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    • 9. 发明专利
    • 形成薄膜圖案之方法
    • 形成薄膜图案之方法
    • TW354389B
    • 1999-03-11
    • TW083109106
    • 1994-10-01
    • 日本塗料股份有限公司
    • 橫山正明
    • G03F
    • G03F7/265G03F7/0754
    • 本發明提供一種用來形成一具有一絕佳圖案精確性的薄膜圖案。該方法包含下列步驟:(a)選擇性地將一設置於一基質上之由聚矽烷所形
      成的聚矽烷層曝露於紫外光下,以形成一該薄
      膜圖案之潛在影像,該聚矽烷係具有一如下式
      之結構:
      CC
      其中R1、R2、R3及R4係獨立表示一選自於
      由一取代或非取代脂族烴殘基、一脂環烴殘基
      及一芳香烴殘基所構成之組群中的基團,而m
      及n係代表一整數;及(b) 浸漬該聚矽烷層,其中該薄膜圖案之該潛在影
      像係於一金屬氧化物溶膠中形成,並接著乾
      燥。
    • 本发明提供一种用来形成一具有一绝佳图案精确性的薄膜图案。该方法包含下列步骤:(a)选择性地将一设置于一基质上之由聚硅烷所形 成的聚硅烷层曝露于紫外光下,以形成一该薄 膜图案之潜在影像,该聚硅烷系具有一如下式 之结构: CC 其中R1、R2、R3及R4系独立表示一选自于 由一取代或非取代脂族烃残基、一脂环烃残基 及一芳香烃残基所构成之组群中的基团,而m 及n系代表一整数;及(b) 浸渍该聚硅烷层,其中该薄膜图案之该潜在影 像系于一金属氧化物溶胶中形成,并接着干 燥。