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1. 发明专利

TW354389B 形成薄膜圖案之方法失效
简体标题：形成薄膜图案之方法
公开(公告)号：TW354389B
公开(公告)日：1999-03-11
申请号：TW083109106
申请日：1994-10-01
申请人：日本塗料股份有限公司
发明人：橫山正明
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/265 , G03F7/0754
摘要：本發明提供一種用來形成一具有一絕佳圖案精確性的薄膜圖案。該方法包含下列步驟：(a)選擇性地將一設置於一基質上之由聚矽烷所形
成的聚矽烷層曝露於紫外光下，以形成一該薄
膜圖案之潛在影像，該聚矽烷係具有一如下式
之結構：
CC
其中R1、R2、R3及R4係獨立表示一選自於
由一取代或非取代脂族烴殘基、一脂環烴殘基
及一芳香烴殘基所構成之組群中的基團，而ｍ
及n係代表一整數；及(b) 浸漬該聚矽烷層，其中該薄膜圖案之該潛在影
像係於一金屬氧化物溶膠中形成，並接著乾
燥。
简体摘要：本发明提供一种用来形成一具有一绝佳图案精确性的薄膜图案。该方法包含下列步骤：(a)选择性地将一设置于一基质上之由聚硅烷所形成的聚硅烷层曝露于紫外光下，以形成一该薄膜图案之潜在影像，该聚硅烷系具有一如下式之结构： CC 其中R1、R2、R3及R4系独立表示一选自于由一取代或非取代脂族烃残基、一脂环烃残基及一芳香烃残基所构成之组群中的基团，而ｍ及n系代表一整数；及(b) 浸渍该聚硅烷层，其中该薄膜图案之该潜在影像系于一金属氧化物溶胶中形成，并接着干燥。

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