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1. 发明专利

TW201800058A 超聲波感測器审中-公开
简体标题：超声波传感器
公开(公告)号：TW201800058A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW105122578
申请日：2016-07-18
申请人：麥克思商務咨詢(深圳)有限公司 , MIICS & PARTNERS (SHENZHEN) CO., LTD.
发明人：王娟 , WANG, JUAN
IPC分类号： A61B8/02 , A61B5/02 , A61B8/06
CPC分类号： A61B8/4281 , A61B8/02 , A61B8/04 , A61B8/06 , A61B8/4236 , H01L27/20 , H01L41/1132
摘要：一種超聲波感測器，用於診斷使用者的健康狀況，包括層疊設置的保護層、信號接收層、基板、信號發送層及柔軟層，該信號接收層用於接收自該信號發送層發送的超聲波信號，該柔軟層用於在使用時與使用者的皮膚貼合。
简体摘要：一种超声波传感器，用于诊断用户的健康状况，包括层叠设置的保护层、信号接收层、基板、信号发送层及柔软层，该信号接收层用于接收自该信号发送层发送的超声波信号，该柔软层用于在使用时与用户的皮肤贴合。

2. 发明专利

TW201703261A 半導體裝置中之空腔形成审中-公开
简体标题：半导体设备中之空腔形成
公开(公告)号：TW201703261A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW105115007
申请日：2016-05-13
申请人：西凱渥資訊處理科技公司 , SKYWORKS SOLUTIONS, INC.
发明人：皮茲歐德大衛T , PETZOLD, DAVID T. , 懷特菲德大衛史考特 , WHITEFIELD, DAVID SCOTT
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L23/562 , H01L21/30604 , H01L21/6835 , H01L21/76251 , H01L21/764 , H01L21/76802 , H01L21/76877 , H01L21/76895 , H01L21/76898 , H01L21/84 , H01L23/3121 , H01L23/5283 , H01L23/535 , H01L23/66 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/16 , H01L27/1203 , H01L27/20 , H01L28/10 , H01L29/0649 , H01L29/66772 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68359 , H01L2221/68368 , H01L2223/6677 , H01L2224/03 , H01L2224/03002 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/06135 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/1306 , H01L2924/1421 , H01L2924/15192 , H01L2924/15313 , H03H9/02566 , H03H9/24 , H04B1/40 , H04B1/44 , H01L2224/45099
摘要：製造射頻(RF)裝置涉及：提供一場效電晶體(FET)，該FET形成於在一半導體基板上形成之氧化物層上方；移除該半導體基板之至少部分以曝露該氧化物層之一背面之至少一部分；將一犧牲材料施加至該氧化物層之該背面；將一界面材料施加至該氧化物層之該背面的至少一部分，該界面材料至少部分地覆蓋該犧牲材料；及移除該犧牲材料之至少一部分以形成由該界面層至少部分覆蓋之一空腔。
简体摘要：制造射频(RF)设备涉及：提供一场效应管(FET)，该FET形成于在一半导体基板上形成之氧化物层上方；移除该半导体基板之至少部分以曝露该氧化物层之一背面之至少一部分；将一牺牲材料施加至该氧化物层之该背面；将一界面材料施加至该氧化物层之该背面的至少一部分，该界面材料至少部分地覆盖该牺牲材料；及移除该牺牲材料之至少一部分以形成由该界面层至少部分覆盖之一空腔。

3. 发明专利

TW201633302A 應變輔助的自旋力矩切換自旋轉移力矩記憶體审中-公开
简体标题：应变辅助的自旋力矩切换自旋转移力矩内存
公开(公告)号：TW201633302A
公开(公告)日：2016-09-16
申请号：TW104127159
申请日：2015-08-20
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：曼尼佩楚尼沙西坎斯 , MANIPATRUNI, SASIKANTH , 尼可諾夫狄米崔 , NIKONOV, DMITRI E. , 坎恩艾希夫 , KHAN, ASIF , 金瑞松 , KIM, RASEONG , 甘尼塔何 , GHANI, TAHIR , 楊艾恩 , YOUNG, IAN A.
IPC分类号： G11C11/16
CPC分类号： H01L27/228 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , H01L27/20 , H01L41/20 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10
摘要：描述一種設備，其包含：磁穿隧接面(MTJ)，其具有一自由磁性層；一壓電層；及一耦合至該自由磁性層和該壓電層之導電應變轉移層。描述一種方法，其包含：以電壓驅動的電容激源來激發壓電層；及經由應變輔助層以寫入至一耦合至該壓電層之MTJ。亦描述一種設備，其包含：電晶體；一耦合至該電晶體之導電應變轉移層；及MTJ裝置，其具有一耦合至該導電應變轉移層之自由磁性層。
简体摘要：描述一种设备，其包含：磁穿隧接面(MTJ)，其具有一自由磁性层；一压电层；及一耦合至该自由磁性层和该压电层之导电应变转移层。描述一种方法，其包含：以电压驱动的电容激源来激发压电层；及经由应变辅助层以写入至一耦合至该压电层之MTJ。亦描述一种设备，其包含：晶体管；一耦合至该晶体管之导电应变转移层；及MTJ设备，其具有一耦合至该导电应变转移层之自由磁性层。

4. 发明专利

TWI238553B 一壓電裝置與其製法,及含有該壓電裝置之記憶體裝置 A PIEZOELECTRIC DEVICE AND A METHOD MAKING THE SAME, AND A MEMORY DEVICE HAVING THE SAME. 失效
简体标题：一压电设备与其制法,及含有该压电设备之内存设备 A PIEZOELECTRIC DEVICE AND A METHOD MAKING THE SAME, AND A MEMORY DEVICE HAVING THE SAME.
公开(公告)号：TWI238553B
公开(公告)日：2005-08-21
申请号：TW092130220
申请日：2003-10-30
申请人：萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：約格阿本列勒 APPENZELLER, JOERG , 費頓阿伏利 AVOURIS, PHAEDON , 李察馬泰爾 MARTEL, RICHARD , 詹姆斯安東尼米斯威契 MISEWICH, JAMES ANTHONY , 阿列將卓蓋布爾碩特 SCHROTT, ALEJANDRO GABRIEL
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G11C13/025 , B82Y10/00 , G11C2213/16 , H01L27/20
摘要：本發明揭示一種壓電裝置之結構與方法，此壓電結構含有一層壓電材料。設置一奈米管結構使此層壓電材料之一形狀改變導致此奈米管結構中一應力之改變。
简体摘要：本发明揭示一种压电设备之结构与方法，此压电结构含有一层压电材料。设置一奈米管结构使此层压电材料之一形状改变导致此奈米管结构中一应力之改变。

5. 发明专利

TW201727227A 用於超音波成像裝置之具有電容消除之像素接收器审中-公开
简体标题：用于超音波成像设备之具有电容消除之像素接收器
公开(公告)号：TW201727227A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105125964
申请日：2016-08-15
申请人：高通公司 , QUALCOMM INCORPORATED
发明人：馬特倫納特卡爾阿克塞爾 , MATHE, LENNART KARL-AXEL , 瓦德華山米爾 , WADHWA, SAMEER , 謝翎立 , XIA, LINGLI
IPC分类号： G01N29/00 , G06K9/20
CPC分类号： A61B5/117 , G01S7/52079 , G01S15/8906 , G06K9/0002 , H01L27/20 , H03K17/975
摘要：本發明揭示一種裝置，諸如用於超音波成像裝置之像素感測器。該裝置包括：耦接至一壓電層之一第一金屬化層，其中一第一電壓回應於自一待成像之物品(例如使用者之指紋)反射且傳播穿過該壓電層的一超音波在該第一金屬化層處形成，且其中該第一金屬化層位於一基板上方；位於該第一金屬化層與該基板之間的一第二金屬化層；及一器件，其經組態以施加一第二電壓至該第二金屬化層以減小該第一金屬化層與該基板之間的一寄生電容。
简体摘要：本发明揭示一种设备，诸如用于超音波成像设备之像素传感器。该设备包括：耦接至一压电层之一第一金属化层，其中一第一电压回应于自一待成像之物品(例如用户之指纹)反射且传播穿过该压电层的一超音波在该第一金属化层处形成，且其中该第一金属化层位于一基板上方；位于该第一金属化层与该基板之间的一第二金属化层；及一器件，其经组态以施加一第二电压至该第二金属化层以减小该第一金属化层与该基板之间的一寄生电容。

6. 发明专利

TWI586182B 一種聲波元件改良結構暨功率放大器與聲波元件整合結構及其製造方法有权
简体标题：一种声波组件改良结构暨功率放大器与声波组件集成结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI586182B
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW104134238
申请日：2015-10-19
申请人：穩懋半導體股份有限公司 , WIN SEMICONDUCTORS CORP.
发明人：蔡緒孝 , TSAI, SHU HSIAO , 林瑞欽 , LIN, RE CHING , 廖珮淳 , LIAO, PEI CHUN , 林正國 , LIN, CHENG KUO , 覃永忠 , CHIN, YUNG CHUNG
IPC分类号： H04R19/00 , H04R31/00 , H01L29/84
CPC分类号： H03H9/02007 , H01L27/20 , H01L41/311 , H01L41/332 , H03H9/0542 , H03H9/13 , H03H9/171 , H03H9/173

7. 发明专利

TWI539179B 感測裝置有权
简体标题：传感设备
公开(公告)号：TWI539179B
公开(公告)日：2016-06-21
申请号：TW103132391
申请日：2014-09-19
申请人：致伸科技股份有限公司 , PRIMAX ELECTRONICS LTD.
发明人：趙崇輝 , CHAO, TSUNG HUI
IPC分类号： G01S7/521 , G01S15/89
CPC分类号： H01L27/20 , B06B1/0692 , G01S15/8925

8. 发明专利

TW200917499A 用於出現偵測的薄膜偵測器 THIN FILM DETECTOR FOR PRESENCE DETECTION 审中-公开
简体标题：用于出现侦测的薄膜侦测器 THIN FILM DETECTOR FOR PRESENCE DETECTION
公开(公告)号：TW200917499A
公开(公告)日：2009-04-16
申请号：TW097124931
申请日：2008-07-02
申请人：皇家飛利浦電子股份有限公司 KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.
发明人：瑪利凱可雷 KLEE, MAREIKE , 克勞斯雷曼 REIMANN, KLAUS , 比裘庫默史畢德漢隆奈爾 SREEDHARAN NAIR, BIJU KUMAR , 羅傑彼得安娜戴爾諾伊傑 DELNOIJ, ROGER PETER ANNA , 亨瑞馬利約瑟布特斯 BOOTS, HENRI MARIE JOSEPH , 克莉斯汀娜亞朶瑞安娜藍德斯 RENDERS, CHRISTINA ADRIANA , 歐雷夫溫尼克 WUNNICKE, OLAF , 德克瑞夫曼 REEFMAN, DERK , 彼得迪克森 DIRKSEN, PETER , 羅納德戴克 DEKKER, RONALD , 漢瑞凡艾奇 VAN ESCH, HARRY , 馬可迪瓦德 DE WILD, MARCO , 路迪格茂索克 MAUCZOK, RUEDIGER , 克里斯凡希奇 VAN HEESCH, CHRIS , 威廉法蘭克帕斯維爾 PASVEER, WILLEM FRANKE , 安奇喬漢尼斯克尼博 KNIBBE, ENGEL JOHANNES , 瑞明哥艾爾菲瑟斯漢瑞克斯伯恩 BREEN, REMCO ALPHONSUS HENDRIKUS
IPC分类号： H01L , G08B
CPC分类号： B06B1/0603 , B06B1/0292 , G08B13/1645 , H01L27/20 , H01L41/0973 , H01L41/314 , Y10T29/42
摘要：提供一種傳感器(800),其中一膜(830)係形成於一前基板(615)上;以及一壓電層(820)係於一作用部分(821)及與該作用部分(821)相鄰定位的周邊部分處形成於該膜(830)上。包括第一與第二電極(840、845)之一圖案化導電層係形成於該壓電層(820)上。此外,提供一後基板結構,其具有位於與該作用部分(821)相鄰之周邊部分處的支撐物(822、824)。該等支撐物(822、824)的高度(826)大於該圖案化壓電層與該圖案化導電層之一組合高度(828)。可連接許多傳感器以形成一陣列,其中可提供一控制器以用於控制該陣列(例如操控該陣列之一束),並處理藉由該陣列接收的信號,(例如)用於出現或運動偵測及/或成像。
简体摘要：提供一种传感器(800),其中一膜(830)系形成于一前基板(615)上;以及一压电层(820)系于一作用部分(821)及与该作用部分(821)相邻定位的周边部分处形成于该膜(830)上。包括第一与第二电极(840、845)之一图案化导电层系形成于该压电层(820)上。此外,提供一后基板结构,其具有位于与该作用部分(821)相邻之周边部分处的支撑物(822、824)。该等支撑物(822、824)的高度(826)大于该图案化压电层与该图案化导电层之一组合高度(828)。可连接许多传感器以形成一数组,其中可提供一控制器以用于控制该数组(例如操控该数组之一束),并处理借由该数组接收的信号,(例如)用于出现或运动侦测及/或成像。

9. 发明专利

TW201625021A 一種聲波元件改良結構暨功率放大器與聲波元件整合結構及其製造方法审中-公开
简体标题：一种声波组件改良结构暨功率放大器与声波组件集成结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201625021A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW104134238
申请日：2015-10-19
申请人：穩懋半導體股份有限公司 , WIN SEMICONDUCTORS CORP.
发明人：蔡緒孝 , TSAI, SHU HSIAO , 林瑞欽 , LIN, RE CHING , 廖珮淳 , LIAO, PEI CHUN , 林正國 , LIN, CHENG KUO , 覃永忠 , CHIN, YUNG CHUNG
IPC分类号： H04R19/00 , H04R31/00 , H01L29/84
CPC分类号： H03H9/02007 , H01L27/20 , H01L41/311 , H01L41/332 , H03H9/0542 , H03H9/13 , H03H9/171 , H03H9/173
摘要：本發明提供一種功率放大器及聲波元件之整合結構，包括：一化合物半導體磊晶基板、形成於該化合物半導體磊晶基板之第一側之上之一功率放大器上層結構以及形成於該化合物半導體磊晶基板之第二側之上之一薄膜體聲波共振器，其中一化合物半導體基板及形成於該化合物半導體基板之上之一磊晶結構構成該化合物半導體磊晶基板；其中該化合物半導體磊晶基板之第一側以及該功率放大器上層結構構成一功率放大器；該化合物半導體磊晶基板之第二側以及該薄膜體聲波共振器構成一聲波元件；藉由將該功率放大器及該聲波元件之整合結構整合於同一該化合物半導體磊晶基板之上，藉以縮小元件體積、最佳化該功率放大器及該聲波元件之阻抗匹配以及減少訊號之損耗。
简体摘要：本发明提供一种功率放大器及声波组件之集成结构，包括：一化合物半导体磊晶基板、形成于该化合物半导体磊晶基板之第一侧之上之一功率放大器上层结构以及形成于该化合物半导体磊晶基板之第二侧之上之一薄膜体声波共振器，其中一化合物半导体基板及形成于该化合物半导体基板之上之一磊晶结构构成该化合物半导体磊晶基板；其中该化合物半导体磊晶基板之第一侧以及该功率放大器上层结构构成一功率放大器；该化合物半导体磊晶基板之第二侧以及该薄膜体声波共振器构成一声波组件；借由将该功率放大器及该声波组件之集成结构集成于同一该化合物半导体磊晶基板之上，借以缩小组件体积、最优化该功率放大器及该声波组件之阻抗匹配以及减少信号之损耗。

10. 发明专利

TW201612545A 感測裝置审中-公开
简体标题：传感设备
公开(公告)号：TW201612545A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW103132391
申请日：2014-09-19
申请人：致伸科技股份有限公司 , PRIMAX ELECTRONICS LTD.
发明人：趙崇輝 , CHAO, TSUNG HUI
IPC分类号： G01S7/521 , G01S15/89
CPC分类号： H01L27/20 , B06B1/0692 , G01S15/8925
摘要：本發明係關於一種感測裝置，用以取得一物體之表面影像。本發明感測裝置包括保護層、設置於保護層之下表面之導電材料層、設置於導電材料層下方之第一導電薄膜層、設置於第一導電薄膜層下方之感測層以及設置於感測層下方之基板。當該物體之一表面按壓於保護層時，感測層傳送感測訊號至該物體之該表面並接收反射自該物體之該表面之反射訊號，而後基板透過第一導電薄膜層將相應於反射訊號之電流訊號傳送至中央處理器，以使中央處理器將電流訊號轉換為物體之表面影像。
简体摘要：本发明系关于一种传感设备，用以取得一物体之表面影像。本发明传感设备包括保护层、设置于保护层之下表面之导电材料层、设置于导电材料层下方之第一导电薄膜层、设置于第一导电薄膜层下方之传感层以及设置于传感层下方之基板。当该物体之一表面按压于保护层时，传感层发送传感信号至该物体之该表面并接收反射自该物体之该表面之反射信号，而后基板透过第一导电薄膜层将相应于反射信号之电流信号发送至中央处理器，以使中央处理器将电流信号转换为物体之表面影像。

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