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1. 发明专利

TW201712343A 用於電性探測之鑽石減層审中-公开
简体标题：用于电性探测之钻石减层
公开(公告)号：TW201712343A
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW105118854
申请日：2016-06-15
申请人：帝喜科技股份有限公司 , DCG SYSTEMS, INC.
发明人：伊波利多史蒂芬 , IPPOLITO, STEPHEN , 陸馬瓦特西恩 , ZUMWALT, SEAN , 艾瑞克森安德魯諾曼 , ERICKSON, ANDREW NORMAN
IPC分类号： G01Q30/20 , G01Q60/30 , G01Q70/14 , G01N1/28 , G01R31/28 , H01L21/66
CPC分类号： G01R31/2601 , G01N1/286 , G01N2001/2873 , G01Q30/20 , G01Q60/30 , G01Q70/06 , G01Q70/14 , G01Q80/00 , G01R31/2898 , G01R31/44 , H01L22/14
摘要：使用具一鑽石尖頭之一掃描探針顯微鏡之研磨移除材料之一層且產生一表面，該表面充分平滑使得其可使用一奈米探測器探測以提供特定位點樣本製備及減層。鑽石研磨在原位提供一奈米探測工具之內部之局部精確減層，藉此減少用於積體電路分析之周轉時間。此外，不同於聚焦離子束減層，該鑽石尖頭不應更改該積體電路之電特性。
简体摘要：使用具一钻石尖头之一扫描探针显微镜之研磨移除材料之一层且产生一表面，该表面充分平滑使得其可使用一奈米探测器探测以提供特定位点样本制备及减层。钻石研磨在原位提供一奈米探测工具之内部之局部精确减层，借此减少用于集成电路分析之周转时间。此外，不同于聚焦离子束减层，该钻石尖头不应更改该集成电路之电特性。

2. 发明专利

TWI416091B 電子顯微鏡試片與其製備方法以及製作三維影像之方法有权
简体标题：电子显微镜试片与其制备方法以及制作三维影像之方法
公开(公告)号：TWI416091B
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：TW099117585
申请日：2010-06-01
申请人：華亞科技股份有限公司 , INOTERA MEMORIES, INC.
发明人：羅建興 , LUO, JIAN SHING , 徐文珊 , HSU, WEN SHAN
IPC分类号： G01N1/28 , G01Q30/20
CPC分类号： G01N23/2251 , G01N1/286 , G01N2001/2873

3. 发明专利

TWI611170B 樣品製備系統及製備方法有权
简体标题：样品制备系统及制备方法
公开(公告)号：TWI611170B
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：TW105132189
申请日：2016-10-05
申请人：閤康生物科技股份有限公司 , BIO MATERIALS ANALYSIS TECHNOLOGY INC.
发明人：陳弘仁 , CHEN, HUNG-JEN
IPC分类号： G01N1/28
CPC分类号： G01N1/286 , G01N1/06 , G01N2001/2873 , H01J37/20 , H01J37/26 , H01J2237/2007 , H01J2237/204

4. 发明专利

TW523583B 病理粗略處理板失效
简体标题：病理粗略处理板
公开(公告)号：TW523583B
公开(公告)日：2003-03-11
申请号：TW090113996
申请日：2001-06-08
申请人：邁阿密大學
发明人：阿若里德斯摩拉里 , 艾爾文艾森費爾德 , 哈羅德艾森費爾德
IPC分类号： G01N
CPC分类号： G01N1/04 , G01N1/06 , G01N1/286 , G01N2001/2873 , Y10T83/6492
摘要：一種用以製備具有較為均等厚度的粗略組織樣本之粗略處理板，其具有一或多個組織接收凹處及一或多個刀片引導元件。該組織接收凹處的底部表面基本上平行於該粗略處理板的上切割表面，而該刀片引導元件被構形成可引導病理學用刀片，以確保平行於該組織接收凹處的底部表面做切割，從而做成具有所欲之可再現且具均等厚度的粗略組織樣本。
简体摘要：一种用以制备具有较为均等厚度的粗略组织样本之粗略处理板，其具有一或多个组织接收凹处及一或多个刀片引导组件。该组织接收凹处的底部表面基本上平行于该粗略处理板的上切割表面，而该刀片引导组件被构形成可引导病理学用刀片，以确保平行于该组织接收凹处的底部表面做切割，从而做成具有所欲之可再现且具均等厚度的粗略组织样本。

5. 发明专利

TW201543999A 用於種子製備之系統及使用方法审中-公开
简体标题：用于种子制备之系统及使用方法
公开(公告)号：TW201543999A
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW104114263
申请日：2015-05-05
申请人：陶氏農業科學公司 , DOW AGROSCIENCES LLC
发明人：麥卡提二世唐納德L , MCCARTY, II, DONALD L. , 錢納里迪席瓦拉瑪R , CHENNAREDDY, SIVARAMA R. , 席夏克托比 , CICAK, TOBY , 沙里亞拉德里哥 , SARRIA, RODRIGO , 帕森斯湯姆斯J , PARSONS, THOMAS J. , 吉勒斯比大衛T , GILLESPIE, DAVID T. , 卡雷塔史考特R , KALEYTA, SCOTT R.
IPC分类号： A01H1/00 , C12N15/82 , C12N5/00
CPC分类号： A01C1/00 , B25J9/1697 , B25J15/0683 , B25J17/0225 , B26D1/04 , B26D3/08 , B26D3/30 , B26D5/00 , B26D5/007 , B26D7/02 , B26D7/06 , B64G1/00 , C12N15/8201 , G01N1/286 , G01N35/0099 , G01N2001/2873 , Y10T83/536 , Y10T83/6572
摘要：一種用於種子之自動或半自動製備以用於轉形及基因轉殖工程的系統及方法。
简体摘要：一种用于种子之自动或半自动制备以用于转形及基因转殖工程的系统及方法。

6. 发明专利

TW201144786A 製備電子顯微鏡試片與其製備方法 ELECTRON MICROSCOPE SPECIMEN AND METHOD FOR PREPARING THE SAME 审中-公开
简体标题：制备电子显微镜试片与其制备方法 ELECTRON MICROSCOPE SPECIMEN AND METHOD FOR PREPARING THE SAME
公开(公告)号：TW201144786A
公开(公告)日：2011-12-16
申请号：TW099117585
申请日：2010-06-01
申请人：華亞科技股份有限公司
发明人：羅建興 , 徐文珊
IPC分类号： G01N , G01Q
CPC分类号： G01N23/2251 , G01N1/286 , G01N2001/2873
摘要：一種電子顯微鏡試片的製備方法。首先,提供一晶圓樣品,其具有一待測區。接著進行一切割步驟,以在晶圓樣品中切割出一待測片。待測片包含一標靶柱狀結構,且待測區會位於標靶柱狀結構之一頂端。最後,進行一薄化步驟,以薄化標靶柱狀結構之頂端。本發明另提供一種製備三維影像的方法。
简体摘要：一种电子显微镜试片的制备方法。首先,提供一晶圆样品,其具有一待测区。接着进行一切割步骤,以在晶圆样品中切割出一待测片。待测片包含一标靶柱状结构,且待测区会位于标靶柱状结构之一顶端。最后,进行一薄化步骤,以薄化标靶柱状结构之顶端。本发明另提供一种制备三维影像的方法。

7. 发明专利

TWI236500B 生物組織擷取裝置與方法失效
简体标题：生物组织截取设备与方法
公开(公告)号：TWI236500B
公开(公告)日：2005-07-21
申请号：TW091124017
申请日：2002-10-18
申请人：財團法人工業技術研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：粘永峰 NIEN, YUNG FENG , 張燦輝 , 陳克昌 , 古有彬 KU, YU PIN
IPC分类号： C12M , A01N , G01N , A61B
CPC分类号： G01N1/28 , G01N2001/045 , G01N2001/2873
摘要：一種生物組織擷取裝置與方法，係使用一非接觸式切割裝置來切割微小生物細胞組織，運用生物組識試片樣本倒置之方式，於非接觸式切割裝置切割標的細胞組織輪廓後，利用衝桿移動機構由上往下於目標區內施以適當撞擊力或振動力，使擷取之細胞樣本能通過組識取樣孔而確實落於下方的取樣試缽內，以達到能擇取所要求取的微小生物細胞組識之目的。
简体摘要：一种生物组织截取设备与方法，系使用一非接触式切割设备来切割微小生物细胞组织，运用生物组识试片样本倒置之方式，于非接触式切割设备切割标的细胞组织轮廓后，利用冲杆移动机构由上往下于目标区内施以适当撞击力或振动力，使截取之细胞样本能通过组识采样孔而确实落于下方的采样试钵内，以达到能择取所要求取的微小生物细胞组识之目的。

8. 发明专利

TW201814269A 樣品製備系統及製備方法审中-公开
简体标题：样品制备系统及制备方法
公开(公告)号：TW201814269A
公开(公告)日：2018-04-16
申请号：TW105132189
申请日：2016-10-05
申请人：閤康生物科技股份有限公司 , BIO MATERIALS ANALYSIS TECHNOLOGY INC.
发明人：陳弘仁 , CHEN, HUNG-JEN
IPC分类号： G01N1/28
CPC分类号： G01N1/286 , G01N1/06 , G01N2001/2873 , H01J37/20 , H01J37/26 , H01J2237/2007 , H01J2237/204
摘要：一種樣品製備系統包括切片模組、第一水槽、定序模組以及取放模組。切片模組用於對樣品塊進行連續切片，以產生多個樣品試片。第一水槽用來接收樣品試片，且樣品試片適於漂浮於第一水槽中的流體上，並隨流體的流動而移動。定序模組配置於第一水槽的一側，以依序分離樣品試片。取放模組耦接第一水槽，以依序自第一水槽中獲取樣品試片，並將其放置於相應的樣品載座上。此外，一種樣品製備方法亦被提及。
简体摘要：一种样品制备系统包括切片模块、第一水槽、定序模块以及取放模块。切片模块用于对样品块进行连续切片，以产生多个样品试片。第一水槽用来接收样品试片，且样品试片适于漂浮于第一水槽中的流体上，并随流体的流动而移动。定序模块配置于第一水槽的一侧，以依序分离样品试片。取放模块耦接第一水槽，以依序自第一水槽中获采样品试片，并将其放置于相应的样品载座上。此外，一种样品制备方法亦被提及。

9. 发明专利

TW201640177A 用於分段及成像樣本之方法及裝置审中-公开
简体标题：用于分段及成像样本之方法及设备
公开(公告)号：TW201640177A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：TW105110099
申请日：2016-03-30
申请人：三斯坎公司 , 3SCAN, INC.
发明人：丹尼爾寇迪 , DANIEL, CODY , 古德曼馬修 , GOODMAN, MATTHEW , 寇克西恩 , KOLK, SEAN , 赫夫曼陶德 , HUFFMAN, TODD
IPC分类号： G02B21/00 , G01N1/06
CPC分类号： G01N1/06 , G01N1/14 , G01N1/28 , G01N1/286 , G01N1/4077 , G01N1/44 , G01N35/00009 , G01N35/00871 , G01N35/04 , G01N35/08 , G01N2001/066 , G01N2001/2873 , G01N2001/4088
摘要：本發明係關於用於分段及成像接著將經自動擷取以進行隨後分析之組織或其他樣本之方法及裝置。該裝置用作為用於序列分段顯微術之一切片擷取機構，其係以隨後介接二次顯微診查之方式或運用分子診斷工具處理之方式來實現。該等切片經空間索引以允許特定切片經由本文中描述之自動化處理技術自一儲存庫回復。
简体摘要：本发明系关于用于分段及成像接着将经自动截取以进行随后分析之组织或其他样本之方法及设备。该设备用作为用于串行分段显微术之一切片截取机构，其系以随后介接二次显微诊查之方式或运用分子诊断工具处理之方式来实现。该等切片经空间索引以允许特定切片经由本文中描述之自动化处理技术自一存储库回复。

10. 发明专利

TW299481B 分析半導體元件缺陷用試驗片的製造方法(一) 失效
简体标题：分析半导体组件缺陷用试验片的制造方法(一)
公开(公告)号：TW299481B
公开(公告)日：1997-03-01
申请号：TW085108640
申请日：1996-07-16
申请人：現代電子產業股份有限公司
发明人：朴斗鎮 , 具政會
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G01N1/286 , G01N2001/2873 , H01L22/12 , H01L22/20
摘要：＜發明之目的＞
提供己成形的半導體元件，在其尚為晶板(WAFER)狀態時，即可針對所含缺陷檢查出來之該成形模片(DIE)所需的試驗片之製造方法；＜本發明之構成＞
本發明之構成要素，係包含下列各項工程在內，1. 找出晶板中之圖樣(PATTERN)層裡面所發生的缺陷處之
探索工程；2. 將該圖樣層全面，被覆形成感光膜之覆蓋感光膜工程；3. 將各該模片尚未被個別分離之晶板狀態下，自該含有缺
陷處之模後背後，以所指定之位置為中心點，自該模片
背面挖開成上面之直徑大，下面之直徑小之孔洞的研磨
工程；4. 以蝕刻方式，清理尚遺留在上述經研磨部分之矽膠 (S-
ILICONE)殘留物等雜物之蝕刻法清除工程。
简体摘要：＜发明之目的＞提供己成形的半导体组件，在其尚为晶板(WAFER)状态时，即可针对所含缺陷检查出来之该成形模片(DIE)所需的试验片之制造方法；＜本发明之构成＞本发明之构成要素，系包含下列各项工程在内，1. 找出晶板中之图样(PATTERN)层里面所发生的缺陷处之探索工程；2. 将该图样层全面，被覆形成感光膜之覆盖感光膜工程；3. 将各该模片尚未被个别分离之晶板状态下，自该含有缺陷处之模后背后，以所指定之位置为中心点，自该模片背面挖开成上面之直径大，下面之直径小之孔洞的研磨工程；4. 以蚀刻方式，清理尚遗留在上述经研磨部分之硅胶 (S- ILICONE)残留物等杂物之蚀刻法清除工程。

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