/783 , Y10S977/90 , Y10S977/932
摘要：一種用以製造以及/或製備呈粉末形式之聚合物/奈米碳管混合物之方法,其包含了研磨由奈米碳管以及聚合物粒子組成之混合物的步驟。研磨可在≧0wt.%到≦15wt.%(以混合物的總重量表示)不溶解聚合物粒子的液相物質的存在下,以及溫度低於該粉末粒子的熔點以下進行。在研磨過程中其能量輸入是較佳地低的。較佳的聚合物是PVDF。本發明更進一步係關於聚合物/奈米碳管混合物,其可以藉由本發明中的方法獲得,以及使用此聚合物/奈米碳管混合物型式用以製備電極。
简体摘要：一种用以制造以及/或制备呈粉末形式之聚合物/奈米碳管混合物之方法,其包含了研磨由奈米碳管以及聚合物粒子组成之混合物的步骤。研磨可在≧0wt.%到≦15wt.%(以混合物的总重量表示)不溶解聚合物粒子的液相物质的存在下,以及温度低于该粉末粒子的熔点以下进行。在研磨过程中其能量输入是较佳地低的。较佳的聚合物是PVDF。本发明更进一步系关于聚合物/奈米碳管混合物,其可以借由本发明中的方法获得,以及使用此聚合物/奈米碳管混合物型式用以制备电极。

6. 发明专利

TWI354646B 藉由施加經導引的熱能於二嵌段共聚物薄膜以形成被標記的結構 REGISTERED STRUCTURE FORMATION VIA THE APPLICATION OF DIRECTED THERMAL ENERGY TO DIBLOCK COPOLYMER FILMS 有权
简体标题：借由施加经导引的热能于二嵌段共聚物薄膜以形成被标记的结构 REGISTERED STRUCTURE FORMATION VIA THE APPLICATION OF DIRECTED THERMAL ENERGY TO DIBLOCK COPOLYMER FILMS
公开(公告)号：TWI354646B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：TW097107906
申请日：2008-03-06
申请人：美光科技公司
发明人：丹B 米爾瓦德 , 尤金P 馬許
IPC分类号： B81C , C08L , B82B
CPC分类号： B81B1/00 , B81C1/00015 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , B81C2201/0198 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C08L53/00 , G03F7/0002 , Y10S438/947 , Y10S977/888 , Y10S977/895 , Y10S977/90 , C08L2666/02
摘要：本發明提供在無限定特徵之表面上使用自組裝嵌段共聚物製造次微影、奈米級線性微通道陣列的方法及由該等方法所形成之薄膜及裝置。該等方法之實施例使用多層誘導式定序法，使層狀薄膜與溝槽內之底層基底薄膜對準，且局部加熱，使覆上該等溝槽且超出該剩餘表面以外之層狀相嵌段共聚物薄膜退火。
简体摘要：本发明提供在无限定特征之表面上使用自组装嵌段共聚物制造次微影、奈米级线性微信道数组的方法及由该等方法所形成之薄膜及设备。该等方法之实施例使用多层诱导式定序法，使层状薄膜与沟槽内之底层基底薄膜对准，且局部加热，使复上该等沟槽且超出该剩余表面以外之层状相嵌段共聚物薄膜退火。

7. 发明专利

TW200845235A 使用自組合聚合物之次微影內連線圖案化 SUB-LITHOGRAPHIC INTERCONNECT PATTERNING USING SELF-ASSEMBLING POLYMERS 审中-公开
简体标题：使用自组合聚合物之次微影内连接图案化 SUB-LITHOGRAPHIC INTERCONNECT PATTERNING USING SELF-ASSEMBLING POLYMERS
公开(公告)号：TW200845235A
公开(公告)日：2008-11-16
申请号：TW097102494
申请日：2008-01-23
申请人：萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：黎威建 LI, WAI KIN , 楊海寧 YANG, HAINING S.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31144 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/76816 , Y10S438/947 , Y10S977/888 , Y10S977/895 , Y10S977/90
摘要：本發明關於使用自組合聚合物,以在半導體結構中形成次微影特徵。自組合聚合物形成於硬遮罩的開口中、被回火且之後被蝕刻,隨後蝕刻下層介電材料。根據這個方法,形成至少一次微影特徵。本發明也揭示中間半導體結構,其中至少一內連線特徵具有由自組合嵌段共聚物所定義的尺寸。
简体摘要：本发明关于使用自组合聚合物,以在半导体结构中形成次微影特征。自组合聚合物形成于硬遮罩的开口中、被回火且之后被蚀刻,随后蚀刻下层介电材料。根据这个方法,形成至少一次微影特征。本发明也揭示中间半导体结构,其中至少一内连接特征具有由自组合嵌段共聚物所定义的尺寸。

8. 发明专利

TW200420501A 鈦酸鉍微粒子之製造方法失效
简体标题：钛酸铋微粒子之制造方法
公开(公告)号：TW200420501A
公开(公告)日：2004-10-16
申请号：TW093107483
申请日：2004-03-19
申请人：旭硝子股份有限公司 ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：別府義久 BEPPU, YOSHIHISA , 砂原一夫 SUNAHARA, KAZUO , 朝長浩之 TOMONAGA, HIROYUKI , 高橋久美子 TAKAHASHI, KUMIKO
IPC分类号： C01G
CPC分类号： C01G29/00 , B82Y30/00 , C01P2004/10 , C01P2004/20 , C01P2004/52 , C01P2004/54 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , Y10S977/775 , Y10S977/776 , Y10S977/90
摘要：本發明係提供一種具良好誘電特性，且結晶性高之粒徑小的鈦酸鉍微粒子及其製造方法為其目的者。解決該課題之順序為以氧化物基準之莫耳％顯示下，取得Bi2O3含23～72％、TiO2含4～64％、及B2O3含6～50％之熔融物的步驟，該熔融物進行急速冷卻後做成非晶質物質之步驟，與由該非晶質物質析出鈦酸鉍結晶之步驟，以及由取得結晶化物進行分離該鈦酸鉍結晶之步驟者。
简体摘要：本发明系提供一种具良好诱电特性，且结晶性高之粒径小的钛酸铋微粒子及其制造方法为其目的者。解决该课题之顺序为以氧化物基准之莫耳％显示下，取得Bi2O3含23～72％、TiO2含4～64％、及B2O3含6～50％之熔融物的步骤，该熔融物进行急速冷却后做成非晶质物质之步骤，与由该非晶质物质析出钛酸铋结晶之步骤，以及由取得结晶化物进行分离该钛酸铋结晶之步骤者。

9. 发明专利

TW201545969A 剝離作用审中-公开
简体标题：剥离作用
公开(公告)号：TW201545969A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104103365
申请日：2015-01-30
申请人：英國曼徹斯特大學 , THE UNIVERSITY OF MANCHESTER
发明人：卡司瑞吉辛西亞 , CASIRAGHI, CINZIA , 楊化鋒 , YANG, HUAFENG
IPC分类号： C01B21/064 , H01L31/0264
CPC分类号： C09D11/52 , B01D71/02 , B05D7/24 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B17/20 , C01B19/007 , C01B21/0648 , C01G1/12 , C01G39/06 , C01G41/00 , C01P2002/82 , C01P2002/84 , C01P2002/85 , C01P2004/02 , C01P2004/04 , C01P2004/24 , C09D11/32 , C09D11/38 , H01L29/78681 , H01L29/78696 , H01L31/0264 , H01L31/03044 , H01L31/0324 , H01L31/0445 , H01L31/08 , H01L31/1136 , Y10S977/755 , Y10S977/90 , Y10S977/948
摘要：本發明係關於一種剝離無機分層化合物以形成二維(2D)無機化合物之方法。該剝離係於水性介質中在多環芳族化合物存在下進行。本發明亦關於由該剝離方法產生之二維化合物之水性懸浮液。本發明進一步關於自懸浮液形成二維化合物薄膜的方法且關於包含二維(2D)無機化合物薄膜的裝置。
简体摘要：本发明系关于一种剥离无机分层化合物以形成二维(2D)无机化合物之方法。该剥离系于水性介质中在多环芳族化合物存在下进行。本发明亦关于由该剥离方法产生之二维化合物之水性悬浮液。本发明进一步关于自悬浮液形成二维化合物薄膜的方法且关于包含二维(2D)无机化合物薄膜的设备。

10. 发明专利

TW201407821A 矽產品，包含該矽產品之發光單元及製造該矽產品之方法审中-公开
简体标题：硅产品，包含该硅产品之发光单元及制造该硅产品之方法
公开(公告)号：TW201407821A
公开(公告)日：2014-02-16
申请号：TW102124947
申请日：2013-07-11
申请人：皇家飛利浦有限公司 , KONINKLIJKE PHILIPS N.V.
发明人：狄拉特湯威赫姆斯馬利亞 , DE LAAT, TON WILHELMUS MARIA , 庫爾洛羅夫 , KOOLE, ROELOF , 波莫瑪賽爾林內 , BOHMER, MARCEL RENE
IPC分类号： H01L33/26 , H01L33/06
CPC分类号： C09K11/025 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C08J3/2053 , C08J2383/04 , C08K9/12 , C08K2201/001 , C08K2201/003 , C08L83/04 , C09K11/02 , C09K11/08 , F21V9/30 , H01L33/501 , H01L33/502 , H01L33/56 , Y10S977/774 , Y10S977/783 , Y10S977/90 , Y10S977/95
摘要：本發明揭示一種矽產品100，一種包含該矽產品之發光單元及一種製造該矽產品之方法。該矽產品100包含聚合材料110、發光材料130及填料顆粒120。該聚合材料110包含矽烷之群組之一材料。該聚合材料110具透光性。該發光材料130包含至少在一維度上具有奈米範圍內之一尺寸之顆粒。該發光材料130經組態以吸收一第一光譜範圍之光且將該所吸收光之一部分轉換為一第二光譜範圍之光。該等填料顆粒120係一透光惰性材料。該等填料顆粒120可與該發光材料130混溶。該等填料顆粒120設置於該聚合材料110中。沿著該等填料顆粒120之一表面分佈該發光材料130之該等顆粒。
简体摘要：本发明揭示一种硅产品100，一种包含该硅产品之发光单元及一种制造该硅产品之方法。该硅产品100包含聚合材料110、发光材料130及填料颗粒120。该聚合材料110包含硅烷之群组之一材料。该聚合材料110具透光性。该发光材料130包含至少在一维度上具有奈米范围内之一尺寸之颗粒。该发光材料130经组态以吸收一第一光谱范围之光且将该所吸收光之一部分转换为一第二光谱范围之光。该等填料颗粒120系一透光惰性材料。该等填料颗粒120可与该发光材料130混溶。该等填料颗粒120设置于该聚合材料110中。沿着该等填料颗粒120之一表面分布该发光材料130之该等颗粒。

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