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1. 发明专利

TW201724313A 具有可選擇像素密度之全晶圓檢測方法审中-公开
简体标题：具有可选择像素密度之全晶圆检测方法
公开(公告)号：TW201724313A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105141962
申请日：2016-12-16
申请人：精微超科技公司 , ULTRATECH, INC.
发明人：歐文大衛 , OWEN, DAVID , 李秉鎬 , LEE, BYUNG-HO , 布希艾立克 , BOUCHE, ERIC , 漢瑞魯克安德魯 , HAWRYLUK, ANDREW M.
IPC分类号： H01L21/66 , G01B9/02 , G01B11/24
CPC分类号： H01L22/24 , G01B9/02098 , G01B11/162 , G01B11/2441 , G01B11/303 , G01N21/8806 , G01N21/9501 , G03F7/70616 , G03F7/7065 , G05B19/41875 , H01L22/10 , H01L22/12 , H01L22/20
摘要：本發明揭示用於半導體晶圓之全晶圓檢測方法。一種方法包括同時在半導體晶圓之整個表面的量測部位上以最大量測部位像素密度ρmax進行選擇量測參數之量測以獲得量測資料，其中以最大量測部位像素密度ρmax獲得之量測部位像素的總數在104與108之間。該方法亦包括定義半導體晶圓之表面的複數個分區，其中該等分區中之每一者具有量測部位像素密度ρ，其中該等分區中之至少兩者具有不同大小之量測部位像素且因此具有不同量測部位像素密度ρ。該方法亦包括基於複數個分區及對應量測部位像素密度ρ而處理量測資料。該經處理量測資料可用於對用以在半導體晶圓上形成裝置之程序進行統計程序控制。
简体摘要：本发明揭示用于半导体晶圆之全晶圆检测方法。一种方法包括同时在半导体晶圆之整个表面的量测部位上以最大量测部位像素密度ρmax进行选择量测参数之量测以获得量测数据，其中以最大量测部位像素密度ρmax获得之量测部位像素的总数在104与108之间。该方法亦包括定义半导体晶圆之表面的复数个分区，其中该等分区中之每一者具有量测部位像素密度ρ，其中该等分区中之至少两者具有不同大小之量测部位像素且因此具有不同量测部位像素密度ρ。该方法亦包括基于复数个分区及对应量测部位像素密度ρ而处理量测数据。该经处理量测数据可用于对用以在半导体晶圆上形成设备之进程进行统计进程控制。

2. 发明专利

TW200602619A 表面變形的測量裝置 Surface Strain Measuring Device 审中-公开
简体标题：表面变形的测量设备 Surface Strain Measuring Device
公开(公告)号：TW200602619A
公开(公告)日：2006-01-16
申请号：TW094116999
申请日：2005-05-25
申请人：英席狄克斯公司 INSIDIX
发明人：洋克勞德勒孔特 LECOMTE, JEAN-CLAUDE , 羅曼法悠勒 FAYOLLE, ROMAIN
IPC分类号： G01B
CPC分类号： G01B11/162
摘要：根據本發明的裝置係使得一個樣本(2)之至少一個表面(1)的應變可以對於溫度而被測量出來。在垂直於一個預定平面、例如是該表面(1)的平面、之一個方向中的應變係藉著複合的影像被測量。在前述平面中的應變係藉著影像互相關係而被測量。藉著影像互相關係的測量以及藉著複合影像的測量係使用一個共同的可見光檢測攝影機(3)。該樣本(2)係被配置在一個封閉件(6)之中，該封閉件對於可見光(L)來說至少為局部地可穿透的。至少一個紅外線發射器(9)係使得一種紅外線可以在一個光譜波段中被產生，用於沒有被該攝影機(3)所檢測到的一個較大部份。
简体摘要：根据本发明的设备系使得一个样本(2)之至少一个表面(1)的应变可以对于温度而被测量出来。在垂直于一个预定平面、例如是该表面(1)的平面、之一个方向中的应变系借着复合的影像被测量。在前述平面中的应变系借着影像互相关系而被测量。借着影像互相关系的测量以及借着复合影像的测量系使用一个共同的可见光检测摄影机(3)。该样本(2)系被配置在一个封闭件(6)之中，该封闭件对于可见光(L)来说至少为局部地可穿透的。至少一个红外线发射器(9)系使得一种红外线可以在一个光谱波段中被产生，用于没有被该摄影机(3)所检测到的一个较大部份。

3. 发明专利

TWI597795B 具有可選擇像素密度之全晶圓檢測方法有权
简体标题：具有可选择像素密度之全晶圆检测方法
公开(公告)号：TWI597795B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105141962
申请日：2016-12-16
申请人：精微超科技公司 , ULTRATECH, INC.
发明人：歐文大衛 , OWEN, DAVID , 李秉鎬 , LEE, BYUNG-HO , 布希艾立克 , BOUCHE, ERIC , 漢瑞魯克安德魯 , HAWRYLUK, ANDREW M.
IPC分类号： H01L21/66 , G01B9/02 , G01B11/24
CPC分类号： H01L22/24 , G01B9/02098 , G01B11/162 , G01B11/2441 , G01B11/303 , G01N21/8806 , G01N21/9501 , G03F7/70616 , G03F7/7065 , G05B19/41875 , H01L22/10 , H01L22/12 , H01L22/20

4. 发明专利

TWI361270B 表面應變的測量裝置 SURFACE STRAIN MEASURING DEVICE 有权
简体标题：表面应变的测量设备 SURFACE STRAIN MEASURING DEVICE
公开(公告)号：TWI361270B
公开(公告)日：2012-04-01
申请号：TW094116999
申请日：2005-05-25
申请人：英席狄克斯公司
发明人：洋克勞德勒孔特 , 羅曼法悠勒
IPC分类号： G01B
CPC分类号： G01B11/162
摘要：根據本發明的裝置係使得一個樣本(2)之至少一個表面(1)的應變可以對於溫度而被測量出來。在垂直於一個預定平面、例如是該表面(1)的平面、之一個方向中的應變係藉著複合的影像被測量。在前述平面中的應變係藉著影像互相關係而被測量。藉著影像互相關係的測量以及藉著複合影像的測量係使用一個共同的可見光檢測攝影機(3)。該樣本(2)係被配置在一個封閉件(6)之中，該封閉件對於可見光(L)來說至少為局部地可穿透的。至少一個紅外線發射器(9)係使得一種紅外線可以在一個光譜波段中被產生，用於沒有被該攝影機(3)所檢測到的一個較大部份。
简体摘要：根据本发明的设备系使得一个样本(2)之至少一个表面(1)的应变可以对于温度而被测量出来。在垂直于一个预定平面、例如是该表面(1)的平面、之一个方向中的应变系借着复合的影像被测量。在前述平面中的应变系借着影像互相关系而被测量。借着影像互相关系的测量以及借着复合影像的测量系使用一个共同的可见光检测摄影机(3)。该样本(2)系被配置在一个封闭件(6)之中，该封闭件对于可见光(L)来说至少为局部地可穿透的。至少一个红外线发射器(9)系使得一种红外线可以在一个光谱波段中被产生，用于没有被该摄影机(3)所检测到的一个较大部份。

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