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1. 发明专利

TW201030813A 於基板上形成多摻雜接面之方法 METHODS OF FORMING MULTI-DOPED JUNCTIONS ON A SUBSTRATE 审中-公开
简体标题：于基板上形成多掺杂接面之方法 METHODS OF FORMING MULTI-DOPED JUNCTIONS ON A SUBSTRATE
公开(公告)号：TW201030813A
公开(公告)日：2010-08-16
申请号：TW098136546
申请日：2009-10-28
申请人：創新發光體公司
发明人：夏山尼爾 , 亞伯特瑪可曼
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/228 , H01L21/223 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：本發明揭示一種在一基板上形成一多摻雜接面之方法。該方法包含提供摻雜硼之基板,該基板包含一具有一第一表面區域及一第二表面區域之第一基板表面。該方法亦包含在該第一表面區域上沈積一第一組奈米粒子,該第一組奈米粒子包含一第一摻雜物。該方法進一步包含在一惰性環境中加熱該基板至一第一溫度並且持續一第一時間段,以建立一第一稠密膜,且進一步在該第一表面區域下,於該基板中,建立一具有一第一擴散深度之第一擴散區域。該方法亦包含在一第二溫度下暴露該基板至包含磷之一擴散氣體並且持續一第二時間段,以在該第一基板表面上建立一PSG(磷矽酸鹽玻璃)層,且進一步在該第二表面區域下,於該基板中,建立一具有一第二擴散深度的第二擴散區域,其中該第一擴散區域鄰近於該第二擴散區域。該方法進一步包含在一第三溫度下暴露該基板至一種氧化氣體並且持續一第三時間段,其中於該PSG層與該基板表面之間形成一SiO2層,其中該第一擴散深度大體上大於該第二擴散深度。
简体摘要：本发明揭示一种在一基板上形成一多掺杂接面之方法。该方法包含提供掺杂硼之基板,该基板包含一具有一第一表面区域及一第二表面区域之第一基板表面。该方法亦包含在该第一表面区域上沉积一第一组奈米粒子,该第一组奈米粒子包含一第一掺杂物。该方法进一步包含在一惰性环境中加热该基板至一第一温度并且持续一第一时间段,以创建一第一稠密膜,且进一步在该第一表面区域下,于该基板中,创建一具有一第一扩散深度之第一扩散区域。该方法亦包含在一第二温度下暴露该基板至包含磷之一扩散气体并且持续一第二时间段,以在该第一基板表面上创建一PSG(磷硅酸盐玻璃)层,且进一步在该第二表面区域下,于该基板中,创建一具有一第二扩散深度的第二扩散区域,其中该第一扩散区域邻近于该第二扩散区域。该方法进一步包含在一第三温度下暴露该基板至一种氧化气体并且持续一第三时间段,其中于该PSG层与该基板表面之间形成一SiO2层,其中该第一扩散深度大体上大于该第二扩散深度。

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