专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201447896A 使用於選擇或隔離記憶體單元之裝置及方法失效
简体标题：使用于选择或隔离内存单元之设备及方法
公开(公告)号：TW201447896A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103108224
申请日：2014-03-10
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：羅倫魯卡 , LAURIN, LUCA , 畢維努提奧古斯圖 , BENVENUTI, AUGUSTO , 瑞瓦馬可 , RIVA, MARCO
IPC分类号： G11C16/06 , G11C7/10
CPC分类号： H01L45/06 , G11C13/0004 , G11C13/0028 , G11C13/003 , G11C2213/76 , H01L27/2445 , H01L45/144
摘要：本發明揭示用於記憶體單元之選擇及/或隔離之方法及器件，其包括一閘流體之使用。舉例而言，可至少部分地藉由起始一觸發電位之施加以影響與一記憶體儲存組件串聯耦合之一閘流體之一閘極而選擇一記憶體儲存組件以用於存取。該閘流體之該閘極連接至一記憶體單元字線且准許用於使選定及未選記憶體陣列導體相對於諸如雙極接面電晶體之習用選擇器減小洩漏電流之一有效極性方案。
简体摘要：本发明揭示用于内存单元之选择及/或隔离之方法及器件，其包括一晶闸管之使用。举例而言，可至少部分地借由起始一触发电位之施加以影响与一内存存储组件串联耦合之一晶闸管之一闸极而选择一内存存储组件以用于存取。该晶闸管之该闸极连接至一内存单元字线且准许用于使选定及未选内存数组导体相对于诸如双极接面晶体管之习用选择器减小泄漏电流之一有效极性方案。

2. 发明专利

TWI319635B 在相變記憶格中成形相變層之技術 SHAPING A PHASE CHANGE LAYER IN A PHASE CHANGE MEMORY CELL 有权
简体标题：在相变记忆格中成形相变层之技术 SHAPING A PHASE CHANGE LAYER IN A PHASE CHANGE MEMORY CELL
公开(公告)号：TWI319635B
公开(公告)日：2010-01-11
申请号：TW095127296
申请日：2006-07-26
申请人：歐凡尼克斯股份有限公司
发明人：瑪吉斯崔堤米歇爾 , 派楚扎皮特羅
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L45/06 , G03F7/11 , H01L27/2445 , H01L27/2463 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1675 , H01L45/1691
摘要：一相變記憶格係包括一半導體體部上之一相變材料的一相變層。一硬罩幕結構係形成於相變層上且一阻劑罩幕形成於硬罩幕結構上。利用阻劑罩幕成形硬罩幕結構藉以形成一硬罩幕。利用硬罩幕來成形相變層。在成形相變層之前移除阻劑罩幕。 A phase change memory cell includes a phase change layer of a phase change material on a semiconductor body. A hard mask structure is formed on the phase change layer and a resist mask is formed on the hard mask structure. A hard mask is formed by shaping the hard mask structure using the resist mask. The phase change layer is shaped using the hard mask. The resist mask is removed before shaping the phase change layer. 【創作特點】依據本發明之一實施例，係特地提出一種方法，包含：形成一相變材料的一相變層於一半導體體部上；生成一硬罩幕結構於該相變層上；生成一阻劑罩幕於該硬罩幕結構上；利用該阻劑罩幕藉由成形該硬罩幕結構來形成一硬罩幕；移除該阻劑罩幕；及移除該阻劑罩幕之後利用該硬罩幕來成形該相變層。
依據本發明之一實施例，係特地提出一種半導體結構，包含：一硫屬層；一障壁層，其覆蓋該硫屬層；及一罩幕層，其位於該障壁層上方。
依據本發明之一實施例，係特地提出一種藉由一程序形成之產物，包含：形成一相變材料的一相變層於一半導體體部上；生成一硬罩幕結構於該相變層上；生成一阻劑罩幕於該硬罩幕結構上；利用該阻劑罩幕藉由成形該硬罩幕結構來形成一硬罩幕；移除該阻劑罩幕；及移除該阻劑罩幕之後利用該硬罩幕來成形該相變層。
圖式簡單說明
為了瞭解本發明，現在參照圖式來描述純為非限制性範例之其較佳實施例，其中：第1圖顯示根據本發明第一實施例在一製造程序的一初始步驟中經過一半導體裝置之橫剖面；第2圖為第1圖的細部處於一後續製造步驟中之放大俯視圖；第3圖為第2圖的細部處於一後續製造步驟中沿第2圖的線III－III所取之橫剖面；第4圖顯示與第2圖相同的視圖，處於一後續製造步驟中；第5及6圖顯示與第3圖相同的視圖，處於後續製造步驟中；第7圖顯示第6圖的細部處於一後續製造步驟中之俯視平面圖；第8及9圖顯示第7圖的細部處於一後續製造步驟中沿第7圖的線VII－VII所取之橫剖面；第10圖為第9圖的細部之俯視圖，處於一後續製造步驟中；第11圖顯示與第9圖相同之視圖，處於一後續製造步驟中；第12圖顯示與第10圖相同之視圖，處於一後續製造步驟中；第13及14圖為第12圖的細部處於後續製造步驟中沿第12圖的線XIII－XIII所取之橫剖面；第15圖為經過第1至15圖的裝置之橫剖面，處於一最後製造步驟中；第16圖為一相變記憶裝置的簡化電路圖；第17至27圖為根據本發明的第二實施例在一程序的後續製造步驟中經過一半導體裝置之橫剖面；第28圖為第27圖的裝置沿第27圖的線XXVIII－XXVIII所取之橫剖面；第29圖為根據本發明第二實施例之一程序所製造之一半導體裝置的俯視平面掃描電子顯微鏡(SEM)圖；第30圖為一已知程序所製造之一半導體裝置的俯視平面SEM圖；第31圖為一實施例之系統描繪。
简体摘要：一相变记忆格系包括一半导体体部上之一相变材料的一相变层。一硬罩幕结构系形成于相变层上且一阻剂罩幕形成于硬罩幕结构上。利用阻剂罩幕成形硬罩幕结构借以形成一硬罩幕。利用硬罩幕来成形相变层。在成形相变层之前移除阻剂罩幕。 A phase change memory cell includes a phase change layer of a phase change material on a semiconductor body. A hard mask structure is formed on the phase change layer and a resist mask is formed on the hard mask structure. A hard mask is formed by shaping the hard mask structure using the resist mask. The phase change layer is shaped using the hard mask. The resist mask is removed before shaping the phase change layer. 【创作特点】依据本发明之一实施例，系特地提出一种方法，包含：形成一相变材料的一相变层于一半导体体部上；生成一硬罩幕结构于该相变层上；生成一阻剂罩幕于该硬罩幕结构上；利用该阻剂罩幕借由成形该硬罩幕结构来形成一硬罩幕；移除该阻剂罩幕；及移除该阻剂罩幕之后利用该硬罩幕来成形该相变层。依据本发明之一实施例，系特地提出一种半导体结构，包含：一硫属层；一障壁层，其覆盖该硫属层；及一罩幕层，其位于该障壁层上方。依据本发明之一实施例，系特地提出一种借由一进程形成之产物，包含：形成一相变材料的一相变层于一半导体体部上；生成一硬罩幕结构于该相变层上；生成一阻剂罩幕于该硬罩幕结构上；利用该阻剂罩幕借由成形该硬罩幕结构来形成一硬罩幕；移除该阻剂罩幕；及移除该阻剂罩幕之后利用该硬罩幕来成形该相变层。图式简单说明为了了解本发明，现在参照图式来描述纯为非限制性范例之其较佳实施例，其中：第1图显示根据本发明第一实施例在一制造进程的一初始步骤中经过一半导体设备之横剖面；第2图为第1图的细部处于一后续制造步骤中之放大俯视图；第3图为第2图的细部处于一后续制造步骤中沿第2图的线III－III所取之横剖面；第4图显示与第2图相同的视图，处于一后续制造步骤中；第5及6图显示与第3图相同的视图，处于后续制造步骤中；第7图显示第6图的细部处于一后续制造步骤中之俯视平面图；第8及9图显示第7图的细部处于一后续制造步骤中沿第7图的线VII－VII所取之横剖面；第10图为第9图的细部之俯视图，处于一后续制造步骤中；第11图显示与第9图相同之视图，处于一后续制造步骤中；第12图显示与第10图相同之视图，处于一后续制造步骤中；第13及14图为第12图的细部处于后续制造步骤中沿第12图的线XIII－XIII所取之横剖面；第15图为经过第1至15图的设备之横剖面，处于一最后制造步骤中；第16图为一相变记忆设备的简化电路图；第17至27图为根据本发明的第二实施例在一进程的后续制造步骤中经过一半导体设备之横剖面；第28图为第27图的设备沿第27图的线XXVIII－XXVIII所取之横剖面；第29图为根据本发明第二实施例之一进程所制造之一半导体设备的俯视平面扫描电子显微镜(SEM)图；第30图为一已知进程所制造之一半导体设备的俯视平面SEM图；第31图为一实施例之系统描绘。

3. 发明专利

TW200937428A 利用閘極控制二極體元件的二終端非揮發性記憶體 TWO TERMINAL NONVOLATILE MEMORY USING GATE CONTROLLED DIODE ELEMENTS 审中-公开
简体标题：利用闸极控制二极管组件的二终端非挥发性内存 TWO TERMINAL NONVOLATILE MEMORY USING GATE CONTROLLED DIODE ELEMENTS
公开(公告)号：TW200937428A
公开(公告)日：2009-09-01
申请号：TW097145479
申请日：2008-11-25
申请人：桑迪士克3D公司 SANDISK 3D LLC
发明人：泰勒索普 THORP, TYLER , 洛依碩力恩 SCHEUERLEIN, ROY
IPC分类号： G11C
CPC分类号： H01L27/1021 , G11C13/0004 , G11C13/003 , G11C16/0466 , G11C2213/72 , G11C2213/76 , H01L27/112 , H01L27/2445 , H01L27/2463 , H01L29/1606 , H01L29/739 , H01L29/8613 , H01L29/868 , H01L29/88 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/148 , H01L45/149 , H01L45/16
摘要：本發明揭示一種非揮發性記憶體單元,其包含一閘極控制二極體操縱元件及一電阻率切換元件。
简体摘要：本发明揭示一种非挥发性内存单元,其包含一闸极控制二极管操纵组件及一电阻率切换组件。

4. 发明专利

TWI521757B 具有自對準垂直加熱器及低電阻率介面之相變化記憶體單元有权
简体标题：具有自对准垂直加热器及低电阻率界面之相变化内存单元
公开(公告)号：TWI521757B
公开(公告)日：2016-02-11
申请号：TW099121092
申请日：2010-06-28
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：山卓里奇芭芭拉 , ZANDERIGHI, BARBARA , 彼皮亞法蘭斯科 , PIPIA, FRANCESCO
IPC分类号： H01L45/00 , H01L27/24
CPC分类号： H01L45/126 , G11C13/0004 , G11C2013/008 , H01L27/2445 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1675

5. 发明专利

TW201508907A 熱最佳化相變之記憶體單元及其製造之方法审中-公开
简体标题：热最优化相变之内存单元及其制造之方法
公开(公告)号：TW201508907A
公开(公告)日：2015-03-01
申请号：TW103118302
申请日：2014-05-26
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：波尼亞迪馬蒂亞 , BONIARDI, MATTIA , 瑞達里安德利亞 , REDAELLI, ANDREA
IPC分类号： H01L27/24 , H01L45/00
CPC分类号： H01L45/1293 , H01L27/2427 , H01L27/2445 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/141 , H01L45/144 , H01L45/16 , H01L45/1608
摘要：本發明揭示一種熱最佳化相變之記憶體單元，其包含安置於第一電極與第二電極之間的一相變材料元件。該第二電極包含具有高於該第一電極之一第一熱阻率的一熱絕緣區域及內插於該相變材料元件與該熱絕緣區域之間的一金屬接觸區域，其中該金屬接觸層具有低於該第一熱阻率之一第二熱阻率。
简体摘要：本发明揭示一种热最优化相变之内存单元，其包含安置于第一电极与第二电极之间的一相变材料组件。该第二电极包含具有高于该第一电极之一第一热阻率的一热绝缘区域及内插于该相变材料组件与该热绝缘区域之间的一金属接触区域，其中该金属接触层具有低于该第一热阻率之一第二热阻率。

6. 发明专利

TWI371852B 系統單晶片應用之積體電路內的多種相變材質 MULTIPLE PHASE CHANGE MATERIALS IN AN INTEGRATED CIRCUIT FOR SYSTEM ON A CHIP APPLICATION 有权
简体标题：系统单芯片应用之集成电路内的多种相变材质 MULTIPLE PHASE CHANGE MATERIALS IN AN INTEGRATED CIRCUIT FOR SYSTEM ON A CHIP APPLICATION
公开(公告)号：TWI371852B
公开(公告)日：2012-09-01
申请号：TW097143132
申请日：2008-11-07
申请人：旺宏電子股份有限公司
发明人：龍翔瀾
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L45/06 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , H01L27/2436 , H01L27/2445 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/148 , H01L45/1675 , H01L45/1683
摘要：一種積體電路以及製造方法。積體電路包括位於基板上的多個記憶胞。此多個記憶胞包括：第一組記憶胞，包括第一記憶體材質；以及第二組記憶胞，包括第二記憶體材質。第一記憶體材質和第二記憶體材質具有不同屬性，使得第一記憶胞和第二組記憶胞具有不同的操作記憶體特性。
简体摘要：一种集成电路以及制造方法。集成电路包括位于基板上的多个记忆胞。此多个记忆胞包括：第一组记忆胞，包括第一内存材质；以及第二组记忆胞，包括第二内存材质。第一内存材质和第二内存材质具有不同属性，使得第一记忆胞和第二组记忆胞具有不同的操作内存特性。

7. 发明专利

TWI318470B 相變化記憶體裝置及其製造方法 PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME 有权
简体标题：相变化内存设备及其制造方法 PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TWI318470B
公开(公告)日：2009-12-11
申请号：TW095143546
申请日：2006-11-24
申请人：財團法人工業技術研究院 , 力晶半導體股份有限公司 , 南亞科技股份有限公司 , 茂德科技股份有限公司 , 華邦電子股份有限公司
发明人：陳維恕
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G11C13/0004 , H01L27/2409 , H01L27/2445 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/124 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1691
摘要：一種相變化記憶體裝置，包括：一基板，其包括一疊層結構，上述疊層結構包括複數個絕緣層和複數個導電層，其中任兩層相鄰的上述導電層係被上述複數個絕緣層的其中之一隔開；一第一電極結構，形成於上述疊層結構上，且上述第一電極結構具有一第一側壁和一第二側壁；複數個加熱電極，設置於複數個上述導電層上，且鄰接於上述第一電極結構的上述第一側壁和上述第二側壁；以及一對相變化材料間隙壁，設置於上述第一電極結構的上述第一側壁和上述第二側壁上，且覆蓋於上述複數個加熱電極上。 A phase change memory device comprises a substrate comprising a lamination structure. The lamination structure comprises a plurality of insulating layers and conductive layers, wherein any two of the conductive layers are separated by one of the conductive layers. A first electrode structure with a first sidewall and a second sidewall is formed on the lamination structure. A plurality of heating electrodes are placed the conductive layers and adjacent to the first sidewall and the second sidewall of the first electrode structure. A pairs of phase change material sidewalls are placed on the first sidewall and the second sidewall of the first electrode structure. The phase change material sidewalls cover the heating electrodes. 【創作特點】為達成發明的上述目的，本發明提供一種相變化記憶體裝置，包括：一基板，其包括一疊層結構，上述疊層結構包括複數個絕緣層和複數個導電層，其中任兩層相鄰的上述導電層係被上述複數個絕緣層的其中之一隔開；一第一電極結構，形成於上述疊層結構上，且上述第一電極結構具有一第一側壁和一第二側壁；複數個加熱電極，設置於複數個上述導電層上，且鄰接於上述第一電極結構的上述第一側壁和上述第二側壁；以及一對相變化材料間隙壁，設置於上述第一電極結構的上述第一側壁和上述第二側壁上，且覆蓋於上述複數個加熱電極上。
為達成發明的另一目的，本發明提供一種相變化記憶體裝置的製造方法，包括：提供一基板，其包括一疊層結構，上述疊層結構包括複數個絕緣層和複數個導電層，任兩層相鄰的上述導電層係被上述複數個絕緣層的其中之一隔開；於上述疊層結構上形成一第一電極結構，且上述第一電極結構具有一第一側壁和一第二側壁；於上述複數個導電層上形成複數個加熱電極，上述複數個加熱電極鄰接於上述第一電極結構的上述第一側壁和上述第二側壁；於上述第一電極結構的上述第一側壁和上述第二側壁上形成一對相變化材料間隙壁，且覆蓋於上述複數個加熱電極上。
简体摘要：一种相变化内存设备，包括：一基板，其包括一叠层结构，上述叠层结构包括复数个绝缘层和复数个导电层，其中任两层相邻的上述导电层系被上述复数个绝缘层的其中之一隔开；一第一电极结构，形成于上述叠层结构上，且上述第一电极结构具有一第一侧壁和一第二侧壁；复数个加热电极，设置于复数个上述导电层上，且邻接于上述第一电极结构的上述第一侧壁和上述第二侧壁；以及一对相变化材料间隙壁，设置于上述第一电极结构的上述第一侧壁和上述第二侧壁上，且覆盖于上述复数个加热电极上。 A phase change memory device comprises a substrate comprising a lamination structure. The lamination structure comprises a plurality of insulating layers and conductive layers, wherein any two of the conductive layers are separated by one of the conductive layers. A first electrode structure with a first sidewall and a second sidewall is formed on the lamination structure. A plurality of heating electrodes are placed the conductive layers and adjacent to the first sidewall and the second sidewall of the first electrode structure. A pairs of phase change material sidewalls are placed on the first sidewall and the second sidewall of the first electrode structure. The phase change material sidewalls cover the heating electrodes. 【创作特点】为达成发明的上述目的，本发明提供一种相变化内存设备，包括：一基板，其包括一叠层结构，上述叠层结构包括复数个绝缘层和复数个导电层，其中任两层相邻的上述导电层系被上述复数个绝缘层的其中之一隔开；一第一电极结构，形成于上述叠层结构上，且上述第一电极结构具有一第一侧壁和一第二侧壁；复数个加热电极，设置于复数个上述导电层上，且邻接于上述第一电极结构的上述第一侧壁和上述第二侧壁；以及一对相变化材料间隙壁，设置于上述第一电极结构的上述第一侧壁和上述第二侧壁上，且覆盖于上述复数个加热电极上。为达成发明的另一目的，本发明提供一种相变化内存设备的制造方法，包括：提供一基板，其包括一叠层结构，上述叠层结构包括复数个绝缘层和复数个导电层，任两层相邻的上述导电层系被上述复数个绝缘层的其中之一隔开；于上述叠层结构上形成一第一电极结构，且上述第一电极结构具有一第一侧壁和一第二侧壁；于上述复数个导电层上形成复数个加热电极，上述复数个加热电极邻接于上述第一电极结构的上述第一侧壁和上述第二侧壁；于上述第一电极结构的上述第一侧壁和上述第二侧壁上形成一对相变化材料间隙壁，且覆盖于上述复数个加热电极上。

8. 发明专利

TW201740584A 記憶體元件审中-公开
简体标题：内存组件
公开(公告)号：TW201740584A
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：TW105141979
申请日：2016-12-19
申请人：三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：鄭智賢 , JEONG, JI-HYUN , 高寬協 , KOH, GWAN-HYEOB , 姜大煥 , KANG, DAE-HWAN
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L27/2481 , G11C13/0004 , G11C13/0023 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/1026 , H01L27/2427 , H01L27/2445 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/1293 , H01L45/144 , H01L45/16 , H01L45/1675
摘要：一種記憶體元件包括：第一電極線層，包括在第一方向上在基板上延伸、且彼此間隔開的多個第一電極線；第二電極線層，包括在與第一方向不同的第二方向上在第一電極線層上延伸、且彼此間隔開的多個第二電極線；以及記憶體胞元層，包括位於所述多個第一電極線與所述多個第二電極線的多個相交處的多個第一記憶體胞元，多個第一記憶體胞元的每一者包括依序堆疊的選擇元件層、中間電極及可變電阻層。可變電阻層的側表面垂直於基板的頂表面或傾斜成朝向可變電阻層的上部部分逐漸變寬。第一記憶體胞元具有側表面坡度以具有朝向其上部部分逐漸減小的寬度。
简体摘要：一种内存组件包括：第一电极线层，包括在第一方向上在基板上延伸、且彼此间隔开的多个第一电极线；第二电极线层，包括在与第一方向不同的第二方向上在第一电极线层上延伸、且彼此间隔开的多个第二电极线；以及内存胞元层，包括位于所述多个第一电极线与所述多个第二电极线的多个相交处的多个第一内存胞元，多个第一内存胞元的每一者包括依序堆栈的选择组件层、中间电极及可变电阻层。可变电阻层的侧表面垂直于基板的顶表面或倾斜成朝向可变电阻层的上部部分逐渐变宽。第一内存胞元具有侧表面坡度以具有朝向其上部部分逐渐减小的宽度。

9. 发明专利

TWI525807B 熱最佳化相變之記憶體單元及其製造之方法有权
简体标题：热最优化相变之内存单元及其制造之方法
公开(公告)号：TWI525807B
公开(公告)日：2016-03-11
申请号：TW103118302
申请日：2014-05-26
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：波尼亞迪馬蒂亞 , BONIARDI, MATTIA , 瑞達里安德利亞 , REDAELLI, ANDREA
IPC分类号： H01L27/24 , H01L45/00
CPC分类号： H01L45/1293 , H01L27/2427 , H01L27/2445 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/141 , H01L45/144 , H01L45/16 , H01L45/1608

10. 发明专利

TW201517214A 具有獨立尺寸元件之記憶體單元审中-公开
简体标题：具有独立尺寸组件之内存单元
公开(公告)号：TW201517214A
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW103125594
申请日：2014-07-25
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：西雅瑞羅山謬 , SCIARRILLO, SAMUELE , 瑞法西歐馬歇羅 , RAVASIO, MARCELLO
IPC分类号： H01L21/8239 , H01L27/105
CPC分类号： H01L27/2427 , H01L27/224 , H01L27/226 , H01L27/228 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2445 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/065 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/14 , H01L45/141 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1675
摘要：本發明提供記憶體單元架構及形成該等記憶體單元架構之方法。一實例記憶體單元可包含一開關元件及與該開關元件串聯而形成之一記憶體元件。該開關元件之一最小橫向大小係不同於該記憶體元件之一最小橫向大小。
简体摘要：本发明提供内存单元架构及形成该等内存单元架构之方法。一实例内存单元可包含一开关组件及与该开关组件串联而形成之一内存组件。该开关组件之一最小横向大小系不同于该内存组件之一最小横向大小。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式