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1. 发明专利

TW201631286A 用於塗佈有含溶劑之塗層的晶圓之烘烤裝置审中-公开
简体标题：用于涂布有含溶剂之涂层的晶圆之烘烤设备
公开(公告)号：TW201631286A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW104134347
申请日：2015-10-20
申请人：蘇士微科技印刷術股份有限公司 , SUSS MICROTEC LITHOGRAPHY GMBH
发明人：喬治葛瑞格利 , GEORGE, GREGORY , 弗里艾倫 , FOLEY, AARON , 崔可奧利佛 , TREICHEL, OLIVER
IPC分类号： F27D7/00 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67103 , F27B3/02 , F27D3/0084 , H01L21/67109 , H01L21/6719
摘要：所說明的是一種用於塗佈有含溶劑之塗層(15)的晶圓(14)之烘烤裝置(10)，其具有烘烤室(16)、用於晶圓(14)的支撐件(12)、用於沖洗氣體的入口(30)以及用於被以從塗層(15)蒸發的溶劑充填的沖洗氣體之排出(40)。入口被形成為佈置在晶圓(14)上方的擴散元件(30)，以允許沖洗氣體大致均勻地分布在晶圓(14)的整個表面上，且排出被形成為排出環(40)，其徑向地圍繞擴散元件(30)且被佈置在烘烤室(16)的天花板(22)處。
简体摘要：所说明的是一种用于涂布有含溶剂之涂层(15)的晶圆(14)之烘烤设备(10)，其具有烘烤室(16)、用于晶圆(14)的支撑件(12)、用于冲洗气体的入口(30)以及用于被以从涂层(15)蒸发的溶剂充填的冲洗气体之排出(40)。入口被形成为布置在晶圆(14)上方的扩散组件(30)，以允许冲洗气体大致均匀地分布在晶圆(14)的整个表面上，且排出被形成为排出环(40)，其径向地围绕扩散组件(30)且被布置在烘烤室(16)的天花板(22)处。

2. 发明专利

TW201211464A 熔融爐用的燃燒裝置及熔融爐 COMBUSTION DEVICE FOR FURNACE AND FURNACE 审中-公开
简体标题：熔融炉用的燃烧设备及熔融炉 COMBUSTION DEVICE FOR FURNACE AND FURNACE
公开(公告)号：TW201211464A
公开(公告)日：2012-03-16
申请号：TW100107174
申请日：2011-03-03
申请人：大阪瓦斯股份有限公司
发明人：平野誠 , 井上仁司
IPC分类号： F23D
CPC分类号： F23D14/22 , C03B5/235 , F23D14/20 , F23D14/48 , F23D14/58 , F23D91/02 , F27B3/002 , F27B3/007 , F27B3/02 , F27B3/205 , F27D99/0033 , F27D2099/004
摘要：本發明係以提供一種即使在火焰長邊方向的燃燒空間不充足時，亦不會導致因火焰輝度降低所造成之效率惡化或NOx生成量的增加之燃燒裝置者為目的。作為燃料噴出部(F)，是由朝燃料噴出長邊方向觀看時，具備有至少在特定方向上排列之第1燃料噴出部(F1)及第2燃料噴出部(F2)所構成，並使從第1燃料噴出部(F1)所噴出之第1噴出流與從第2燃料噴出部(F2)所噴出之第2噴出流，在噴出下游側衝撞而構成。
简体摘要：本发明系以提供一种即使在火焰长边方向的燃烧空间不充足时，亦不会导致因火焰辉度降低所造成之效率恶化或NOx生成量的增加之燃烧设备者为目的。作为燃料喷出部(F)，是由朝燃料喷出长边方向观看时，具备有至少在特定方向上排列之第1燃料喷出部(F1)及第2燃料喷出部(F2)所构成，并使从第1燃料喷出部(F1)所喷出之第1喷出流与从第2燃料喷出部(F2)所喷出之第2喷出流，在喷出下游侧冲撞而构成。

3. 发明专利

TWI559362B 基板處理裝置有权
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TWI559362B
公开(公告)日：2016-11-21
申请号：TW103135489
申请日：2014-10-14
申请人：尤金科技有限公司 , EUGENE TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：玄俊鎭 , HYON, JUN-JIN , 宋炳奎 , SONG, BYOUNG-GYU , 金勁勳 , KIM, KYONG-HUN , 金龍基 , KIM, YONG-KI , 申良湜 , SHIN, YANG-SIK , 金蒼乭 , KIM, CHANG-DOL
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/67109 , F27B1/02 , F27B1/10 , F27B1/20 , F27B1/21 , F27B3/02 , F27B5/04 , F27B5/06 , F27B5/14 , F27B5/16 , F27B5/18 , F27D3/0084 , H01L21/67126 , H01L21/67757

4. 发明专利

TW201604340A 用於處理熔體的設備、用於控制熔體內的熱流的系統及處理熔體的方法审中-公开
简体标题：用于处理熔体的设备、用于控制熔体内的热流的系统及处理熔体的方法
公开(公告)号：TW201604340A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW104112956
申请日：2015-04-23
申请人：瓦里安半導體設備公司 , VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.
发明人：卡爾森菲德梨克M , CARLSON, FREDERICK M. , 凱勒曼彼德L , KELLERMAN, PETER L. , 莫雷爾大衛 , MORRELL, DAVID , 梅克英特許布萊恩 , MACKINTOSH, BRIAN , 德塞南帝斯 , DESAI, NANDISH
IPC分类号： C30B35/00 , C30B15/20
CPC分类号： C30B15/06 , C30B15/10 , C30B15/14 , C30B29/06 , C30B29/64 , F27B3/02 , F27B3/10 , F27B14/06 , F27B14/14 , F27D2099/0013 , Y10T117/1048
摘要：一種用於處理熔體的設備可包含經配置以容納所述熔體的坩堝，其中所述熔體具有與所述坩堝的底部分開第一距離的暴露表面。所述設備可進一步包含浸沒式加熱器，所述浸沒式加熱器包括加熱元件以及安置於所述加熱元件與所述熔體之間的殼體，其中所述加熱元件不接觸所述熔體。所述加熱元件可安置在相對於所述熔體的所述暴露表面的第二距離處，所述第二距離小於所述第一距離。
简体摘要：一种用于处理熔体的设备可包含经配置以容纳所述熔体的坩埚，其中所述熔体具有与所述坩埚的底部分开第一距离的暴露表面。所述设备可进一步包含浸没式加热器，所述浸没式加热器包括加热组件以及安置于所述加热组件与所述熔体之间的壳体，其中所述加热组件不接触所述熔体。所述加热组件可安置在相对于所述熔体的所述暴露表面的第二距离处，所述第二距离小于所述第一距离。

5. 发明专利

TWI539117B 玻璃熔融爐用的燃燒裝置及玻璃熔融爐有权
简体标题：玻璃熔融炉用的燃烧设备及玻璃熔融炉
公开(公告)号：TWI539117B
公开(公告)日：2016-06-21
申请号：TW100107174
申请日：2011-03-03
申请人：大阪瓦斯股份有限公司 , OSAKA GAS CO., LTD.
发明人：平野誠 , HIRANO, MAKOTO , 井上仁司 , INOUE, HITOSHI
IPC分类号： F23D14/48 , F23D14/22
CPC分类号： F23D14/22 , C03B5/235 , F23D14/20 , F23D14/48 , F23D14/58 , F23D91/02 , F27B3/002 , F27B3/007 , F27B3/02 , F27B3/205 , F27D99/0033 , F27D2099/004

6. 发明专利

TW201530609A 基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TW201530609A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW103135489
申请日：2014-10-14
申请人：尤金科技有限公司 , EUGENE TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：玄俊鎭 , HYON, JUN-JIN , 宋炳奎 , SONG, BYOUNG-GYU , 金勁勳 , KIM, KYONG-HUN , 金龍基 , KIM, YONG-KI , 申良湜 , SHIN, YANG-SIK , 金蒼乭 , KIM, CHANG-DOL
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/67109 , F27B1/02 , F27B1/10 , F27B1/20 , F27B1/21 , F27B3/02 , F27B5/04 , F27B5/06 , F27B5/14 , F27B5/16 , F27B5/18 , F27D3/0084 , H01L21/67126 , H01L21/67757
摘要：本發明揭示一種基板處理裝置。該基板處理設備包含：一腔室本體，其具有一通道，透過其一側輸送基板，該腔室本體具有開放式上半部與下半部；一內部反應管，其設置於該腔室本體之上來提供一處理空間，其中執行有關該等基板的一處理，該內部反應管具有一開放式下半部；一基板固定器，設置於該腔室的該開放式下半部內，以便在輸送通過該通道的該等基板垂直堆疊之一堆疊位置與該基板固定器朝向該處理空間上升之一處理位置之間移動，來執行與該等堆疊基板有關的該處理；一阻擋板，其連接至該基板固定器的下半部，以便與該基板固定器一起上升或下降，該阻擋板在該處理位置上封閉該內部反應管的該開放式下半部；一連接圓筒，其垂直設置於該阻擋板的下半部上，隨著該阻擋板一起上升或下降；以及一阻擋構件，其連接在該腔室本體的該開放式下半部與該連接圓筒之間，將該腔室本體的該開放式下半部與外界隔離。
简体摘要：本发明揭示一种基板处理设备。该基板处理设备包含：一腔室本体，其具有一信道，透过其一侧输送基板，该腔室本体具有开放式上半部与下半部；一内部反应管，其设置于该腔室本体之上来提供一处理空间，其中运行有关该等基板的一处理，该内部反应管具有一开放式下半部；一基板固定器，设置于该腔室的该开放式下半部内，以便在输送通过该信道的该等基板垂直堆栈之一堆栈位置与该基板固定器朝向该处理空间上升之一处理位置之间移动，来运行与该等堆栈基板有关的该处理；一阻挡板，其连接至该基板固定器的下半部，以便与该基板固定器一起上升或下降，该阻挡板在该处理位置上封闭该内部反应管的该开放式下半部；一连接圆筒，其垂直设置于该阻挡板的下半部上，随着该阻挡板一起上升或下降；以及一阻挡构件，其连接在该腔室本体的该开放式下半部与该连接圆筒之间，将该腔室本体的该开放式下半部与外界隔离。

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