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    • 4. 发明专利
    • 次範圍類比至數位轉換器及方法
    • 次范围模拟至数码转换器及方法
    • TW525352B
    • 2003-03-21
    • TW088111922
    • 1999-07-14
    • 國家半導體公司
    • 布來恩保羅布蘭特
    • H03M
    • H03K5/249H03F3/005H03F3/45479H03F3/45753H03F3/45977H03K5/2481H03M1/147H03M1/204H03M1/365
    • 一種類比至數位的轉換係包含一個用於產生一組粗略的差動參考電壓以及一組精細的差動參考電壓之電阻器網路、一個接收該粗略的差動參考電壓以及一個雙極性差動輸入電壓之粗略的比較器庫。一個精細的比較器庫係根據該等粗略的比較器在先前的一個時脈間隔的期間中之輸出來接收該組精細的差動參考電壓中所選出的精細差動參考電壓、以及一個從該雙極性輸入所導出的單極性差動輸入電壓。編碼器電路係轉換該粗略與精細的比較器庫之輸出成為數位的輸出。
    • 一种模拟至数码的转换系包含一个用于产生一组粗略的差动参考电压以及一组精细的差动参考电压之电阻器网络、一个接收该粗略的差动参考电压以及一个双极性差动输入电压之粗略的比较器库。一个精细的比较器库系根据该等粗略的比较器在先前的一个时脉间隔的期间中之输出来接收该组精细的差动参考电压中所选出的精细差动参考电压、以及一个从该双极性输入所导出的单极性差动输入电压。编码器电路系转换该粗略与精细的比较器库之输出成为数码的输出。
    • 10. 发明专利
    • 運算放大器 OPERATIONAL AMPLIFIER
    • 运算放大器 OPERATIONAL AMPLIFIER
    • TW201025840A
    • 2010-07-01
    • TW098145386
    • 2009-12-28
    • 東部高科股份有限公司
    • 李元孝
    • H03F
    • H03F3/45183H03F3/45475H03F3/45744H03F3/45753H03F3/72H03F2203/45396H03F2203/7236
    • 一種運算放大器,其能夠抑制耗電量及噪聲之產生。此種運算放大器包含有一偏移修改器以及一偏移記憶體,偏移修改器包含有一差動放大電路,偏移記憶體使用一鎖存電路用以儲存一偏移電壓。此差動放大電路包含有與一輸入端相連接的第一及第二N型金氧化半導體(NMOS)電晶體,第一及第二P型金氧化半導體(PMOS)電晶體,其分別連接於第一及第二N型金氧化半導體(NMOS)電晶體之汲極,一第三N型金氧化半導體(NMOS)電晶體,其與第一及第二N型金氧化半導體(NMOS)電晶體之源極相連接,一第三P型金氧化半導體(PMOS)電晶體,其與第二P型金氧化半導體(PMOS)電晶體之一源極相連接,一第四N型金氧化半導體(NMOS)電晶體,其與第三P型金氧化半導體(PMOS)電晶體相連接,用以形成一提供至偏移記憶體之輸出,以及左及右修改區,左及右修改區分別與第一及第二N型金氧化半導體(NMOS)電晶體之相關的一個並聯相連接。
    • 一种运算放大器,其能够抑制耗电量及噪声之产生。此种运算放大器包含有一偏移修改器以及一偏移内存,偏移修改器包含有一差动放大电路,偏移内存使用一锁存电路用以存储一偏移电压。此差动放大电路包含有与一输入端相连接的第一及第二N型金氧化半导体(NMOS)晶体管,第一及第二P型金氧化半导体(PMOS)晶体管,其分别连接于第一及第二N型金氧化半导体(NMOS)晶体管之汲极,一第三N型金氧化半导体(NMOS)晶体管,其与第一及第二N型金氧化半导体(NMOS)晶体管之源极相连接,一第三P型金氧化半导体(PMOS)晶体管,其与第二P型金氧化半导体(PMOS)晶体管之一源极相连接,一第四N型金氧化半导体(NMOS)晶体管,其与第三P型金氧化半导体(PMOS)晶体管相连接,用以形成一提供至偏移内存之输出,以及左及右修改区,左及右修改区分别与第一及第二N型金氧化半导体(NMOS)晶体管之相关的一个并联相连接。