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1. 发明专利

TW200937428A 利用閘極控制二極體元件的二終端非揮發性記憶體 TWO TERMINAL NONVOLATILE MEMORY USING GATE CONTROLLED DIODE ELEMENTS 审中-公开
简体标题：利用闸极控制二极管组件的二终端非挥发性内存 TWO TERMINAL NONVOLATILE MEMORY USING GATE CONTROLLED DIODE ELEMENTS
公开(公告)号：TW200937428A
公开(公告)日：2009-09-01
申请号：TW097145479
申请日：2008-11-25
申请人：桑迪士克3D公司 SANDISK 3D LLC
发明人：泰勒索普 THORP, TYLER , 洛依碩力恩 SCHEUERLEIN, ROY
IPC分类号： G11C
CPC分类号： H01L27/1021 , G11C13/0004 , G11C13/003 , G11C16/0466 , G11C2213/72 , G11C2213/76 , H01L27/112 , H01L27/2445 , H01L27/2463 , H01L29/1606 , H01L29/739 , H01L29/8613 , H01L29/868 , H01L29/88 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/148 , H01L45/149 , H01L45/16
摘要：本發明揭示一種非揮發性記憶體單元,其包含一閘極控制二極體操縱元件及一電阻率切換元件。
简体摘要：本发明揭示一种非挥发性内存单元,其包含一闸极控制二极管操纵组件及一电阻率切换组件。

2. 发明专利

TWI580035B 半導體裝置以及半導體裝置的製造方法有权
简体标题：半导体设备以及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TWI580035B
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：TW104140866
申请日：2015-12-04
申请人：新電元工業股份有限公司 , SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：井上徹人 , INOUE, TETSUTO , 菅井昭彥 , SUGAI, AKIHIKO , 中村俊一 , NAKAMURA, SHUNICHI
IPC分类号： H01L29/15 , H01L29/772 , H01L21/335
CPC分类号： H01L29/407 , H01L29/06 , H01L29/0634 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/12 , H01L29/1608 , H01L29/20 , H01L29/2003 , H01L29/401 , H01L29/404 , H01L29/408 , H01L29/42372 , H01L29/66068 , H01L29/739 , H01L29/7397 , H01L29/78 , H01L29/7804 , H01L29/7806 , H01L29/7811 , H01L29/7813

3. 发明专利

TW201703252A 半導體裝置以及半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备以及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201703252A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW104140866
申请日：2015-12-04
申请人：新電元工業股份有限公司 , SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：井上徹人 , INOUE, TETSUTO , 菅井昭彥 , SUGAI, AKIHIKO , 中村俊一 , NAKAMURA, SHUNICHI
IPC分类号： H01L29/15 , H01L29/772 , H01L21/335
CPC分类号： H01L29/407 , H01L29/06 , H01L29/0634 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/12 , H01L29/1608 , H01L29/20 , H01L29/2003 , H01L29/401 , H01L29/404 , H01L29/408 , H01L29/42372 , H01L29/66068 , H01L29/739 , H01L29/7397 , H01L29/78 , H01L29/7804 , H01L29/7806 , H01L29/7811 , H01L29/7813
摘要：本發明的半導體裝置100把元件部分170和柵極基座部分180共同配置在同一寬隙半導體基片110上，元件部分170的第1溝道結構146具有多個比柵極溝道118深的第1保護溝道142以及第1埋置層144；柵極基座部分180的第2溝道結構156具有多個第2保護溝道152以及第2埋置層154；第2溝道結構156具有p型的第2半導體區域158以及由導電體構成的第2埋置層,或者，由形成肖特基接觸的金屬層構成的第2埋置層的任意一項；第2埋置層154與源極電極層128處於電氣連接。按照本發明的半導體裝置100，就能夠成為耐壓強度高，電氣特性難以產生偏差，並且，高速開關成為可能，柵極基座部分難以擊穿的半導體裝置。
简体摘要：本发明的半导体设备100把组件部分170和栅极基座部分180共同配置在同一宽隙半导体基片110上，组件部分170的第1沟道结构146具有多个比栅极沟道118深的第1保护沟道142以及第1埋置层144；栅极基座部分180的第2沟道结构156具有多个第2保护沟道152以及第2埋置层154；第2沟道结构156具有p型的第2半导体区域158以及由导电体构成的第2埋置层,或者，由形成肖特基接触的金属层构成的第2埋置层的任意一项；第2埋置层154与源极电极层128处于电气连接。按照本发明的半导体设备100，就能够成为耐压强度高，电气特性难以产生偏差，并且，高速开关成为可能，栅极基座部分难以击穿的半导体设备。

4. 发明专利

TW201131741A 具有可調輸出電容值之功率半導體元件以及製作方法 POWER SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING ADJUSTABLE OUTPUT CAPACITANCE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：具有可调输出电容值之功率半导体组件以及制作方法 POWER SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING ADJUSTABLE OUTPUT CAPACITANCE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201131741A
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：TW099106460
申请日：2010-03-05
申请人：茂達電子股份有限公司
发明人：林偉捷 , 楊國良 , 廖顯皜
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/06 , H01L29/739
摘要：一種具有可調輸出電容値之功率半導體元件包括一定義有一第一元件區以及一第二元件區之半導體基底、至少一設於第一元件區內之功率電晶體元件、一設於第二元件區之半導體基底內之重摻雜區、一設於重摻雜區上之電容介電層、一設於半導體基底之上表面且電性連接至功率電晶體元件之源極金屬層以及一設於半導體基底之下表面之汲極金屬層。位於第二元件區之源極金屬層、電容介電層以及重摻雜區係構成一緩衝電容。
简体摘要：一种具有可调输出电容値之功率半导体组件包括一定义有一第一组件区以及一第二组件区之半导体基底、至少一设于第一组件区内之功率晶体管组件、一设于第二组件区之半导体基底内之重掺杂区、一设于重掺杂区上之电容介电层、一设于半导体基底之上表面且电性连接至功率晶体管组件之源极金属层以及一设于半导体基底之下表面之汲极金属层。位于第二组件区之源极金属层、电容介电层以及重掺杂区系构成一缓冲电容。

5. 发明专利

TW200742094A 超快回復二極體 ULTRAFAST RECOVERY DIODE 审中-公开
简体标题：超快回复二极管 ULTRAFAST RECOVERY DIODE
公开(公告)号：TW200742094A
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：TW095149314
申请日：2006-12-27
申请人：科斯德半導體股份有限公司 QSPEED SEMICONDUCTOR INC.
发明人：理查法蘭西斯 FRANCIS, RICHARD , 李珍 LI, JIAN , 范楊榆 FAN, YANG YU , 艾瑞克强森 JOHNSON, ERIC
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/872 , H01L29/0619 , H01L29/739 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明揭示一種超快回復二極體。在一第一實施例中,一整流器裝置包含一基板,其具有一第一極性;一具有該第一極性之輕微摻雜層,其耦接至該基板;及一金屬化層,其與該輕微摻雜層一起安置。該超快回復二極體包括複數個井,該複數個井彼此分離,形成於該輕微摻雜層中,包含一第二極性之摻雜。該複數個井連接至該金屬化層。該超快回復二極體進一步包括複數個區,該複數個區位於該複數個井的井之間,比該輕微摻雜層更高度地摻雜該第一極性。
简体摘要：本发明揭示一种超快回复二极管。在一第一实施例中,一整流器设备包含一基板,其具有一第一极性;一具有该第一极性之轻微掺杂层,其耦接至该基板;及一金属化层,其与该轻微掺杂层一起安置。该超快回复二极管包括复数个井,该复数个井彼此分离,形成于该轻微掺杂层中,包含一第二极性之掺杂。该复数个井连接至该金属化层。该超快回复二极管进一步包括复数个区,该复数个区位于该复数个井的井之间,比该轻微掺杂层更高度地掺杂该第一极性。

6. 发明专利

TW200603228A 製造穿隧奈米管場效電晶體之方法 METHOD OF FABRICATING A TUNNELING NANOTUBE FIELD EFFECT TRANSISTOR 失效
简体标题：制造穿隧奈米管场效应管之方法 METHOD OF FABRICATING A TUNNELING NANOTUBE FIELD EFFECT TRANSISTOR
公开(公告)号：TW200603228A
公开(公告)日：2006-01-16
申请号：TW094116452
申请日：2005-05-20
申请人：萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION , 佛權參創決立克公司 FORSCHUNGSZENTRUM JUELICH GMBH
发明人：約格阿本列勒 APPENZELLER, JOERG , 喬欽納可 KNOCH, JOACHIM
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B82Y10/00 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/739 , H01L29/88 , H01L51/0048 , H01L51/0052 , H01L51/0562 , Y10S977/734 , Y10S977/742 , Y10S977/749 , Y10S977/755 , Y10S977/815 , Y10S977/855 , Y10S977/938
摘要：用來製造一穿隧奈米管場效電晶體的一種方法，該方法包含在一奈米管中形成一n型摻雜區以及p型摻雜區，這兩區被該電晶體的一未摻雜通道區所區隔。電接點是為了該等摻雜區和一閘極而被提供，該閘極形成於一閘極介電層上，而該閘極介電層被沉積於該電晶體的至少一部分通道區之上。
简体摘要：用来制造一穿隧奈米管场效应管的一种方法，该方法包含在一奈米管中形成一n型掺杂区以及p型掺杂区，这两区被该晶体管的一未掺杂信道区所区隔。电接点是为了该等掺杂区和一闸极而被提供，该闸极形成于一闸极介电层上，而该闸极介电层被沉积于该晶体管的至少一部分信道区之上。

7. 发明专利

TW201622345A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201622345A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW104130175
申请日：2015-09-11
申请人： V科技股份有限公司 , V TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：梶山康一 , KAJIYAMA, KOICHI , 水村通伸 , MIZUMURA, MICHINOBU , 小川吉司 , OGAWA, YOSHINORI
IPC分类号： H03K17/04 , H01L29/739 , H01L29/78 , H02M1/08 , H03K17/56
CPC分类号： H01L29/739 , H01L29/78 , H02M1/08 , H03K17/04 , H03K17/56 , Y02E10/56
摘要：本發明提供一種半導體裝置，其目的在於減低IGBT斷開時的開關損耗。半導體裝置(1)具備：IGBT(10)；光伏發電電路(20)，連接於IGBT(10)的漂移區域與射極電極(10E)或接地線(G)之間，並使漂移區域的蓄積載子放電；及發光電路(30)，在IGBT(10)斷開時，對光伏發電電路(10)照射光。
简体摘要：本发明提供一种半导体设备，其目的在于减低IGBT断开时的开关损耗。半导体设备(1)具备：IGBT(10)；光伏发电电路(20)，连接于IGBT(10)的漂移区域与射极电极(10E)或接地线(G)之间，并使漂移区域的蓄积载子放电；及发光电路(30)，在IGBT(10)断开时，对光伏发电电路(10)照射光。

8. 发明专利

TWI339852B 製造穿隧奈米管場效電晶體之方法 METHOD OF FABRICATING A TUNNELING NANOTUBE FIELD EFFECT TRANSISTOR 失效
简体标题：制造穿隧奈米管场效应管之方法 METHOD OF FABRICATING A TUNNELING NANOTUBE FIELD EFFECT TRANSISTOR
公开(公告)号：TWI339852B
公开(公告)日：2011-04-01
申请号：TW094116452
申请日：2005-05-20
申请人：萬國商業機器公司 , 佛權參創決立克公司
发明人：約格阿本列勒 , 喬欽納可
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B82Y10/00 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/739 , H01L29/88 , H01L51/0048 , H01L51/0052 , H01L51/0562 , Y10S977/734 , Y10S977/742 , Y10S977/749 , Y10S977/755 , Y10S977/815 , Y10S977/855 , Y10S977/938
摘要：用來製造一穿隧奈米管場效電晶體的一種方法，該方法包含在一奈米管中形成一n型摻雜區以及p型摻雜區，這兩區被該電晶體的一未摻雜通道區所區隔。電接點是為了該等摻雜區和一閘極而被提供，該閘極形成於一閘極介電層上，而該閘極介電層被沉積於該電晶體的至少一部分通道區之上。
简体摘要：用来制造一穿隧奈米管场效应管的一种方法，该方法包含在一奈米管中形成一n型掺杂区以及p型掺杂区，这两区被该晶体管的一未掺杂信道区所区隔。电接点是为了该等掺杂区和一闸极而被提供，该闸极形成于一闸极介电层上，而该闸极介电层被沉积于该晶体管的至少一部分信道区之上。

9. 发明专利

TW200308100A 半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE 失效
简体标题：半导体设备 SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW200308100A
公开(公告)日：2003-12-16
申请号：TW092112526
申请日：2003-05-08
申请人：三洋電機股份有限公司 SANYO ELECTRIC CO., LTD.
发明人：岡田哲也 TETSUYA OKADA , 吉村充弘 MITSUHIRO YOSHIMURA , 吉田哲哉 TETSUYA YOSHIDA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/739 , H01L29/7827
摘要：以往之半導體裝置，因為屬於電流驅動型之半導體元件，所以在驅動電路有電力損失，而且，在半導體市場對於電壓驅動型之半導體元件之需求較大之問題。本發明之半導體裝置，係將可變電位絕緣電極5與閘極區域9介由A1層15保持於相同電位，主要以作為電壓驅動型之半導體元件使用為其特徵。亦即，可變電位絕緣電極5介由閘極電極G使電壓為可變，以在通道區域8形成導通路以形成ON動作。然後，在半導體裝置外部藉由開關將閘極電極G之電位做成正電位、負電位(或接地狀態)以使通道區域8形成擬似性P型區域或N型區域，以實現低電壓驅動。
简体摘要：以往之半导体设备，因为属于电流驱动型之半导体组件，所以在驱动电路有电力损失，而且，在半导体市场对于电压驱动型之半导体组件之需求较大之问题。本发明之半导体设备，系将可变电位绝缘电极5与闸极区域9介由A1层15保持于相同电位，主要以作为电压驱动型之半导体组件使用为其特征。亦即，可变电位绝缘电极5介由闸极电极G使电压为可变，以在信道区域8形成导通路以形成ON动作。然后，在半导体设备外部借由开关将闸极电极G之电位做成正电位、负电位(或接地状态)以使信道区域8形成拟似性P型区域或N型区域，以实现低电压驱动。

10. 发明专利

TW241381B 半導體元件及其製法失效
简体标题：半导体组件及其制法
公开(公告)号：TW241381B
公开(公告)日：1995-02-21
申请号：TW083104241
申请日：1994-05-11
申请人：財團法人半導體研究振興會
发明人：西澤潤一
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/66356 , H01L29/66196 , H01L29/739 , H01L29/8616
摘要：一種半導體元件，具有一n+源極區域，一第一n+通道區域，一障壁層，一第二n－通道區域，一對n+吸極區域，一絕緣臘，和一對金屬電極位於各n+吸極區域上，上述之各個部份均以連續之方式被配置在n+晶體基體之上表面之上。吸極區域和金屬電極結合成用來提供一儲存電容器。源極區域被配置在n+晶體基體下表面之上。經由障壁層之隧道效應，可以以高速讀／寫位元資訊。依照上述半導體元件之製法時，n+吸極區域，第一n-通道區域，障壁層，第二n-通道區域，n+吸極區域，絕緣薄膜，和金屬電極被連續的配置在一成長裝置之n+晶體基體上。金屬電極和源極之形成是選擇性的配置一金屬和一低電阻半導體或是其雙方，使其位於成長裝置內的一位置。
简体摘要：一种半导体组件，具有一n+源极区域，一第一n+信道区域，一障壁层，一第二n－信道区域，一对n+吸极区域，一绝缘腊，和一对金属电极位于各n+吸极区域上，上述之各个部份均以连续之方式被配置在n+晶体基体之上表面之上。吸极区域和金属电极结合成用来提供一存储电容器。源极区域被配置在n+晶体基体下表面之上。经由障壁层之隧道效应，可以以高速读／写比特信息。依照上述半导体组件之制法时，n+吸极区域，第一n-信道区域，障壁层，第二n-信道区域，n+吸极区域，绝缘薄膜，和金属电极被连续的配置在一成长设备之n+晶体基体上。金属电极和源极之形成是选择性的配置一金属和一低电阻半导体或是其双方，使其位于成长设备内的一位置。

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