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1. 发明专利

TWI538112B 一種引線框架之封裝結構及其製造方法有权
简体标题：一种引线框架之封装结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI538112B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW102139711
申请日：2013-11-01
申请人：南茂科技股份有限公司 , CHIPMOS TECHNOLOGIES INC.
发明人：廖宗仁 , LIAO, TSUNG JEN
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/495
CPC分类号： H01L25/105 , H01L23/3107 , H01L23/433 , H01L23/4952 , H01L23/49541 , H01L23/49555 , H01L23/49568 , H01L23/49582 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/50 , H01L2224/1191 , H01L2224/13147 , H01L2224/1626 , H01L2224/811 , H01L2224/8114 , H01L2224/81191 , H01L2224/81815 , H01L2224/81897 , H01L2224/81904 , H01L2224/81951 , H01L2225/1029 , H01L2225/1058 , H01L2924/12042 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014

2. 发明专利

TW201029074A 堆疊及對位複數積體電路的方法及系統、以及製造具有對位及堆疊裝置類型之積體電路的方法 METHOD AND SYSTEM OF STACKING AND ALIGNING A PLURALITY OF INTEGRATED CIRCUITS, AND METHOD OF MANUFACTURING AS INTEGRATED CIRCUIT OF THE TYPE HAVING AN ALIGNMENT AND STACKING DEVICE 审中-公开
简体标题：堆栈及对位复数集成电路的方法及系统、以及制造具有对位及堆栈设备类型之集成电路的方法 METHOD AND SYSTEM OF STACKING AND ALIGNING A PLURALITY OF INTEGRATED CIRCUITS, AND METHOD OF MANUFACTURING AS INTEGRATED CIRCUIT OF THE TYPE HAVING AN ALIGNMENT AND STACKING DEVICE
公开(公告)号：TW201029074A
公开(公告)日：2010-08-01
申请号：TW098144940
申请日：2009-12-25
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：卿愷明
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/05 , H01L23/5283 , H01L24/03 , H01L24/10 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/02126 , H01L2224/0361 , H01L2224/03622 , H01L2224/0401 , H01L2224/05557 , H01L2224/05558 , H01L2224/05572 , H01L2224/05644 , H01L2224/13 , H01L2224/13009 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/13582 , H01L2224/13644 , H01L2224/13655 , H01L2224/16059 , H01L2224/16147 , H01L2224/811 , H01L2224/81139 , H01L2224/8114 , H01L2224/81815 , H01L2225/06513 , H01L2225/06555 , H01L2225/06593 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01002 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/01014 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要：一種堆疊及對位複數積體電路的方法及系統。該方法包含提供一具有至少一漏斗形插槽之第一積體電路，提供一第二積體電路，將第二積體電路至少一突出部與該至少一漏斗形插槽進行對位，以及將該第一積體電路與該第二積體電路進行結合。該系統包含具有至少一漏斗形插槽之第一積體電路，金屬化擴散阻障層配置於該漏斗形插槽之內部，以及一第二積體電路，其中該至少一漏斗形插槽係用以承接該第二積體電路之一突出部。
简体摘要：一种堆栈及对位复数集成电路的方法及系统。该方法包含提供一具有至少一漏斗形插槽之第一集成电路，提供一第二集成电路，将第二集成电路至少一突出部与该至少一漏斗形插槽进行对位，以及将该第一集成电路与该第二集成电路进行结合。该系统包含具有至少一漏斗形插槽之第一集成电路，金属化扩散阻障层配置于该漏斗形插槽之内部，以及一第二集成电路，其中该至少一漏斗形插槽系用以承接该第二集成电路之一突出部。

3. 发明专利

TW201401399A 封裝體及其形成方法审中-公开
简体标题：封装体及其形成方法
公开(公告)号：TW201401399A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW102119545
申请日：2013-06-03
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：林正怡 , LIM, ZHENG-YI , 吳逸文 , WU, YI WEN , 楊宗翰 , YANG, TZONG HANN , 何明哲 , HO, MING CHE , 劉重希 , LIU, CHUNG SHI
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/81 , H01L21/56 , H01L23/3107 , H01L23/3128 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49833 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/13016 , H01L2224/13017 , H01L2224/13018 , H01L2224/13023 , H01L2224/13124 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13582 , H01L2224/13583 , H01L2224/13611 , H01L2224/13644 , H01L2224/13647 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2224/13664 , H01L2224/16148 , H01L2224/16225 , H01L2224/16238 , H01L2224/16501 , H01L2224/16505 , H01L2224/32135 , H01L2224/32141 , H01L2224/32145 , H01L2224/81085 , H01L2224/811 , H01L2224/8112 , H01L2224/81121 , H01L2224/81193 , H01L2224/81232 , H01L2224/81355 , H01L2224/81359 , H01L2224/81801 , H01L2224/8192 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/15311 , H01L2924/1533 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/18161 , H01L2924/3841 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/01005 , H01L2924/01074 , H01L2924/01015 , H01L2924/06 , H01L2924/00
摘要：一種方法，包括將一封裝元件之一第一電連接器對準一第二封裝元件之一第二電連接器。在第一電連接器對準第二連接器後，將一金屬層電鍍至第一及第二電連接器上。金屬層將第一電連接器與第二連接器接合。
简体摘要：一种方法，包括将一封装组件之一第一电连接器对准一第二封装组件之一第二电连接器。在第一电连接器对准第二连接器后，将一金属层电镀至第一及第二电连接器上。金属层将第一电连接器与第二连接器接合。

4. 发明专利

TW200933756A 半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME 审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME
公开(公告)号：TW200933756A
公开(公告)日：2009-08-01
申请号：TW097131279
申请日：2008-08-15
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 YAMAZAKI, SHUNPEI , 湯川幹央 YUKAWA, MIKIO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/528 , H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L23/3675 , H01L23/481 , H01L23/53209 , H01L23/53228 , H01L23/53242 , H01L24/08 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/90 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68372 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/08146 , H01L2224/13009 , H01L2224/13025 , H01L2224/13099 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13169 , H01L2224/16 , H01L2224/16235 , H01L2224/2919 , H01L2224/73253 , H01L2224/80895 , H01L2224/81001 , H01L2224/811 , H01L2224/81136 , H01L2224/81801 , H01L2224/81894 , H01L2224/83138 , H01L2224/83851 , H01L2224/83907 , H01L2224/90 , H01L2224/9202 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/19041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要：藉由CMP等對設有積體電路的半導體基板進行研磨,並藉由在半導體基板中形成脆化層,且分離半導體基板的一部分,以使半導體基板做成薄膜;因此,能夠獲得到比以往更薄之諸如IC晶片及LSI晶片的半導體晶片。而且,此種經薄化之LSI晶片被層疊,並經由穿透過半導體基板的佈線而被電連接;因而,獲得到具有改善之集成密度的三維半導體積體電路。
简体摘要：借由CMP等对设有集成电路的半导体基板进行研磨,并借由在半导体基板中形成脆化层,且分离半导体基板的一部分,以使半导体基板做成薄膜;因此,能够获得到比以往更薄之诸如IC芯片及LSI芯片的半导体芯片。而且,此种经薄化之LSI芯片被层叠,并经由穿透过半导体基板的布线而被电连接;因而,获得到具有改善之集成密度的三维半导体集成电路。

7. 发明专利

TW200703525A IC封裝結構审中-公开
简体标题： IC封装结构
公开(公告)号：TW200703525A
公开(公告)日：2007-01-16
申请号：TW094123246
申请日：2005-07-08
申请人：王祿山
发明人：王祿山
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/32 , H01L2224/13111 , H01L2224/17106 , H01L2224/29101 , H01L2224/3201 , H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/73204 , H01L2224/811 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要：一種IC封裝結構,包括一基板、一晶片、複數錫球及一底部填充材,該基板以金屬材料(如銅或鋁)製成,該晶片係設置於該基板上方,該等錫球設置於該晶片與基板之間,該等錫球上緣及下緣分別連接於晶片及基板,該底部填充材係為低熔點金屬合金,該底部填充材填充於該晶片與基板之間;藉此,使得晶片產生的高溫可經由基板向下傳遞,使其散熱效率較佳;另,可利用設於基板及晶片之間的低熔點金屬合金提供緩衝的功能,可有效的吸收基板、晶片的變形,以減輕因晶片及基板熱膨脹係數差距所造成的應力,有效的防止翹曲、斷裂、晶片脫落等情況發生。
简体摘要：一种IC封装结构,包括一基板、一芯片、复数锡球及一底部填充材,该基板以金属材料(如铜或铝)制成,该芯片系设置于该基板上方,该等锡球设置于该芯片与基板之间,该等锡球上缘及下缘分别连接于芯片及基板,该底部填充材系为低熔点金属合金,该底部填充材填充于该芯片与基板之间;借此,使得芯片产生的高温可经由基板向下传递,使其散热效率较佳;另,可利用设于基板及芯片之间的低熔点金属合金提供缓冲的功能,可有效的吸收基板、芯片的变形,以减轻因芯片及基板热膨胀系数差距所造成的应力,有效的防止翘曲、断裂、芯片脱落等情况发生。

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