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1. 发明专利

TWI404246B 半導體裝置及其製造方法以及顯示裝置失效
简体标题：半导体设备及其制造方法以及显示设备
公开(公告)号：TWI404246B
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW098100733
申请日：2009-01-09
申请人：新力股份有限公司 , SONY CORPORATION
发明人：米屋伸英 , YONEYA, NOBUHIDE
IPC分类号： H01L51/05 , G02F1/1368
CPC分类号： H01L51/10 , H01L51/0545 , H01L51/107

2. 发明专利

TWI373865B 有機薄膜電晶體陣列面板及其製造方法 ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR ARRAY PANEL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 失效
简体标题：有机薄膜晶体管数组皮肤及其制造方法 ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR ARRAY PANEL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TWI373865B
公开(公告)日：2012-10-01
申请号：TW094119714
申请日：2005-06-14
申请人：三星電子股份有限公司
发明人：金保成 , 李宇宰 , 柳旻成
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/283 , H01L27/3274 , H01L51/0545 , H01L51/10 , H01L51/5237
摘要：本發明提供一種製造一薄膜電晶體陣列面板之方法，其包含：於一基板上形成一閘極線；於該閘極線上形成一閘極絕緣層；於該閘極絕緣層上形成一資料線及一汲電極；於該資料線、該汲電極及該資料線與該汲電極之間的該閘極絕緣層之一暴露部分上形成一有機半導體層；形成一完全覆蓋該有機半導體層之保護構件；於該保護層、該資料線及該汲電極上形成一鈍化層；於該鈍化層內形成一接觸孔以暴露該汲電極之一部分；及於該鈍化層上形成一像素電極，該像素電極經由該接觸孔連接至該汲電極；
简体摘要：本发明提供一种制造一薄膜晶体管数组皮肤之方法，其包含：于一基板上形成一闸极线；于该闸极在线形成一闸极绝缘层；于该闸极绝缘层上形成一数据线及一汲电极；于该数据线、该汲电极及该数据线与该汲电极之间的该闸极绝缘层之一暴露部分上形成一有机半导体层；形成一完全覆盖该有机半导体层之保护构件；于该保护层、该数据线及该汲电极上形成一钝化层；于该钝化层内形成一接触孔以暴露该汲电极之一部分；及于该钝化层上形成一像素电极，该像素电极经由该接触孔连接至该汲电极；

3. 发明专利

TWI553874B 壓力調控薄膜電晶體及其應用有权
简体标题：压力调控薄膜晶体管及其应用
公开(公告)号：TWI553874B
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：TW100126513
申请日：2011-07-27
申请人：鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
发明人：胡春華 , HU, CHUN-HUA , 劉長洪 , LIU, CHANG-HONG , 范守善 , FAN, SHOU-SHAN
IPC分类号： H01L29/786 , H01L41/08
CPC分类号： H01L51/10 , B82Y10/00 , G01F1/34 , G01L9/0002 , G01L19/0046 , H01L51/0048 , H01L51/0558

4. 发明专利

TW201435922A 具有金屬有機層之多層複合物审中-公开
简体标题：具有金属有机层之多层复合物
公开(公告)号：TW201435922A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW102140761
申请日：2013-11-08
申请人：賀利氏貴金屬公司 , HERAEUS PRECIOUS METALS GMBH & CO. KG , 韓國電子部品研究院 , KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE
发明人：傅奇斯賀伯特 , FUCHS, HERBERT , 河亨錫 , HA, HYUNG SEOK , 提特克斯汀 , TIMTER, KERSTIN , 李正隆 , LEE, JEONGNO , 李範珠 , LEE, BUMJOO , 韓哲鍾 , HAN, CHUL JONG , 李承賢 , LEE, SEUNGHYUN
IPC分类号： H01B5/14 , H01L51/10 , H01L51/52
CPC分类号： H01B5/00 , C09D11/03 , C09D11/52 , C23C18/08 , H01L51/0022 , H01L51/10 , H01L51/52 , H01L2924/0002 , Y10T428/12528 , Y10T428/24355 , Y10T428/249995 , Y10T428/31663 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種多層複合物前驅體(2)，其包含：i.基板(4)，其中該基板(4)包含：1.發光有機化合物；2.第一表面(8)；及3.第二表面(10)，其中該第二表面(10)為透明導電層(12)所覆蓋，ii.覆蓋該第一表面(8)之至少一部份之液相(18)，其包含金屬有機化合物，其中該金屬有機化合物包含有機部份，其中該有機部份包含C=O基團；且其中該液相(18)另外包含第一矽化合物，其中該第一矽化合物包含至少一個碳原子及至少一個氮原子。
简体摘要：本发明提供一种多层复合物前驱体(2)，其包含：i.基板(4)，其中该基板(4)包含：1.发光有机化合物；2.第一表面(8)；及3.第二表面(10)，其中该第二表面(10)为透明导电层(12)所覆盖，ii.覆盖该第一表面(8)之至少一部份之液相(18)，其包含金属有机化合物，其中该金属有机化合物包含有机部份，其中该有机部份包含C=O基团；且其中该液相(18)另外包含第一硅化合物，其中该第一硅化合物包含至少一个碳原子及至少一个氮原子。

5. 发明专利

TWI567996B 電晶體結構及其製作方法有权
简体标题：晶体管结构及其制作方法
公开(公告)号：TWI567996B
公开(公告)日：2017-01-21
申请号：TW103105304
申请日：2014-02-18
申请人：緯創資通股份有限公司 , WISTRON CORPORATION
发明人：高啟仁 , KAO, CHI JEN , 彭玉容 , PENG, YU JUNG , 王怡凱 , WANG, YI KAI
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/66742 , H01L29/786 , H01L29/78633 , H01L29/7869 , H01L51/0545 , H01L51/10

6. 发明专利

TW201301519A 壓力調控薄膜電晶體及其應用审中-公开
简体标题：压力调控薄膜晶体管及其应用
公开(公告)号：TW201301519A
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW100126513
申请日：2011-07-27
申请人：鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
发明人：胡春華 , HU, CHUN-HUA , 劉長洪 , LIU, CHANG-HONG , 范守善 , FAN, SHOU-SHAN
IPC分类号： H01L29/786 , H01L41/08
CPC分类号： H01L51/10 , B82Y10/00 , G01F1/34 , G01L9/0002 , G01L19/0046 , H01L51/0048 , H01L51/0558
摘要：一種壓力調控薄膜電晶體，其包括：一源極；一與源極間隔設置之汲極；一與源極及汲極電連接的半導體層；及通過一絕緣層與半導體層、源極及汲極絕緣設置的一閘極；其中，所述半導體層為一有機複合材料層，該有機複合材料層包括一高分子基底及分散在所述高分子基底中之複數個奈米碳管，所述高分子基底之彈性模量為0.1兆帕至10兆帕，在所述半導體層上施加一垂直於所述半導體層之壓力，該壓力導致所述半導體層之帶隙發生變化，從而使所述壓力調控薄膜電晶體之開關比發生變化。本發明還涉及一應用該壓力調控薄膜電晶體之壓力感測裝置。
简体摘要：一种压力调控薄膜晶体管，其包括：一源极；一与源极间隔设置之汲极；一与源极及汲极电连接的半导体层；及通过一绝缘层与半导体层、源极及汲极绝缘设置的一闸极；其中，所述半导体层为一有机复合材料层，该有机复合材料层包括一高分子基底及分散在所述高分子基底中之复数个奈米碳管，所述高分子基底之弹性模量为0.1兆帕至10兆帕，在所述半导体层上施加一垂直于所述半导体层之压力，该压力导致所述半导体层之带隙发生变化，从而使所述压力调控薄膜晶体管之开关比发生变化。本发明还涉及一应用该压力调控薄膜晶体管之压力传感设备。

7. 发明专利

TW200611440A 有機薄膜電晶體陣列面板及其製造方法 ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR ARRAY PANEL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 失效
简体标题：有机薄膜晶体管数组皮肤及其制造方法 ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR ARRAY PANEL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200611440A
公开(公告)日：2006-04-01
申请号：TW094119714
申请日：2005-06-14
申请人：三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：金保成 KIM, BO-SUNG , 李宇宰 LEE, WOO-JAE , 柳旻成 RYU, MIN-SEONG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/283 , H01L27/3274 , H01L51/0545 , H01L51/10 , H01L51/5237
摘要：本發明提供一種製造一薄膜電晶體陣列面板之方法，其包含：於一基板上形成一閘極線；於該閘極線上形成一閘極絕緣層；於該閘極絕緣層上形成一資料線及一汲電極；於該資料線、該汲電極及該資料線與該汲電極之間的該閘極絕緣層之一暴露部分上形成一有機半導體層；形成一完全覆蓋該有機半導體層之保護構件；於該保護層、該資料線及該汲電極上形成一鈍化層；於該鈍化層內形成一接觸孔以暴露該汲電極之一部分；及於該鈍化層上形成一像素電極，該像素電極經由該接觸孔連接至該汲電極；
简体摘要：本发明提供一种制造一薄膜晶体管数组皮肤之方法，其包含：于一基板上形成一闸极线；于该闸极在线形成一闸极绝缘层；于该闸极绝缘层上形成一数据线及一汲电极；于该数据线、该汲电极及该数据线与该汲电极之间的该闸极绝缘层之一暴露部分上形成一有机半导体层；形成一完全覆盖该有机半导体层之保护构件；于该保护层、该数据线及该汲电极上形成一钝化层；于该钝化层内形成一接触孔以暴露该汲电极之一部分；及于该钝化层上形成一像素电极，该像素电极经由该接触孔连接至该汲电极；

8. 发明专利

TWI608413B 發光裝置及顯示裝置有权
简体标题：发光设备及显示设备
公开(公告)号：TWI608413B
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：TW101104204
申请日：2012-02-09
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：瀨尾哲史 , SEO, SATOSHI , 佐佐木俊毅 , SASAKI, TOSHIKI , 大澤信晴 , OHSAWA, NOBUHARU , 牛窪孝洋 , USHIKUBO, TAKAHIRO , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC分类号： G06F9/30 , G02F1/1333 , H05B33/10 , H01L51/50
CPC分类号： H01L27/322 , H01L27/15 , H01L27/3209 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L51/10 , H01L51/44 , H01L51/5016 , H01L51/5218 , H01L51/5221 , H01L51/5265

9. 发明专利

TW201533909A 電晶體結構及其製作方法审中-公开
简体标题：晶体管结构及其制作方法
公开(公告)号：TW201533909A
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW103105304
申请日：2014-02-18
申请人：緯創資通股份有限公司 , WISTRON CORPORATION
发明人：高啟仁 , KAO, CHI JEN , 彭玉容 , PENG, YU JUNG , 王怡凱 , WANG, YI KAI
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/66742 , H01L29/786 , H01L29/78633 , H01L29/7869 , H01L51/0545 , H01L51/10
摘要：一種電晶體結構及其製作方法，其中電晶體結構包括一閘極、一絕緣層、一圖案化半導體層、一源極以及一汲極以及一光吸收層。閘極配置於基板上。閘極的面積重疊圖案化半導體層的面積。絕緣層位於閘極與圖案化半導體層之間。源極以及汲極彼此分離，且源極與汲極接觸於圖案化半導體層。圖案化半導體層位於光吸收層以及基板之間。光吸收層的面積覆蓋圖案化半導體層的面積。光吸收層的吸收光譜波長涵蓋圖案化半導體層的吸收光譜波長。
简体摘要：一种晶体管结构及其制作方法，其中晶体管结构包括一闸极、一绝缘层、一图案化半导体层、一源极以及一汲极以及一光吸收层。闸极配置于基板上。闸极的面积重叠图案化半导体层的面积。绝缘层位于闸极与图案化半导体层之间。源极以及汲极彼此分离，且源极与汲极接触于图案化半导体层。图案化半导体层位于光吸收层以及基板之间。光吸收层的面积覆盖图案化半导体层的面积。光吸收层的吸收光谱波长涵盖图案化半导体层的吸收光谱波长。

10. 发明专利

TW201133819A 積體電路 INTEGRATED CIRCUIT 审中-公开
简体标题：集成电路 INTEGRATED CIRCUIT
公开(公告)号：TW201133819A
公开(公告)日：2011-10-01
申请号：TW099132293
申请日：2010-09-23
申请人：荷蘭TNO自然科學組織公司 , 伊麥克公司
发明人：葛林克柯爾文赫瑪努斯 , 柯捷倫德伯奇塔卡塔里那夏洛第
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/283 , H01L51/0545 , H01L51/10
摘要：本發明揭示一種積體電路,其包括:一第一絕緣層;一半導體層;一第一導體層,其係與該半導體層形成近似歐姆或與歐姆接觸;及一第二導體層,其係藉由該第一絕緣層隔離該半導體層,第一和第二導體層係圖案化形成包含複數個電晶體的複數個功能組塊,該第一導體層當作源極/汲極使用,且第二導體層當作閘極使用;其中每個功能組塊包括該半導體層的一對應島,其係藉由一第二絕緣層隔離另一功能組塊的對應島,該等功能組塊係配置使得(i)來自不同電晶體且彼此相鄰的源極/汲極配置相同電位,及(ii)在該等相鄰電極間不存在導體。
简体摘要：本发明揭示一种集成电路,其包括:一第一绝缘层;一半导体层;一第一导体层,其系与该半导体层形成近似欧姆或与欧姆接触;及一第二导体层,其系借由该第一绝缘层隔离该半导体层,第一和第二导体层系图案化形成包含复数个晶体管的复数个功能组块,该第一导体层当作源极/汲极使用,且第二导体层当作闸极使用;其中每个功能组块包括该半导体层的一对应岛,其系借由一第二绝缘层隔离另一功能组块的对应岛,该等功能组块系配置使得(i)来自不同晶体管且彼此相邻的源极/汲极配置相同电位,及(ii)在该等相邻电极间不存在导体。

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