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1. 发明专利

TW299480B 分析半導體元件缺陷用試驗片的製造方法(二) 失效
简体标题：分析半导体组件缺陷用试验片的制造方法(二)
公开(公告)号：TW299480B
公开(公告)日：1997-03-01
申请号：TW085108637
申请日：1996-07-16
申请人：現代電子產業股份有限公司
发明人：朴斗鎮
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G01N1/36 , G01N1/04 , G01N1/32
摘要：＜發明之目的＞
提供當要分析發生在半導體元件之圖樣層內之缺陷處時，可很簡單的就其矽膠基板面以觀察方式查出之方法；＜發明之構成＞
本發明之方法係包含下列各項工程及步驟：
1. 在其內面含有發生缺陷處的圖樣層之晶板中，自其最接近上述該缺陷處部位切斷；
2. 其次在該圖樣層上面模塑樹脂之後，依所規定之大小尺寸製造第一試片；
3. 再在該含有缺陷處之試驗片後面，與圖樣層之水平面相對，依所規定之斜度加工研磨，使其磨成所規定之斜坡面；
4. 然後將上述經研磨過之斜坡面，以蝕刻方式處理；
如此，當要調查發生在半導體元件內之圖樣層之缺陷處，則，即可自該基板後面，以觀察方式檢查出來。
简体摘要：＜发明之目的＞提供当要分析发生在半导体组件之图样层内之缺陷处时，可很简单的就其硅胶基板面以观察方式查出之方法；＜发明之构成＞本发明之方法系包含下列各项工程及步骤： 1. 在其内面含有发生缺陷处的图样层之晶板中，自其最接近上述该缺陷处部位切断； 2. 其次在该图样层上面模塑树脂之后，依所规定之大小尺寸制造第一试片； 3. 再在该含有缺陷处之试验片后面，与图样层之水平面相对，依所规定之斜度加工研磨，使其磨成所规定之斜坡面； 4. 然后将上述经研磨过之斜坡面，以蚀刻方式处理；如此，当要调查发生在半导体组件内之图样层之缺陷处，则，即可自该基板后面，以观察方式检查出来。

2. 发明专利

TW299481B 分析半導體元件缺陷用試驗片的製造方法(一) 失效
简体标题：分析半导体组件缺陷用试验片的制造方法(一)
公开(公告)号：TW299481B
公开(公告)日：1997-03-01
申请号：TW085108640
申请日：1996-07-16
申请人：現代電子產業股份有限公司
发明人：朴斗鎮 , 具政會
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G01N1/286 , G01N2001/2873 , H01L22/12 , H01L22/20
摘要：＜發明之目的＞
提供己成形的半導體元件，在其尚為晶板(WAFER)狀態時，即可針對所含缺陷檢查出來之該成形模片(DIE)所需的試驗片之製造方法；＜本發明之構成＞
本發明之構成要素，係包含下列各項工程在內，1. 找出晶板中之圖樣(PATTERN)層裡面所發生的缺陷處之
探索工程；2. 將該圖樣層全面，被覆形成感光膜之覆蓋感光膜工程；3. 將各該模片尚未被個別分離之晶板狀態下，自該含有缺
陷處之模後背後，以所指定之位置為中心點，自該模片
背面挖開成上面之直徑大，下面之直徑小之孔洞的研磨
工程；4. 以蝕刻方式，清理尚遺留在上述經研磨部分之矽膠 (S-
ILICONE)殘留物等雜物之蝕刻法清除工程。
简体摘要：＜发明之目的＞提供己成形的半导体组件，在其尚为晶板(WAFER)状态时，即可针对所含缺陷检查出来之该成形模片(DIE)所需的试验片之制造方法；＜本发明之构成＞本发明之构成要素，系包含下列各项工程在内，1. 找出晶板中之图样(PATTERN)层里面所发生的缺陷处之探索工程；2. 将该图样层全面，被覆形成感光膜之覆盖感光膜工程；3. 将各该模片尚未被个别分离之晶板状态下，自该含有缺陷处之模后背后，以所指定之位置为中心点，自该模片背面挖开成上面之直径大，下面之直径小之孔洞的研磨工程；4. 以蚀刻方式，清理尚遗留在上述经研磨部分之硅胶 (S- ILICONE)残留物等杂物之蚀刻法清除工程。

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