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1. 发明专利

TW201312754A 形成半導體結構的方法與設備审中-公开
简体标题：形成半导体结构的方法与设备
公开(公告)号：TW201312754A
公开(公告)日：2013-03-16
申请号：TW101126982
申请日：2012-07-26
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：桑契斯愛羅安東尼歐C , SANCHEZ, ERROL ANTONIO C. , 黃怡喬 , HUANG, YI CHIAU
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/0262 , H01L21/02441 , H01L21/02488 , H01L21/02505 , H01L21/02532 , H01L29/1054 , H01L29/165 , H01L29/517 , H01L29/66575 , H01L29/7848
摘要：本文揭露了形成半導體結構的方法與設備。在某些實施例中，半導體結構可包括：第一鍺碳層，具有第一側及相對第二側；含鍺層，直接接觸第一鍺碳層的第一側；以及第一矽層，直接接觸第一鍺碳層的相對第二側。在某些實施例中，形成半導體結構的方法可包括下列步驟：形成第一鍺碳層於第一矽層的頂上；以及形成含鍺層於第一鍺碳層的頂上。
简体摘要：本文揭露了形成半导体结构的方法与设备。在某些实施例中，半导体结构可包括：第一锗碳层，具有第一侧及相对第二侧；含锗层，直接接触第一锗碳层的第一侧；以及第一硅层，直接接触第一锗碳层的相对第二侧。在某些实施例中，形成半导体结构的方法可包括下列步骤：形成第一锗碳层于第一硅层的顶上；以及形成含锗层于第一锗碳层的顶上。

3. 发明专利

TWI566277B 在基板上沉積III-V族層的方法有权
简体标题：在基板上沉积III-V族层的方法
公开(公告)号：TWI566277B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：TW102100950
申请日：2013-01-10
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：桑契斯愛羅安東尼歐C , SANCHEZ, ERROL ANTONIO C. , 黃怡喬 , HUANG, YI CHIAU , 包欣玉 , BAO, XINYU
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/0254 , H01L21/02636 , H01L21/28525 , H01L21/28556 , H01L21/3065

4. 发明专利

TWI484556B 在矽基材上形成高生長速率低電阻率的鍺膜之方法（二）有权
简体标题：在硅基材上形成高生长速率低电阻率的锗膜之方法（二）
公开(公告)号：TWI484556B
公开(公告)日：2015-05-11
申请号：TW101119801
申请日：2012-06-01
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：黃怡喬 , HUANG, YI CHIAU , 桑契斯愛羅安東尼歐C , SANCHEZ, ERROL ANTONIO C. , 陶獻之 , TAO, XIANZHI
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/0237 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/0262

5. 发明专利

TWI520335B 形成半導體結構的方法與設備有权
简体标题：形成半导体结构的方法与设备
公开(公告)号：TWI520335B
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW101126982
申请日：2012-07-26
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：桑契斯愛羅安東尼歐C , SANCHEZ, ERROL ANTONIO C. , 黃怡喬 , HUANG, YI CHIAU
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/0262 , H01L21/02441 , H01L21/02488 , H01L21/02505 , H01L21/02532 , H01L29/1054 , H01L29/165 , H01L29/517 , H01L29/66575 , H01L29/7848

6. 发明专利

TW201331989A 在基板上沉積ＩＩＩ－Ｖ族層的方法审中-公开
简体标题：在基板上沉积ＩＩＩ－Ｖ族层的方法
公开(公告)号：TW201331989A
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW102100950
申请日：2013-01-10
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：桑契斯愛羅安東尼歐C , SANCHEZ, ERROL ANTONIO C. , 黃怡喬 , HUANG, YI CHIAU , 包欣玉 , BAO, XINYU
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/0254 , H01L21/02636 , H01L21/28525 , H01L21/28556 , H01L21/3065
摘要：本文揭露了用於將III-V族層沉積於基板上之方法。在某些實施例中，一種方法包括下列步驟：在範圍自約300攝氏度至約400攝氏度之第一溫度下，將第一層沉積於含矽表面上，該第一層包含第一III族元素或第一V族元素中之至少一者，該含矽表面定向於晶向；以及在範圍自約300攝氏度至約600攝氏度之第二溫度下，將第二層沉積於該第一層頂部，該第二層包含第二III族元素及第二V族元素。
简体摘要：本文揭露了用于将III-V族层沉积于基板上之方法。在某些实施例中，一种方法包括下列步骤：在范围自约300摄氏度至约400摄氏度之第一温度下，将第一层沉积于含硅表面上，该第一层包含第一III族元素或第一V族元素中之至少一者，该含硅表面定向于<111>晶向；以及在范围自约300摄氏度至约600摄氏度之第二温度下，将第二层沉积于该第一层顶部，该第二层包含第二III族元素及第二V族元素。

7. 发明专利

TW201306126A 在矽基材上形成高生長速率低電阻率的鍺膜之方法（二）审中-公开
简体标题：在硅基材上形成高生长速率低电阻率的锗膜之方法（二）
公开(公告)号：TW201306126A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW101119801
申请日：2012-06-01
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：黃怡喬 , HUANG, YI CHIAU , 桑契斯愛羅安東尼歐C , SANCHEZ, ERROL ANTONIO C. , 陶獻之 , TAO, XIANZHI
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/0237 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/0262
摘要：在此提供一種形成摻雜半導體層於基材上的方法。在該基材上形成基礎層，該基礎層的晶體結構與摻雜半導體層的熱力上有益之晶體結構相容，並且將該基礎層退火(或表面退火)以實質上使基礎層的表面結晶。該摻雜半導體層形成在該基礎層上。每一層可由諸如CVD的氣相沉積製程形成。該基礎層可以是鍺，而該摻雜半導體層可以是磷摻雜的鍺。
简体摘要：在此提供一种形成掺杂半导体层于基材上的方法。在该基材上形成基础层，该基础层的晶体结构与掺杂半导体层的热力上有益之晶体结构兼容，并且将该基础层退火(或表面退火)以实质上使基础层的表面结晶。该掺杂半导体层形成在该基础层上。每一层可由诸如CVD的气相沉积制程形成。该基础层可以是锗，而该掺杂半导体层可以是磷掺杂的锗。

8. 发明专利

TW201301399A 在矽基材上形成高生長速率低電阻率的鍺膜之方法〈一〉审中-公开
简体标题：在硅基材上形成高生长速率低电阻率的锗膜之方法〈一〉
公开(公告)号：TW201301399A
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW101118216
申请日：2012-05-22
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：黃怡喬 , HUANG, YI CHIAU , 桑契斯愛羅安東尼歐C , SANCHEZ, ERROL ANTONIO C. , 陶獻之 , TAO, XIANZHI
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/0237 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/0262
摘要：在此提供一種形成摻雜半導體層於基材上的方法。在該基材上形成基礎層，該基礎層的晶體結構與摻雜半導體層的熱力上有益之晶體結構相容，並且將該基礎層退火(或表面退火)以實質上使基礎層的表面結晶。該摻雜半導體層形成在該基礎層上。每一層可由諸如CVD的氣相沉積製程形成。該基礎層可以是鍺，而該摻雜半導體層可以是磷摻雜的鍺。
简体摘要：在此提供一种形成掺杂半导体层于基材上的方法。在该基材上形成基础层，该基础层的晶体结构与掺杂半导体层的热力上有益之晶体结构兼容，并且将该基础层退火(或表面退火)以实质上使基础层的表面结晶。该掺杂半导体层形成在该基础层上。每一层可由诸如CVD的气相沉积制程形成。该基础层可以是锗，而该掺杂半导体层可以是磷掺杂的锗。

9. 发明专利

TW201222669A 沉積含鍺層之方法 METHODS FOR DEPOSITING GERMANIUM-CONTAINING LAYERS 失效
简体标题：沉积含锗层之方法 METHODS FOR DEPOSITING GERMANIUM-CONTAINING LAYERS
公开(公告)号：TW201222669A
公开(公告)日：2012-06-01
申请号：TW100126646
申请日：2011-07-27
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：聖契茲艾羅 , 黃怡喬 , 卡爾森大衛K
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02381 , H01L21/0237 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/02535 , H01L21/02573 , H01L21/0262
摘要：在此提供用於沉積含鍺層於含矽層上的方法。在一些實施例中，一種方法可包括以下步驟：沉積一第一層於該含矽層的一上表面頂上，其中該第一層主要包含鍺(Ge)並且進一步包含一晶格調整元素，該晶格調整元素具有選以強化多個摻質元素的電活性的一濃度，其中該等摻質元素配置在該第一層的至少一者中或配置在沉積於該第一層頂上的一視情況任選的第二層中，其中該視情況任選的第二層若存在時則主要包含鍺(Ge)。在一些實施例中，該第二層沉積在該第一層頂上。在一些實施例中，該第二層包含鍺(Ge)與多個摻質元素。
简体摘要：在此提供用于沉积含锗层于含硅层上的方法。在一些实施例中，一种方法可包括以下步骤：沉积一第一层于该含硅层的一上表面顶上，其中该第一层主要包含锗(Ge)并且进一步包含一晶格调整元素，该晶格调整元素具有选以强化多个掺质元素的电活性的一浓度，其中该等掺质元素配置在该第一层的至少一者中或配置在沉积于该第一层顶上的一视情况任选的第二层中，其中该视情况任选的第二层若存在时则主要包含锗(Ge)。在一些实施例中，该第二层沉积在该第一层顶上。在一些实施例中，该第二层包含锗(Ge)与多个掺质元素。

10. 发明专利

TWI521600B 在矽基材上形成高生長速率低電阻率的鍺膜之方法〈一〉有权
简体标题：在硅基材上形成高生长速率低电阻率的锗膜之方法〈一〉
公开(公告)号：TWI521600B
公开(公告)日：2016-02-11
申请号：TW101118216
申请日：2012-05-22
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：黃怡喬 , HUANG, YI CHIAU , 桑契斯愛羅安東尼歐C , SANCHEZ, ERROL ANTONIO C. , 陶獻之 , TAO, XIANZHI
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/0237 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/0262

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