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1. 发明专利

TWI552173B 熱敏電阻用金屬氮化物材料及其製造方法及薄膜型熱敏電阻有权
简体标题：热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法及薄膜型热敏电阻
公开(公告)号：TWI552173B
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW102106961
申请日：2013-02-27
申请人：三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
发明人：藤田利晃 , FUJITA, TOSHIAKI , 田中寛 , TANAKA, HIROSHI , 稲場均 , INABA, HITOSHI , 藤原和崇 , FUJIWARA, KAZUTAKA , 長友憲昭 , NAGATOMO, NORIAKI
IPC分类号： H01C7/04
CPC分类号： H01C7/008 , C30B25/06 , C30B29/38 , G01K7/22 , H01C7/023 , H01C7/04 , H01C7/043 , H01C17/12

2. 发明专利

TWI433827B ＮＴＣ熱阻器用半導體瓷器組合物及ＮＴＣ熱阻器有权
简体标题：ＮＴＣ热阻器用半导体瓷器组合物及ＮＴＣ热阻器
公开(公告)号：TWI433827B
公开(公告)日：2014-04-11
申请号：TW100100523
申请日：2011-01-06
申请人：村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：三上三知 , MIKAMI, MICHIRU
IPC分类号： C04B35/71 , H01C7/04
CPC分类号： H01C7/043 , C04B35/016 , C04B35/265 , C04B2235/3263 , C04B2235/3272 , C04B2235/3277 , C04B2235/3279 , C04B2235/6025 , C04B2235/96 , H01C1/148 , H01C7/18

3. 发明专利

TW406061B 含銦之氧化物陶瓷熱阻器失效
简体标题：含铟之氧化物陶瓷热阻器
公开(公告)号：TW406061B
公开(公告)日：2000-09-21
申请号：TW086107536
申请日：1997-06-02
申请人：皇家飛利浦電子股份有限公司
发明人：威西姆亞伯特葛洛恩
IPC分类号： C04B
CPC分类号： H01C7/043
摘要：一種包含具有氧化物尖晶石之半導體陶瓷之熱阻器，該氧化物尖晶石包含錳、鎳及銦元素。具有該組成之熱阻器為熱安定性，且其特徵為具有高電阻係數及高B-值。
简体摘要：一种包含具有氧化物尖晶石之半导体陶瓷之热阻器，该氧化物尖晶石包含锰、镍及铟元素。具有该组成之热阻器为热安定性，且其特征为具有高电阻系数及高B-值。

4. 发明专利

TW201351450A 熱敏電阻用金屬氮化物材料及其製造方法及薄膜型熱敏電阻审中-公开
简体标题：热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法及薄膜型热敏电阻
公开(公告)号：TW201351450A
公开(公告)日：2013-12-16
申请号：TW102106961
申请日：2013-02-27
申请人：三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
发明人：藤田利晃 , FUJITA, TOSHIAKI , 田中寛 , TANAKA, HIROSHI , 稲場均 , INABA, HITOSHI , 藤原和崇 , FUJIWARA, KAZUTAKA , 長友憲昭 , NAGATOMO, NORIAKI
IPC分类号： H01C7/04
CPC分类号： H01C7/008 , C30B25/06 , C30B29/38 , G01K7/22 , H01C7/023 , H01C7/04 , H01C7/043 , H01C17/12
摘要：本發明係提供一種可以非燒成處理直接成膜成薄膜等，具有高的耐熱性且高信賴性之熱敏電阻用金屬氮化物材料及其製造方法及薄膜型熱敏電阻。熱敏電阻用金屬氮化物材料係由以一般式：TixAlyNz(0.70≦y/(x+y)≦0.95、0.4≦z≦0.5、x+y+z=1)表示的金屬氮化物而成，其結晶構造為六方晶系纖鋅礦型單相。
简体摘要：本发明系提供一种可以非烧成处理直接成膜成薄膜等，具有高的耐热性且高信赖性之热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法及薄膜型热敏电阻。热敏电阻用金属氮化物材料系由以一般式：TixAlyNz(0.70≦y/(x+y)≦0.95、0.4≦z≦0.5、x+y+z=1)表示的金属氮化物而成，其结晶构造为六方晶系纤锌矿型单相。

5. 发明专利

TWI369695B ＮＴＣ熱阻器陶瓷器及使用其之ＮＴＣ熱阻器有权
简体标题：ＮＴＣ热阻器陶瓷器及使用其之ＮＴＣ热阻器
公开(公告)号：TWI369695B
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：TW096136476
申请日：2007-09-28
申请人：村田製作所股份有限公司
发明人：古戶聖浩
IPC分类号： H01C
CPC分类号： H01C7/043
摘要：本發明提供一種耐壓性更加優良之NTC熱阻器陶瓷器與NTC熱限器。NTC熱阻器陶瓷器包含錳與鎳，(含錳量)/(含鎳量)之比率為87/13以上96/4以下，或者包含錳與鈷，(含錳量)/(含鈷量)之比率為60/40以上90/10以下，且包含作為母相之第1相及分散於該第1相中之包含片狀結晶之第2相，第2相顯示出相對高於第1相之電阻，第2相之含錳量高於第1相，第1相具有尖晶石構造。NTC熱阻器(1)具備包含具有上述特徵之NTC熱阻器陶瓷器的陶瓷體(20)、形成於陶瓷體(20)內部之內部電極層(11)及形成於陶瓷體(20)兩端面的外部電極層(12)。
简体摘要：本发明提供一种耐压性更加优良之NTC热阻器陶瓷器与NTC热限器。NTC热阻器陶瓷器包含锰与镍，(含锰量)/(含镍量)之比率为87/13以上96/4以下，或者包含锰与钴，(含锰量)/(含钴量)之比率为60/40以上90/10以下，且包含作为母相之第1相及分散于该第1相中之包含片状结晶之第2相，第2相显示出相对高于第1相之电阻，第2相之含锰量高于第1相，第1相具有尖晶石构造。NTC热阻器(1)具备包含具有上述特征之NTC热阻器陶瓷器的陶瓷体(20)、形成于陶瓷体(20)内部之内部电极层(11)及形成于陶瓷体(20)两端面的外部电极层(12)。

6. 发明专利

TW200701262A 表面安裝型負特性熱阻器审中-公开
简体标题：表面安装型负特性热阻器
公开(公告)号：TW200701262A
公开(公告)日：2007-01-01
申请号：TW095104259
申请日：2006-02-08
申请人：村田製作所股份有限公司 MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：三浦忠將 MIURA, TADAMASA , 繩井伸一郎 NAWAI, SHINICHIRO
IPC分类号： H01C
CPC分类号： C04B35/016 , B32B2311/08 , C04B35/01 , C04B35/6262 , C04B35/6263 , C04B2235/3232 , C04B2235/3263 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3277 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/6025 , C04B2235/763 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , C04B2235/9669 , C04B2237/34 , C04B2237/408 , H01C1/148 , H01C7/041 , H01C7/043 , H01C7/045 , H01C7/18
摘要：本發明提供一種不必形成玻璃層,即可防止電鍍液侵蝕陶瓷素體,且陶瓷素體之素體强度高而具有優異之可靠性之表面安裝型負特性熱阻器。本發明之表面安裝型負特性熱阻器1之特徵在於:包含由含Mn、Ni及Ti中至少任一者之半導體陶瓷材料構成之陶瓷素體4、形成於前述陶瓷素體4表面之外部電極5及形成於前述外部電極5表面之電鍍膜6,設前述半導體陶瓷材料所含之Mn之莫耳量為a、Ni之莫耳量為b時,Mn與Ni之莫耳比為55/45≦a/b≦90/10,且設前述半導體陶瓷材料中Mn及Ni之總莫耳量為100莫耳份時,在0.5莫耳份以上25.0莫耳份以下之範圍含有Ti者。
简体摘要：本发明提供一种不必形成玻璃层,即可防止电镀液侵蚀陶瓷素体,且陶瓷素体之素体强度高而具有优异之可靠性之表面安装型负特性热阻器。本发明之表面安装型负特性热阻器1之特征在于:包含由含Mn、Ni及Ti中至少任一者之半导体陶瓷材料构成之陶瓷素体4、形成于前述陶瓷素体4表面之外部电极5及形成于前述外部电极5表面之电镀膜6,设前述半导体陶瓷材料所含之Mn之莫耳量为a、Ni之莫耳量为b时,Mn与Ni之莫耳比为55/45≦a/b≦90/10,且设前述半导体陶瓷材料中Mn及Ni之总莫耳量为100莫耳份时,在0.5莫耳份以上25.0莫耳份以下之范围含有Ti者。

7. 发明专利

TW539648B 高度反應活性之碳酸鋇失效
简体标题：高度反应活性之碳酸钡
公开(公告)号：TW539648B
公开(公告)日：2003-07-01
申请号：TW089128392
申请日：2000-12-30
申请人：索爾威巴林史托隆提姆有限公司
发明人：卡爾科勒 , 亞沃帕克 , 費迪南德哈廷浩斯 , 烏利希柯恩 , 魯卡拜希
IPC分类号： C01F
CPC分类号： B82Y30/00 , C01F11/188 , C01P2004/51 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2006/12 , H01C7/023 , H01C7/043 , H01G4/1209
摘要：本發明係關於一種高度反應活性之碳酸鋇，其係描述在使用一抑制結晶增長之媒介下，所製備之一微粒化之碳酸鋇，以及其之一製備方法及應用。製備所得之微粒化、具有一BET-表層面積至少為32m2/g之碳酸鋇，由於其極高度之活性，尤其適合用作製備聚光器、熱敏電阻及其他含有氧化鈣、氧化鋇或氧化鍶之氧化物陶瓷電子零件以及高溫超導體。作為抑制結晶增長之媒介，採用碳酸之銨鹽及烷基銨鹽，其總共有3至12個碳原子，以及至少兩個COOH官能基或至少兩個OH官能基，例如順丁烯二酸或檸檬酸之鹽類。
简体摘要：本发明系关于一种高度反应活性之碳酸钡，其系描述在使用一抑制结晶增长之媒介下，所制备之一微粒化之碳酸钡，以及其之一制备方法及应用。制备所得之微粒化、具有一BET-表层面积至少为32m2/g之碳酸钡，由于其极高度之活性，尤其适合用作制备聚光器、热敏电阻及其他含有氧化钙、氧化钡或氧化锶之氧化物陶瓷电子零件以及高温超导体。作为抑制结晶增长之媒介，采用碳酸之铵盐及烷基铵盐，其总共有3至12个碳原子，以及至少两个COOH官能基或至少两个OH官能基，例如顺丁烯二酸或柠檬酸之盐类。

8. 发明专利

TW293183B 具有負電阻/溫度特性之半導體陶瓷及利用此材料之半導體陶瓷元件失效
简体标题：具有负电阻/温度特性之半导体陶瓷及利用此材料之半导体陶瓷组件
公开(公告)号：TW293183B
公开(公告)日：1996-12-11
申请号：TW085100527
申请日：1996-01-17
申请人：村田製作所股份有限公司
发明人：三原賢二郎 , 石川輝信 , 新見秀明
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01C7/043
摘要：本發明提供一種具負電阻／溫度特性，由化學式 Y/-xCax MnO3（X=0.2至0.6）表示之YCaMn型氧化物陶瓷構成的半導體陶瓷。進一步地，本發明提供一種半導體陶瓷元件，其包括一具負電阻／溫度特性的陶瓷本體與形成於陶瓷本體上的電極。該陶瓷本體係由一藉由化學式 Y/-xCax MnO3（X=0.2至0.6）表示之YCaMn型氧化物陶瓷製得。
简体摘要：本发明提供一种具负电阻／温度特性，由化学式 Y/-xCax MnO3（X=0.2至0.6）表示之YCaMn型氧化物陶瓷构成的半导体陶瓷。进一步地，本发明提供一种半导体陶瓷组件，其包括一具负电阻／温度特性的陶瓷本体与形成于陶瓷本体上的电极。该陶瓷本体系由一借由化学式 Y/-xCax MnO3（X=0.2至0.6）表示之YCaMn型氧化物陶瓷制得。

9. 发明专利

TWI382430B ＮＴＣ熱阻體瓷器及ＮＴＣ熱阻體瓷器之製造方法與ＮＴＣ熱阻體有权
简体标题：ＮＴＣ热阻体瓷器及ＮＴＣ热阻体瓷器之制造方法与ＮＴＣ热阻体
公开(公告)号：TWI382430B
公开(公告)日：2013-01-11
申请号：TW098110320
申请日：2009-03-27
申请人：村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：古戶聖浩 , KOTO, KIYOHIRO , 熊取谷誠人 , KUMATORIYA, MAKOTO
IPC分类号： H01C7/04
CPC分类号： H01C7/043 , H01C17/06533 , H01C17/06553 , H01C17/30

10. 发明专利

TW201139326A ＮＴＣ熱阻器用半導體瓷器組合物及ＮＴＣ熱阻器审中-公开
简体标题：ＮＴＣ热阻器用半导体瓷器组合物及ＮＴＣ热阻器
公开(公告)号：TW201139326A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：TW100100523
申请日：2011-01-06
申请人：村田製作所股份有限公司
发明人：三上三知
IPC分类号： C04B , H01C
CPC分类号： H01C7/043 , C04B35/016 , C04B35/265 , C04B2235/3263 , C04B2235/3272 , C04B2235/3277 , C04B2235/3279 , C04B2235/6025 , C04B2235/96 , H01C1/148 , H01C7/18
摘要：本發明提供一種NTC熱阻器用半導體瓷器組合物，其焙燒溫度依賴性低，且可縮小電阻調整操作後之電阻值之偏差，又，可縮小高溫環境下之電阻變動。本發明之用以構成NTC熱阻器1之零件本體2所使用之半導體瓷器組合物，其包含Mn、Ni及Fe，Mn與Ni合計成100莫耳%時之各個元素之莫耳比率係Mn為70~80莫耳%，Ni為20~30莫耳%，且使Mn與Ni之總莫耳量為100莫耳份時，Fe含量為15莫耳份以上且25莫耳份以下。較佳為使Mn與Ni之總莫耳量為100莫耳份時，於2莫耳份以上且40莫耳份以下之範圍內進而含有Co。
简体摘要：本发明提供一种NTC热阻器用半导体瓷器组合物，其焙烧温度依赖性低，且可缩小电阻调整操作后之电阻值之偏差，又，可缩小高温环境下之电阻变动。本发明之用以构成NTC热阻器1之零件本体2所使用之半导体瓷器组合物，其包含Mn、Ni及Fe，Mn与Ni合计成100莫耳%时之各个元素之莫耳比率系Mn为70~80莫耳%，Ni为20~30莫耳%，且使Mn与Ni之总莫耳量为100莫耳份时，Fe含量为15莫耳份以上且25莫耳份以下。较佳为使Mn与Ni之总莫耳量为100莫耳份时，于2莫耳份以上且40莫耳份以下之范围内进而含有Co。

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