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1. 发明专利

TW201803287A 具有增強之線性性能之假性高電子遷移率電晶體組件审中-公开
简体标题：具有增强之线性性能之假性高电子迁移率晶体管组件
公开(公告)号：TW201803287A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106113469
申请日：2017-04-21
申请人：天工方案公司 , SKYWORKS SOLUTIONS, INC.
发明人：阿圖齊力菲柯瑞 , ALTUNKILIC, FIKRET , 希比哈奇 , CEBI, HAKI , 朱俞 , ZHU, YU , 魏熙卓 , WEI, CEJUN , 馬森傑瑞德 F , MASON, JEROD F.
IPC分类号： H04B1/16 , H04B1/24
CPC分类号： H03F1/3205 , H01L29/778 , H03F3/193 , H03F3/1935 , H03F3/245 , H03F2200/228 , H03F2200/294 , H03F2200/451 , H03F2200/72 , H03K17/162 , H03K17/687
摘要：本發明揭示基於pHEMT之電路及改良其等之線性之方法。一個實例pHEMT電路包含在一輸入終端與一負載之間的連接之一pHEMT及連接至該pHEMT之一非線性電阻。該pHEMT回應於被在該輸入終端接收之具有一基本頻率之一輸入信號所驅動而在該負載處產生一一次諧波信號，該一次諧波信號具有一第一相位。該非線性電阻具有一電阻，其經選擇以在該負載處產生具有與該第一相位相反之一第二相位之一二次諧波信號。方法可包含：判定藉由處於一ON狀態中之一pHEMT在該負載處產生之一一次諧波信號之一第一振幅及一第一相位；及調諧該非線性電阻以在該負載處產生具有一第二振幅及一第二相位之一二次諧波信號，其最小化該負載處之一淨諧波信號。
简体摘要：本发明揭示基于pHEMT之电路及改良其等之线性之方法。一个实例pHEMT电路包含在一输入终端与一负载之间的连接之一pHEMT及连接至该pHEMT之一非线性电阻。该pHEMT回应于被在该输入终端接收之具有一基本频率之一输入信号所驱动而在该负载处产生一一次谐波信号，该一次谐波信号具有一第一相位。该非线性电阻具有一电阻，其经选择以在该负载处产生具有与该第一相位相反之一第二相位之一二次谐波信号。方法可包含：判定借由处于一ON状态中之一pHEMT在该负载处产生之一一次谐波信号之一第一振幅及一第一相位；及调谐该非线性电阻以在该负载处产生具有一第二振幅及一第二相位之一二次谐波信号，其最小化该负载处之一净谐波信号。

2. 发明专利

TWI346448B 寬頻超低雜訊放大器 WIDEBAND ULTRA LOW NOISE AMPLIFIER 失效
简体标题：宽带超低噪声放大器 WIDEBAND ULTRA LOW NOISE AMPLIFIER
公开(公告)号：TWI346448B
公开(公告)日：2011-08-01
申请号：TW096108887
申请日：2007-03-15
申请人：新港傳播媒介公司
发明人：亞利伊斯美爾 , 愛德華尤塞菲安
IPC分类号： H03F
CPC分类号： H03F1/26 , H03F1/223 , H03F1/342 , H03F3/193 , H03F2200/151 , H03F2200/294 , H03F2200/372 , H03F2200/451 , H03F2200/72
摘要：一種降低於電路的雜訊之電路及方法係包含：一第一電晶體；及操作為連接至第一電晶體之一放大器，其中，放大器係包含複數個電晶體且為適合於放大一輸入訊號，且其中，輸入訊號係差動式捕捉於第一電晶體與放大器之一輸出。較佳而言，複數個電晶體係包含一第二電晶體與一第三電晶體。再者，第一電晶體與第三電晶體之一雜訊位準係較佳為抵消。第二電晶體之互導係可為約1/50Ω。較佳而言，於第二電晶體與第三電晶體所形成之一放大器級的一增益係適合於增大。甚者，放大器之一等效互導係較佳為與匹配於放大器之一阻抗無關。較佳而言，該電路之一雜訊度位準係小於約1dB。
简体摘要：一种降低于电路的噪声之电路及方法系包含：一第一晶体管；及操作为连接至第一晶体管之一放大器，其中，放大器系包含复数个晶体管且为适合于放大一输入信号，且其中，输入信号系差动式捕捉于第一晶体管与放大器之一输出。较佳而言，复数个晶体管系包含一第二晶体管与一第三晶体管。再者，第一晶体管与第三晶体管之一噪声位准系较佳为抵消。第二晶体管之互导系可为约1/50Ω。较佳而言，于第二晶体管与第三晶体管所形成之一放大器级的一增益系适合于增大。甚者，放大器之一等效互导系较佳为与匹配于放大器之一阻抗无关。较佳而言，该电路之一噪声度位准系小于约1dB。

3. 发明专利

TW201644188A 具單端輸入之平衡差動轉阻抗放大器及平衡方法审中-公开
简体标题：具单端输入之平衡差动转阻抗放大器及平衡方法
公开(公告)号：TW201644188A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：TW105110260
申请日：2016-03-31
申请人：太谷電子公司 , TYCO ELECTRONICS CORPORATION
发明人：史密斯羅伯蒙洛 , SMITH, ROBERT MONROE , 麥克萊查爾斯菲利普 , MCCLAY, CHARLES PHILLIP
IPC分类号： H03F1/32 , H03F3/45
CPC分类号： H03F1/56 , H03F1/0205 , H03F1/083 , H03F3/08 , H03F3/45076 , H03F3/45085 , H03F3/45183 , H03F3/45475 , H03F3/45605 , H03F3/45609 , H03F3/45618 , H03F3/45753 , H03F3/45757 , H03F3/45766 , H03F3/45977 , H03F3/45982 , H03F3/45991 , H03F2200/135 , H03F2200/18 , H03F2200/222 , H03F2200/228 , H03F2200/36 , H03F2200/393 , H03F2200/453 , H03F2200/456 , H03F2200/462 , H03F2200/471 , H03F2200/474 , H03F2200/72 , H03F2200/75 , H03F2203/45036 , H03F2203/45051 , H03F2203/45114 , H03F2203/45116 , H03F2203/45138 , H03F2203/45146 , H03F2203/45152 , H03F2203/45154 , H03F2203/45166 , H03F2203/45202 , H03F2203/45208 , H03F2203/45221 , H03F2203/45276 , H03F2203/45336 , H03F2203/45374 , H03F2203/45398 , H03F2203/45528 , H03F2203/45541 , H03F2203/45556 , H03F2203/45564 , H03F2203/45566 , H03F2203/45592 , H03F2203/45594 , H03F2203/45652 , H03F2203/45682 , H03F2203/45702
摘要：一種具單端輸入之平衡差動轉阻放大器係於廣泛變化的輸入訊號動態範圍上操作。一臨界電路係用以進行以下之一或其組合(1)產生變化決定臨界值，以確保在動態範圍的輸入電流訊號水平上進行適宜切片；及(2)產生供應至一跨阻抗級之一輸入的偏置電流與電壓，以抵銷該跨阻抗級電壓輸入對於該輸入電流訊號水平上的相關性。
简体摘要：一种具单端输入之平衡差动转阻放大器系于广泛变化的输入信号动态范围上操作。一临界电路系用以进行以下之一或其组合(1)产生变化决定临界值，以确保在动态范围的输入电流信号水平上进行适宜切片；及(2)产生供应至一跨阻抗级之一输入的偏置电流与电压，以抵销该跨阻抗级电压输入对于该输入电流信号水平上的相关性。

4. 发明专利

TW201541859A 射頻功率放大器與提高功率附加效率及線性度的方法审中-公开
简体标题：射频功率放大器与提高功率附加效率及线性度的方法
公开(公告)号：TW201541859A
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW103114690
申请日：2014-04-23
申请人：瑞昱半導體股份有限公司 , REALTEK SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：王柏之 , WANG, PO CHIH , 楊雅雯 , YANG, YA WEN
IPC分类号： H03F3/20 , H03F1/56
CPC分类号： H03F1/565 , H03F1/3205 , H03F3/19 , H03F3/245 , H03F2200/06 , H03F2200/09 , H03F2200/222 , H03F2200/387 , H03F2200/451 , H03F2200/534 , H03F2200/541 , H03F2200/72
摘要：本發明提供一種射頻功率放大器。射頻功率放大器包括阻抗轉換電路、電流單位增益放大器與輸出匹配電路。阻抗轉換電路接收第一輸入功率信號且對應地輸出第二輸入功率信號，其中阻抗轉換電路根據阻抗匹配參數來將電流單位增益放大器之輸入阻抗轉換為前級電路之輸出阻抗，藉此以提升前級電路的功率附加效率。電流單位增益放大器提供線性轉阻以線性傳送輸入電流至輸出阻抗進而產生線性輸出功率，藉此亦提升此電流單位增益放大器之功率附加效益，其中阻抗匹配參數根據第一系統電壓、第二系統電壓與預定功率增益值來決定。
简体摘要：本发明提供一种射频功率放大器。射频功率放大器包括阻抗转换电路、电流单位增益放大器与输出匹配电路。阻抗转换电路接收第一输入功率信号且对应地输出第二输入功率信号，其中阻抗转换电路根据阻抗匹配参数来将电流单位增益放大器之输入阻抗转换为前级电路之输出阻抗，借此以提升前级电路的功率附加效率。电流单位增益放大器提供线性转阻以线性发送输入电流至输出阻抗进而产生线性输出功率，借此亦提升此电流单位增益放大器之功率附加效益，其中阻抗匹配参数根据第一系统电压、第二系统电压与预定功率增益值来决定。

5. 发明专利

TW582137B 具有自動偏壓供應調整之可變增益放大器有权
简体标题：具有自动偏压供应调整之可变增益放大器
公开(公告)号：TW582137B
公开(公告)日：2004-04-01
申请号：TW091124507
申请日：2002-10-23
申请人：摩托羅拉公司 MOTOROLA INC.
发明人：勞倫斯E 康乃爾 LAWRENCE E. CONNELL , 尼爾W 霍倫貝克 NEAL W. HOLLENBECK
IPC分类号： H03F
CPC分类号： H03F1/3205 , H03F1/301 , H03F3/19 , H03F2200/72 , H03G1/0023
摘要：一種具有自動偏壓供應調整之高增益寬頻帶射頻(RF)放大器120。放大器120包含一對具有共同源極連接106的場效應電晶體(FETs)102，104，其中共同源極連接106由連接於共同源極連接106與放大器信號輸入RFIN之間的場效電晶體(FET)108施加偏壓。偏壓(VB1)施加於裝置108之閘極，而自動增益控制電壓(VAGC)則施加於場效應電晶體(FET)對102，104之閘極。自動偏壓供應電路122係一包含電阻器124，126，電容器128與放大器130的主動負載。電容器128連接於放大器130之負輸入132與輸出134之間。提供負載參考電壓VO給正輸入。電阻器124連接於放大器130輸出134與場效電晶體(FET)104汲極上之放大器輸出136之間口電阻器126連接於場效電晶體(FET)104汲極上之輸出136與放大器130負輸入132之間，其中放大器130提供放大器負載信號回饋。
简体摘要：一种具有自动偏压供应调整之高增益宽带带射频(RF)放大器120。放大器120包含一对具有共同源极连接106的场效应晶体管(FETs)102，104，其中共同源极连接106由连接于共同源极连接106与放大器信号输入RFIN之间的场效应管(FET)108施加偏压。偏压(VB1)施加于设备108之闸极，而自动增益控制电压(VAGC)则施加于场效应晶体管(FET)对102，104之闸极。自动偏压供应电路122系一包含电阻器124，126，电容器128与放大器130的主动负载。电容器128连接于放大器130之负输入132与输出134之间。提供负载参考电压VO给正输入。电阻器124连接于放大器130输出134与场效应管(FET)104汲极上之放大器输出136之间口电阻器126连接于场效应管(FET)104汲极上之输出136与放大器130负输入132之间，其中放大器130提供放大器负载信号回馈。

6. 发明专利

TWI560999B 射頻功率放大器與提高功率附加效率及線性度的方法有权
简体标题：射频功率放大器与提高功率附加效率及线性度的方法
公开(公告)号：TWI560999B
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW103114690
申请日：2014-04-23
申请人：瑞昱半導體股份有限公司 , REALTEK SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：王柏之 , WANG, PO CHIH , 楊雅雯 , YANG, YA WEN
IPC分类号： H03F3/20 , H03F1/56
CPC分类号： H03F1/565 , H03F1/3205 , H03F3/19 , H03F3/245 , H03F2200/06 , H03F2200/09 , H03F2200/222 , H03F2200/387 , H03F2200/451 , H03F2200/534 , H03F2200/541 , H03F2200/72

7. 发明专利

TW200830741A 無線通訊裝置及方法 WIRELESS COMMUNICATION DEVICE AND METHOD 审中-公开
简体标题：无线通信设备及方法 WIRELESS COMMUNICATION DEVICE AND METHOD
公开(公告)号：TW200830741A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：TW096149214
申请日：2007-12-21
申请人：愛迪蘇格蘭有限公司 ITI SCOTLAND LIMITED
发明人：布蘭諾鄧肯 BREMNER, DUNCAN
IPC分类号： H04B
CPC分类号： H03F3/19 , H03F1/0205 , H03F1/0261 , H03F1/30 , H03F1/32 , H03F2200/18 , H03F2200/294 , H03F2200/447 , H03F2200/451 , H03F2200/453 , H03F2200/72 , H04B1/71637
摘要：無線通訊裝置包含一積體電路,及一外接電路。該積體電路包含一具有無線控制功能的電子線路。該外接電路係獨立於該積體電路,包含一用以執行一無線控制功能之一預定階段的裝置,以及至少包含一不連續的元件;其中該外接電路之該至少一不連續的元件係由該積體電路所傳來之一個或多個的控制信號所控制。
简体摘要：无线通信设备包含一集成电路,及一外置电路。该集成电路包含一具有无线控制功能的电子线路。该外置电路系独立于该集成电路,包含一用以运行一无线控制功能之一预定阶段的设备,以及至少包含一不连续的组件;其中该外置电路之该至少一不连续的组件系由该集成电路所传来之一个或多个的控制信号所控制。

8. 发明专利

TW200737694A 寬頻超低雜訊放大器 WIDEBAND ULTRA LOW NOISE AMPLIFIER 失效
简体标题：宽带超低噪声放大器 WIDEBAND ULTRA LOW NOISE AMPLIFIER
公开(公告)号：TW200737694A
公开(公告)日：2007-10-01
申请号：TW096108887
申请日：2007-03-15
申请人：新港傳播媒介公司 NEWPORT MEDIA, INC.
发明人：亞利伊斯美爾 ISMAIL, ALY , 愛德華尤塞菲安 YOUSSOUFIAN, EDWARD
IPC分类号： H03F
CPC分类号： H03F1/26 , H03F1/223 , H03F1/342 , H03F3/193 , H03F2200/151 , H03F2200/294 , H03F2200/372 , H03F2200/451 , H03F2200/72
摘要：一種降低於電路的雜訊之電路及方法係包含:一第一電晶體;及操作為連接至第一電晶體之一放大器,其中,放大器係包含複數個電晶體且為適合於放大一輸入訊號,且其中,輸入訊號係差動式捕捉於第一電晶體與放大器之一輸出。較佳而言,複數個電晶體係包含一第二電晶體與一第三電晶體。再者,第一電晶體與第三電晶體之一雜訊位準係較佳為抵消。第二電晶體之尺寸係可為約1/50��。較佳而言,於第二電晶體與第三電晶體所形成之一放大器級的一增益係適合於增大。甚者,放大器之一等效互導係較佳為與匹配於放大器之一阻抗無關。較佳而言,該電路之一雜訊度位準係小於約1dB。
简体摘要：一种降低于电路的噪声之电路及方法系包含:一第一晶体管;及操作为连接至第一晶体管之一放大器,其中,放大器系包含复数个晶体管且为适合于放大一输入信号,且其中,输入信号系差动式捕捉于第一晶体管与放大器之一输出。较佳而言,复数个晶体管系包含一第二晶体管与一第三晶体管。再者,第一晶体管与第三晶体管之一噪声位准系较佳为抵消。第二晶体管之尺寸系可为约1/50��。较佳而言,于第二晶体管与第三晶体管所形成之一放大器级的一增益系适合于增大。甚者,放大器之一等效互导系较佳为与匹配于放大器之一阻抗无关。较佳而言,该电路之一噪声度位准系小于约1dB。

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