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1. 发明专利

TWI552173B 熱敏電阻用金屬氮化物材料及其製造方法及薄膜型熱敏電阻有权
简体标题：热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法及薄膜型热敏电阻
公开(公告)号：TWI552173B
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW102106961
申请日：2013-02-27
申请人：三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
发明人：藤田利晃 , FUJITA, TOSHIAKI , 田中寛 , TANAKA, HIROSHI , 稲場均 , INABA, HITOSHI , 藤原和崇 , FUJIWARA, KAZUTAKA , 長友憲昭 , NAGATOMO, NORIAKI
IPC分类号： H01C7/04
CPC分类号： H01C7/008 , C30B25/06 , C30B29/38 , G01K7/22 , H01C7/023 , H01C7/04 , H01C7/043 , H01C17/12

2. 发明专利

TW201614797A 厚膜電阻體及其製造方法审中-公开
简体标题：厚膜电阻体及其制造方法
公开(公告)号：TW201614797A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW104129102
申请日：2015-09-03
申请人：昭榮化學工業股份有限公司 , SHOEI CHEMICAL INC.
发明人：真島浩 , MASHIMA, HIROSHI , 諸藤友架里 , MOROFUJI, YUKARI
IPC分类号： H01L27/01 , H01L21/62
CPC分类号： H01C7/003 , C03C3/068 , C03C3/072 , C03C3/074 , C03C3/085 , C03C3/087 , C03C3/089 , C03C3/091 , C03C3/093 , C03C3/105 , C03C3/108 , C03C4/14 , C03C8/02 , C03C8/04 , C03C8/10 , C03C8/18 , C03C8/22 , C03C2204/00 , C03C2205/00 , C09D11/03 , C09D11/037 , C09D11/52 , H01B1/08 , H01B1/14 , H01B1/20 , H01C7/00 , H01C7/023 , H01C17/06533
摘要：本發明的目的係在於提供一種厚膜電阻體，排除來自導電性成分及玻璃的有害的鉛成分，而且在廣泛的電阻區就電阻值、TCR特性、電流雜音特性、耐電壓特性等之特性來說具備與先前技術同等或其以上之優異的特性。本發明為一種厚膜電阻體，其係為包含電阻組成物之煅燒物的厚膜電阻體，包含含有二氧化釕之釕系導電性粒子、及實質上未含有鉛成分之玻璃成分，具有100Ω/□~10MΩ/□之範圍內的電阻值，且電阻溫度係數為±100ppm/℃以下。
简体摘要：本发明的目的系在于提供一种厚膜电阻体，排除来自导电性成分及玻璃的有害的铅成分，而且在广泛的电阻区就电阻值、TCR特性、电流杂音特性、耐电压特性等之特性来说具备与先前技术同等或其以上之优异的特性。本发明为一种厚膜电阻体，其系为包含电阻组成物之煅烧物的厚膜电阻体，包含含有二氧化钌之钌系导电性粒子、及实质上未含有铅成分之玻璃成分，具有100Ω/□~10MΩ/□之范围内的电阻值，且电阻温度系数为±100ppm/℃以下。

3. 发明专利

TW200947475A 半導體瓷器組成物－電極黏合體之製造方法失效
简体标题：半导体瓷器组成物－电极黏合体之制造方法
公开(公告)号：TW200947475A
公开(公告)日：2009-11-16
申请号：TW098109670
申请日：2009-03-25
申请人：日立金屬股份有限公司
发明人：豬野健太郎 , 島田武司
IPC分类号： H01C
CPC分类号： C04B35/4682 , C01G23/003 , C01G29/006 , C01G33/006 , C01P2002/52 , C01P2004/03 , C01P2006/40 , C04B35/62675 , C04B35/62685 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3227 , C04B2235/3234 , C04B2235/3251 , C04B2235/3294 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C04B2235/608 , C04B2235/656 , C04B2235/6567 , C04B2235/6584 , C04B2235/662 , C04B2235/85 , H01C7/02 , H01C7/023
摘要：本發明係關於一種由發明者所提出之BaTiO3中之一部分Ba被Bi-Na取代、晶界具有P型半導體之半導體瓷器組成物，其目的在於提供一種室溫電阻率較低（為100 Ω．cm以下），且能減小通電之時效變化的半導體瓷器組成物-電極黏合體。本發明係一種半導體瓷器組成物-電極黏合體之製造方法，該半導體瓷器組成物-電極黏合體係於BaTiO3中之一部分Ba被Bi-Na取代、晶界具有P型半導體之半導體瓷器組成物上黏合有電極者，該半導體瓷器組成物-電極黏合體之製造方法中，係於電極黏合之後以100℃以上、600℃以下之溫度進行0.5小時以上、24小時以下的熱處理。
简体摘要：本发明系关于一种由发明者所提出之BaTiO3中之一部分Ba被Bi-Na取代、晶界具有P型半导体之半导体瓷器组成物，其目的在于提供一种室温电阻率较低（为100 Ω．cm以下），且能减小通电之时效变化的半导体瓷器组成物-电极黏合体。本发明系一种半导体瓷器组成物-电极黏合体之制造方法，该半导体瓷器组成物-电极黏合体系于BaTiO3中之一部分Ba被Bi-Na取代、晶界具有P型半导体之半导体瓷器组成物上黏合有电极者，该半导体瓷器组成物-电极黏合体之制造方法中，系于电极黏合之后以100℃以上、600℃以下之温度进行0.5小时以上、24小时以下的热处理。

4. 发明专利

TW206294B 固態,混合金屬氧化物組成物以及藉燒結混合金屬氧化物粉末而得之電阻器失效
简体标题：固态,混合金属氧化物组成物以及藉烧结混合金属氧化物粉末而得之电阻器
公开(公告)号：TW206294B
公开(公告)日：1993-05-21
申请号：TW081107019
申请日：1992-09-04
申请人：首威公司
发明人：亨利.華提爾 , 佛.雷格蘭 , 馬利安.柯文柏
IPC分类号： H01C
CPC分类号： H01C7/023 , C04B35/4684
摘要：包含鈦酸鋇之固態、混合金屬氧化物之包含鈦酸鋇之組成物，其中一部份鋇氧化物已被選自鈣、鉛、銻及矽之氧化物之其他金屬氧化物所替代，其為相當於以下實驗式：
Bax Cay Pbz Ti1.0 Sbt Mnu Siv Ow其中Ｘ，Ｙ，Ｚ，ｔ，ｕ，ｖ及ｗ為十進位數，諸如
0 ≦y≦0.1
z ＞０
0.99 ≦x+y+z≦1.025
0.002 ≦t≦0.006
0.0004≦u≦0.0012
0 ≦v≦0.01□
具有一正溫度係數之電阻器，且其係籍燒結此類組成物被獲得。
简体摘要：包含钛酸钡之固态、混合金属氧化物之包含钛酸钡之组成物，其中一部份钡氧化物已被选自钙、铅、锑及硅之氧化物之其他金属氧化物所替代，其为相当于以下实验式： Bax Cay Pbz Ti1.0 Sbt Mnu Siv Ow其中Ｘ，Ｙ，Ｚ，ｔ，ｕ，ｖ及ｗ为十进制数，诸如 0 ≦y≦0.1 z ＞０ 0.99 ≦x+y+z≦1.025 0.002 ≦t≦0.006 0.0004≦u≦0.0012 0 ≦v≦0.01□ 具有一正温度系数之电阻器，且其系籍烧结此类组成物被获得。

5. 发明专利

TWI590417B 厚膜電阻體及其製造方法有权
简体标题：厚膜电阻体及其制造方法
公开(公告)号：TWI590417B
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW104129102
申请日：2015-09-03
申请人：昭榮化學工業股份有限公司 , SHOEI CHEMICAL INC.
发明人：真島浩 , MASHIMA, HIROSHI , 諸藤友架里 , MOROFUJI, YUKARI
IPC分类号： H01L27/01 , H01L21/62
CPC分类号： H01C7/003 , C03C3/068 , C03C3/072 , C03C3/074 , C03C3/085 , C03C3/087 , C03C3/089 , C03C3/091 , C03C3/093 , C03C3/105 , C03C3/108 , C03C4/14 , C03C8/02 , C03C8/04 , C03C8/10 , C03C8/18 , C03C8/22 , C03C2204/00 , C03C2205/00 , C09D11/03 , C09D11/037 , C09D11/52 , H01B1/08 , H01B1/14 , H01B1/20 , H01C7/00 , H01C7/023 , H01C17/06533

6. 发明专利

TWI438788B 半導體瓷器組成物－電極黏合體之製造方法失效
简体标题：半导体瓷器组成物－电极黏合体之制造方法
公开(公告)号：TWI438788B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：TW098109670
申请日：2009-03-25
申请人：日立金屬股份有限公司 , HITACHI METALS, LTD.
发明人：豬野健太郎 , INO, KENTARO , 島田武司 , SHIMADA, TAKESHI
IPC分类号： H01C7/02
CPC分类号： C04B35/4682 , C01G23/003 , C01G29/006 , C01G33/006 , C01P2002/52 , C01P2004/03 , C01P2006/40 , C04B35/62675 , C04B35/62685 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3227 , C04B2235/3234 , C04B2235/3251 , C04B2235/3294 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C04B2235/608 , C04B2235/656 , C04B2235/6567 , C04B2235/6584 , C04B2235/662 , C04B2235/85 , H01C7/02 , H01C7/023

7. 发明专利

TW201351450A 熱敏電阻用金屬氮化物材料及其製造方法及薄膜型熱敏電阻审中-公开
简体标题：热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法及薄膜型热敏电阻
公开(公告)号：TW201351450A
公开(公告)日：2013-12-16
申请号：TW102106961
申请日：2013-02-27
申请人：三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
发明人：藤田利晃 , FUJITA, TOSHIAKI , 田中寛 , TANAKA, HIROSHI , 稲場均 , INABA, HITOSHI , 藤原和崇 , FUJIWARA, KAZUTAKA , 長友憲昭 , NAGATOMO, NORIAKI
IPC分类号： H01C7/04
CPC分类号： H01C7/008 , C30B25/06 , C30B29/38 , G01K7/22 , H01C7/023 , H01C7/04 , H01C7/043 , H01C17/12
摘要：本發明係提供一種可以非燒成處理直接成膜成薄膜等，具有高的耐熱性且高信賴性之熱敏電阻用金屬氮化物材料及其製造方法及薄膜型熱敏電阻。熱敏電阻用金屬氮化物材料係由以一般式：TixAlyNz(0.70≦y/(x+y)≦0.95、0.4≦z≦0.5、x+y+z=1)表示的金屬氮化物而成，其結晶構造為六方晶系纖鋅礦型單相。
简体摘要：本发明系提供一种可以非烧成处理直接成膜成薄膜等，具有高的耐热性且高信赖性之热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法及薄膜型热敏电阻。热敏电阻用金属氮化物材料系由以一般式：TixAlyNz(0.70≦y/(x+y)≦0.95、0.4≦z≦0.5、x+y+z=1)表示的金属氮化物而成，其结晶构造为六方晶系纤锌矿型单相。

8. 发明专利

TW539648B 高度反應活性之碳酸鋇失效
简体标题：高度反应活性之碳酸钡
公开(公告)号：TW539648B
公开(公告)日：2003-07-01
申请号：TW089128392
申请日：2000-12-30
申请人：索爾威巴林史托隆提姆有限公司
发明人：卡爾科勒 , 亞沃帕克 , 費迪南德哈廷浩斯 , 烏利希柯恩 , 魯卡拜希
IPC分类号： C01F
CPC分类号： B82Y30/00 , C01F11/188 , C01P2004/51 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2006/12 , H01C7/023 , H01C7/043 , H01G4/1209
摘要：本發明係關於一種高度反應活性之碳酸鋇，其係描述在使用一抑制結晶增長之媒介下，所製備之一微粒化之碳酸鋇，以及其之一製備方法及應用。製備所得之微粒化、具有一BET-表層面積至少為32m2/g之碳酸鋇，由於其極高度之活性，尤其適合用作製備聚光器、熱敏電阻及其他含有氧化鈣、氧化鋇或氧化鍶之氧化物陶瓷電子零件以及高溫超導體。作為抑制結晶增長之媒介，採用碳酸之銨鹽及烷基銨鹽，其總共有3至12個碳原子，以及至少兩個COOH官能基或至少兩個OH官能基，例如順丁烯二酸或檸檬酸之鹽類。
简体摘要：本发明系关于一种高度反应活性之碳酸钡，其系描述在使用一抑制结晶增长之媒介下，所制备之一微粒化之碳酸钡，以及其之一制备方法及应用。制备所得之微粒化、具有一BET-表层面积至少为32m2/g之碳酸钡，由于其极高度之活性，尤其适合用作制备聚光器、热敏电阻及其他含有氧化钙、氧化钡或氧化锶之氧化物陶瓷电子零件以及高温超导体。作为抑制结晶增长之媒介，采用碳酸之铵盐及烷基铵盐，其总共有3至12个碳原子，以及至少两个COOH官能基或至少两个OH官能基，例如顺丁烯二酸或柠檬酸之盐类。

9. 发明专利

TW234193B 電阻隨溫度增加而降低之厚膜熱敏性電阻組成物失效
简体标题：电阻随温度增加而降低之厚膜热敏性电阻组成物
公开(公告)号：TW234193B
公开(公告)日：1994-11-11
申请号：TW081104674
申请日：1992-06-13
申请人：杜邦公司
发明人：傑卡布.荷莫達里
IPC分类号： H01C , H01B
CPC分类号： H01C7/023 , C03C3/072 , C03C8/10 , C03C8/14 , C03C8/20 , C03C8/22
摘要：本發明係關於厚膜熱敏性電阻糊狀物，包括：基本上，由下列ａ）至ｃ）項所組成之各經精細分割之粒子的摻合物：（ａ）一種導電相，係由（１）具有正ＴＣＲ之鉑族金屬的至少一種氧化物和（２）ＣＯ2ＲｕＯ4所組成；ｂ）一種無機黏合劑，具有４５０至７５０℃之膨脹計軟化點，此黏合劑含有過渡金屬氧化物且不會金屬氧化物；ｃ）選自透明矽石，鋯石及其混合物之一種填料，將所有的（ａ）至（ｃ）分散於ｄ）一種有機介質中。
简体摘要：本发明系关于厚膜热敏性电阻煳状物，包括：基本上，由下列ａ）至ｃ）项所组成之各经精细分割之粒子的掺合物：（ａ）一种导电相，系由（１）具有正ＴＣＲ之铂族金属的至少一种氧化物和（２）ＣＯ2ＲｕＯ4所组成；ｂ）一种无机黏合剂，具有４５０至７５０℃之膨胀计软化点，此黏合剂含有过渡金属氧化物且不会金属氧化物；ｃ）选自透明硅石，锆石及其混合物之一种填料，将所有的（ａ）至（ｃ）分散于ｄ）一种有机介质中。

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