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1. 发明专利

TW200707104A 負型光阻組成物及光阻圖型形成方法 NEGATIVE RESIST COMPOSITION AND RESIST PATTERN FORMATION METHOD 审中-公开
简体标题：负型光阻组成物及光阻图型形成方法 NEGATIVE RESIST COMPOSITION AND RESIST PATTERN FORMATION METHOD
公开(公告)号：TW200707104A
公开(公告)日：2007-02-16
申请号：TW095115321
申请日：2006-04-28
申请人：東京應化工業股份有限公司 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：新堀博 SHIMBORI, HIROSHI
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/0382 , B82Y10/00 , G11B5/3163 , G11B5/3903
摘要：本發明提供一種對g線、i線、KrF準分子雷射及電子線具有感度,可使用於經由g線、i線、KrF準分子雷射及電子線所選出之至少2種曝光光源進行曝光之混搭(mix and match)製程之負型光阻組成物,及可形成具有優良耐鍍性之高解析性光阻圖型,適合用於製造MEMS之負型光阻組成物及光阻圖型形成方法。本發明為提供一種使用由g線、i線、KrF準分子雷射及電子線所選出之至少2種曝光光源進行曝光之製程所使用之負型光阻組成物,其係為含有鹼可溶性樹脂成份(A),經由g線、i線、KrF準分子雷射及電子線之照射而發生酸之酸產生劑成份(B),及交聯劑成份(C)之負型光阻組成物,及,含有鹼可溶性酚醛清漆樹脂(A),經由放射線之照射而發生酸之酸產生劑成份(B),及交聯劑成份(C)之製造MEMS所使用之負型光阻組成物。
简体摘要：本发明提供一种对g线、i线、KrF准分子激光及电子线具有感度,可使用于经由g线、i线、KrF准分子激光及电子线所选出之至少2种曝光光源进行曝光之混搭(mix and match)制程之负型光阻组成物,及可形成具有优良耐镀性之高解析性光阻图型,适合用于制造MEMS之负型光阻组成物及光阻图型形成方法。本发明为提供一种使用由g线、i线、KrF准分子激光及电子线所选出之至少2种曝光光源进行曝光之制程所使用之负型光阻组成物,其系为含有碱可溶性树脂成份(A),经由g线、i线、KrF准分子激光及电子线之照射而发生酸之酸产生剂成份(B),及交联剂成份(C)之负型光阻组成物,及,含有碱可溶性酚醛清漆树脂(A),经由放射线之照射而发生酸之酸产生剂成份(B),及交联剂成份(C)之制造MEMS所使用之负型光阻组成物。

2. 发明专利

TW200426508A 負型光阻組成物 NEGATIVE PHOTORESIST COMPOSITION 失效
简体标题：负型光阻组成物 NEGATIVE PHOTORESIST COMPOSITION
公开(公告)号：TW200426508A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：TW093113498
申请日：2004-05-13
申请人：東京應化工業股份有限公司 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：廣崎貴子 HIROSAKI, TAKAKO , 新堀博 SHIMBORI, HIROSHI
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/11
摘要：本發明係於基板上設置下層膜，於該下層膜設置由負型光阻組成物所成之光阻膜，該光阻膜經選擇性曝光後，該下層膜與該光阻膜同時以顯影處理之圖像形成方法，提供可得到良好解像性之負型光阻組成物。此組成物係含有(A)鹼可溶性樹脂，(B)由照射放射線產生酸之酸產生劑，及(C)交聯劑，上述(B)酸產生劑為含有陽離子不具有親水性基之鹽。
简体摘要：本发明系于基板上设置下层膜，于该下层膜设置由负型光阻组成物所成之光阻膜，该光阻膜经选择性曝光后，该下层膜与该光阻膜同时以显影处理之图像形成方法，提供可得到良好解像性之负型光阻组成物。此组成物系含有(A)碱可溶性树脂，(B)由照射放射线产生酸之酸产生剂，及(C)交联剂，上述(B)酸产生剂为含有阳离子不具有亲水性基之盐。

3. 发明专利

TWI255969B 增强化學性型之正型光阻組成物 CHEMICALLY AMPLIFIED POSITIVE PHOTORESIST COMOPSITION 有权
简体标题：增强化学性型之正型光阻组成物 CHEMICALLY AMPLIFIED POSITIVE PHOTORESIST COMOPSITION
公开(公告)号：TWI255969B
公开(公告)日：2006-06-01
申请号：TW093106520
申请日：2004-03-11
申请人：東京應化工業股份有限公司 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：新堀博 SHIMBORI, HIROSHI
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G11B5/3903 , G03F7/0392 , G11B5/3106 , G11B5/3163 , Y10S430/114 , Y10S430/115
摘要：提供可形成微細光阻圖案，且可將該光阻圖案之錐形形狀角度控制於適度角度，並且可形成焦點深度寬優良之光阻圖案的正型光阻組成物。此正型光阻組成物為由增強化學性型的正型光阻組成物所形成，且厚度0.3μm之光阻膜於波長248nm的光線穿透率為20~75％。
简体摘要：提供可形成微细光阻图案，且可将该光阻图案之锥形形状角度控制于适度角度，并且可形成焦点深度宽优良之光阻图案的正型光阻组成物。此正型光阻组成物为由增强化学性型的正型光阻组成物所形成，且厚度0.3μm之光阻膜于波长248nm的光线穿透率为20~75％。

4. 发明专利

TW200615691A 增强化學性之光阻組成物及光阻圖型形成方法 CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN 失效
简体标题：增强化学性之光阻组成物及光阻图型形成方法 CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN
公开(公告)号：TW200615691A
公开(公告)日：2006-05-16
申请号：TW094121677
申请日：2005-06-28
申请人：東京應化工業股份有限公司 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：新堀博 SHIMBORI, HIROSHI
IPC分类号： G03F , C08L , H01L
CPC分类号： C08F212/14 , G03F7/0392
摘要：本發明為一種含有(A)基於酸之作用使鹼可溶性產生變化之樹脂成份，及(B)經由曝光產生酸之酸產生劑成份者，其為含有(X)沸點為220℃以上高沸點溶劑成份之增強化學性光阻組成物。
简体摘要：本发明为一种含有(A)基于酸之作用使碱可溶性产生变化之树脂成份，及(B)经由曝光产生酸之酸产生剂成份者，其为含有(X)沸点为220℃以上高沸点溶剂成份之增强化学性光阻组成物。

5. 发明专利

TWI304920B 負型光阻組成物 NEGATIVE PHOTORESIST COMPOSITION 失效
简体标题：负型光阻组成物 NEGATIVE PHOTORESIST COMPOSITION
公开(公告)号：TWI304920B
公开(公告)日：2009-01-01
申请号：TW093113498
申请日：2004-05-13
申请人：東京應化工業股份有限公司 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：廣崎貴子 HIROSAKI, TAKAKO , 新堀博 SHIMBORI, HIROSHI
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/11
摘要：本發明係於基板上設置下層膜,於該下層膜設置由負型光阻組成物所成之光阻膜,該光阻膜經選擇性曝光後,該下層膜與該光阻膜同時以顯影處理之圖案形成方法,提供可得到良好解像性之負型光阻組成物。此組成物係含有(A)鹼可溶性樹脂,(B)由照射放射線產生酸之酸產生劑,及(C)交聯劑,上述(B)酸產生劑為含有陽離子不具有親水性基之鹽。
简体摘要：本发明系于基板上设置下层膜,于该下层膜设置由负型光阻组成物所成之光阻膜,该光阻膜经选择性曝光后,该下层膜与该光阻膜同时以显影处理之图案形成方法,提供可得到良好解像性之负型光阻组成物。此组成物系含有(A)碱可溶性树脂,(B)由照射放射线产生酸之酸产生剂,及(C)交联剂,上述(B)酸产生剂为含有阳离子不具有亲水性基之盐。

6. 发明专利

TW200745757A 厚膜光阻膜形成用之正型光阻組成物、厚膜光阻層合體以及光阻圖型形成方法 POSITIVE RESIST COMPOSITION FOR THICK-FILM RESIST FILM FORMING, THICK-FILM RESIST LAMINATED PRODUCT, AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN 审中-公开
简体标题：厚膜光阻膜形成用之正型光阻组成物、厚膜光阻层合体以及光阻图型形成方法 POSITIVE RESIST COMPOSITION FOR THICK-FILM RESIST FILM FORMING, THICK-FILM RESIST LAMINATED PRODUCT, AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN
公开(公告)号：TW200745757A
公开(公告)日：2007-12-16
申请号：TW096103368
申请日：2007-01-30
申请人：東京應化工業股份有限公司 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：新堀博 SHIMBORI, HIROSHI , 增島正宏 MASUJIMA, MASAHIRO , 山口敏弘 YAMAGUCHI, TOSHIHIRO , 吉澤佐智子 YOSHIZAWA, SACHIKO
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/0392 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G11B5/3163 , Y10S430/122 , Y10S430/126 , Y10T428/265
摘要：一種正型光阻組成物,其為形成膜厚1~15��m之厚膜光阻膜用之正型光阻組成物,其特徵為含有,樹脂成份(A):含有具有羥基苯乙烯所衍生之結構單位(a1)與,含酸解離性溶解抑制基之丙烯酸酯所衍生之結構單位(a2)之質量平均分子量20000~50000之高分子化合物(A1),與,酸發生劑成份(B):含有具通式(I):R^4"SO3^-(式中,R^4"為碳數4之直鏈或分支狀之烷基或氟化烷基)所示之陰離子部之鹽系酸產生劑,其經由曝光會產生酸,與,含氮有機化合物(D):含有三級脂肪族胺之化合物。
简体摘要：一种正型光阻组成物,其为形成膜厚1~15��m之厚膜光阻膜用之正型光阻组成物,其特征为含有,树脂成份(A):含有具有羟基苯乙烯所衍生之结构单位(a1)与,含酸解离性溶解抑制基之丙烯酸酯所衍生之结构单位(a2)之质量平均分子量20000~50000之高分子化合物(A1),与,酸发生剂成份(B):含有具通式(I):R^4"SO3^-(式中,R^4"为碳数4之直链或分支状之烷基或氟化烷基)所示之阴离子部之盐系酸产生剂,其经由曝光会产生酸,与,含氮有机化合物(D):含有三级脂肪族胺之化合物。

7. 发明专利

TW200428149A 增强化學性型之正型光阻組成物 CHEMICALLY AMPLIFIED POSITIVE PHOTORESIST COMOPSITION 审中-公开
简体标题：增强化学性型之正型光阻组成物 CHEMICALLY AMPLIFIED POSITIVE PHOTORESIST COMOPSITION
公开(公告)号：TW200428149A
公开(公告)日：2004-12-16
申请号：TW093106520
申请日：2004-03-11
申请人：東京應化工業股份有限公司 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：新堀博 SHIMBORI, HIROSHI
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G11B5/3903 , G03F7/0392 , G11B5/3106 , G11B5/3163 , Y10S430/114 , Y10S430/115
摘要：提供可形成微細光阻圖案，且可將該光阻圖案之錐形形狀角度控制於適度角度，並且可形成焦點深度寬優良之光阻圖案的正型光阻組成物。此正型光阻組成物為由增強化學性型的正型光阻組成物所形成，且厚度0.3μm之光阻膜於波長248nm的光線穿透率為20～75％。
简体摘要：提供可形成微细光阻图案，且可将该光阻图案之锥形形状角度控制于适度角度，并且可形成焦点深度宽优良之光阻图案的正型光阻组成物。此正型光阻组成物为由增强化学性型的正型光阻组成物所形成，且厚度0.3μm之光阻膜于波长248nm的光线穿透率为20～75％。

8. 发明专利

TW200741355A 厚膜光阻膜之形成方法及光阻圖型之形成方法 METHOD FOR FORMING THICK RESIST FILM, AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN 审中-公开
简体标题：厚膜光阻膜之形成方法及光阻图型之形成方法 METHOD FOR FORMING THICK RESIST FILM, AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN
公开(公告)号：TW200741355A
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：TW096103030
申请日：2007-01-26
申请人：東京應化工業股份有限公司 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：新堀博 SHIMBORI, HIROSHI
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/162
摘要：一種厚膜光阻膜之形成方法,其為於支撐體上形成膜厚1~15��m之厚膜光阻膜之形成方法,其為於上述支撐體上,使光阻組成物於滴落中,或滴落結束後,具有使該支撐體迴轉,並提高該迴轉數之加速步驟,與使經由上述加速步驟提高之迥轉數下降的減速步驟,與維持經由上述減速步驟下降之迴轉數的維持低速迴轉之步驟。
简体摘要：一种厚膜光阻膜之形成方法,其为于支撑体上形成膜厚1~15��m之厚膜光阻膜之形成方法,其为于上述支撑体上,使光阻组成物于滴落中,或滴落结束后,具有使该支撑体掉头,并提高该掉头数之加速步骤,与使经由上述加速步骤提高之迥转数下降的减速步骤,与维持经由上述减速步骤下降之掉头数的维持低速掉头之步骤。

9. 发明专利

TWI229244B 使用於圖案微細化之被覆形成劑及使用彼之微細圖案的形成方法 OVER-COATING AGENT FOR FORMING FINE PATTERNS AND A METHOD OF FORMING FINE PATTERNS USING SUCH AGENT 失效
简体标题：使用于图案微细化之被覆形成剂及使用彼之微细图案的形成方法 OVER-COATING AGENT FOR FORMING FINE PATTERNS AND A METHOD OF FORMING FINE PATTERNS USING SUCH AGENT
公开(公告)号：TWI229244B
公开(公告)日：2005-03-11
申请号：TW091137517
申请日：2002-12-26
申请人：東京應化工業股份有限公司 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：新堀博 SHIMBORI, HIROSHI , 菅田祥樹 SUGETA, YOSHIKI
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/40 , G03F7/0035 , H01L21/0273
摘要：本發明揭示一種被覆於具有光阻圖案之基板上，利用其熱收縮作用使光阻圖案間之間隔變窄後，實質上完全去除該被覆之用以形成微細圖案的被覆形成劑，其特徵為：含(a)水溶性聚合物，及(b)其構造中至少有1氮原子之水溶性交聯劑，以及使用該被覆形成劑之微細圖案形成方法，根據本發明可提供，能得圖案尺寸控制性優，而且具有良好側面形狀及半導體裝置所要求之特性的微細圖案之被覆形成劑，及使用彼之微細圖案形成方法。
简体摘要：本发明揭示一种被覆于具有光阻图案之基板上，利用其热收缩作用使光阻图案间之间隔变窄后，实质上完全去除该被覆之用以形成微细图案的被覆形成剂，其特征为：含(a)水溶性聚合物，及(b)其构造中至少有1氮原子之水溶性交联剂，以及使用该被覆形成剂之微细图案形成方法，根据本发明可提供，能得图案尺寸控制性优，而且具有良好侧面形状及半导体设备所要求之特性的微细图案之被覆形成剂，及使用彼之微细图案形成方法。

10. 发明专利

TW200504469A 正型光阻組成物用樹脂、及使用其之正型光阻組成物、層合體以及形成光阻圖型之方法 RESIN FOR POSITIVE PHOTORESIST COMPOSITION, POSITIVE PHOTORESIST COMPOSITION USING THE SAME, STACKED BODY AND RESIST PATTERN FORMATION METHOD 审中-公开
简体标题：正型光阻组成物用树脂、及使用其之正型光阻组成物、层合体以及形成光阻图型之方法 RESIN FOR POSITIVE PHOTORESIST COMPOSITION, POSITIVE PHOTORESIST COMPOSITION USING THE SAME, STACKED BODY AND RESIST PATTERN FORMATION METHOD
公开(公告)号：TW200504469A
公开(公告)日：2005-02-01
申请号：TW093119855
申请日：2004-06-30
申请人：東京應化工業股份有限公司 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：新堀博 SHIMBORI, HIROSHI
IPC分类号： G03F
CPC分类号： C08F212/14 , C08K5/0008 , C08K5/36 , C08L2203/00 , C08L2205/00 , G03F7/0392 , Y10S430/12 , Y10S430/122 , Y10S430/126 , C08L25/18 , C08F212/08
摘要：具有下述四個構成單位的正型光阻組成物用樹脂。093119855-p01.bmp(式中，R為表示–H或–CH3)093119855-p02.bmp(式中，R：–H或–CH3、X：與鍵結於此x之羧基共同形成三級烷酯的酸解離性溶解抑制基)093119855-p03.bmp(式中，R、R^1：–H或–CH3、R2：–CH3或–C2H5、R3：低級烷基)。093119855-p04.bmp093119855-p01.bmp
简体摘要：具有下述四个构成单位的正型光阻组成物用树脂。093119855-p01.bmp(式中，R为表示–H或–CH3)093119855-p02.bmp(式中，R：–H或–CH3、X：与键结于此x之羧基共同形成三级烷酯的酸解离性溶解抑制基)093119855-p03.bmp(式中，R、R^1：–H或–CH3、R2：–CH3或–C2H5、R3：低级烷基)。093119855-p04.bmp093119855-p01.bmp

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