专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI596236B 電解製程中適於釋氧用之電極和製法，以及金屬之陰極電解沈積製程有权
简体标题：电解制程中适于释氧用之电极和制法，以及金属之阴极电解沉积制程
公开(公告)号：TWI596236B
公开(公告)日：2017-08-21
申请号：TW102136649
申请日：2013-10-11
申请人：第諾拉工業公司 , INDUSTRIE DE NORA S.P.A.
发明人：卡德瑞拉愛麗絲 , CALDERARA, ALICE , 伊亞可皮提路西安諾 , IACOPETTI, LUCIANO , 提帕諾法比歐 , TIMPANO, FABIO
IPC分类号： C25C7/02 , C25C1/10 , C25D3/06
CPC分类号： C25D17/10 , C25B11/0484 , C25C1/10 , C25C7/02 , C25D3/04 , C25D3/06

3. 发明专利

TWI566458B 複合金屬箔及其製造方法有权
简体标题：复合金属箔及其制造方法
公开(公告)号：TWI566458B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：TW101111878
申请日：2012-04-03
申请人：三井金屬鑛業股份有限公司 , MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：松永哲廣 , MATSUNAGA, TETSUHIRO , 渡邊肇 , WATANABE, HAJIME , 西川丞 , NISHIKAWA, JOE
IPC分类号： H01M4/74 , H01M4/88
CPC分类号： H01M4/80 , B05D1/12 , B05D1/14 , B05D5/12 , B05D7/50 , B22F7/04 , C22C49/00 , C25D1/04 , C25D1/08 , C25D3/04 , C25D3/38 , C25D5/12 , C25D7/0635 , H01G9/016 , H01G11/68 , H01M4/0402 , H01M4/661 , H01M4/665 , H01M10/0525 , Y02E60/13 , Y10T29/49115

4. 发明专利

TW201420813A 電解製程中適於釋氧用之電極和製法，以及金屬之陰極電解沈積製程审中-公开
简体标题：电解制程中适于释氧用之电极和制法，以及金属之阴极电解沉积制程
公开(公告)号：TW201420813A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW102136649
申请日：2013-10-11
申请人：第諾拉工業公司 , INDUSTRIE DE NORA S.P.A.
发明人：卡德瑞拉愛麗絲 , CALDERARA, ALICE , 伊亞可皮提路西安諾 , IACOPETTI, LUCIANO , 提帕諾法比歐 , TIMPANO, FABIO
IPC分类号： C25C7/02 , C25C1/10 , C25D3/06
CPC分类号： C25D17/10 , C25B11/0484 , C25C1/10 , C25C7/02 , C25D3/04 , C25D3/06
摘要：本發明係關於電解製程用之電極，尤指適於釋氧用之陽極，包括閥金屬基材、觸媒層、介置於基材和觸媒層中間的閥金屬氧化物組成之保護層，以及閥金屬氧化物之外塗層。本發明電極特別適於從含Cr(Ⅲ)水溶液在陰極電極沈積鉻之製程。
简体摘要：本发明系关于电解制程用之电极，尤指适于释氧用之阳极，包括阀金属基材、触媒层、介置于基材和触媒层中间的阀金属氧化物组成之保护层，以及阀金属氧化物之外涂层。本发明电极特别适于从含Cr(Ⅲ)水溶液在阴极电极沉积铬之制程。

5. 发明专利

TW201415721A 電子零件用金屬材料及其製造方法审中-公开
简体标题：电子零件用金属材料及其制造方法
公开(公告)号：TW201415721A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：TW101139398
申请日：2012-10-25
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：澀谷義孝 , SHIBUYA, YOSHITAKA , 深町一彥 , FUKAMACHI, KAZUHIKO , 兒玉篤志 , KODAMA, ATSUSHI
IPC分类号： H01R13/03 , C22C13/00
CPC分类号： C22C5/06 , B32B15/01 , C22C5/02 , C22C5/08 , C22C9/00 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22C13/00 , C22C13/02 , C22C19/03 , C22C28/00 , C23C28/021 , C25D3/04 , C25D3/18 , C25D3/20 , C25D3/30 , C25D3/38 , C25D3/46 , C25D3/48 , C25D3/50 , C25D3/562 , C25D3/60 , C25D3/64 , C25D5/10 , C25D5/12 , C25D5/505 , C25D7/00
摘要：本發明提供一種具有低插拔性、低晶鬚(whisker)性及高耐久性之電子零件用金屬材料及其製造方法。本發明之電子零件用金屬材料10具備基材11、A層、及B層；該A層14構成基材11之最表層，且由Sn、In或該等之合金形成；B層13設置於基材11與A層14之間而構成中層，且由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir或該等之合金形成；且最表層(A層)14之厚度為0.002~0.2 μm，中層(B層)13之厚度厚於0.3 μm。
简体摘要：本发明提供一种具有低插拔性、低晶须(whisker)性及高耐久性之电子零件用金属材料及其制造方法。本发明之电子零件用金属材料10具备基材11、A层、及B层；该A层14构成基材11之最表层，且由Sn、In或该等之合金形成；B层13设置于基材11与A层14之间而构成中层，且由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir或该等之合金形成；且最表层(A层)14之厚度为0.002~0.2 μm，中层(B层)13之厚度厚于0.3 μm。

6. 发明专利

TW201308737A 複合金屬箔及其製造方法审中-公开
简体标题：复合金属箔及其制造方法
公开(公告)号：TW201308737A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW101111878
申请日：2012-04-03
申请人：三井金屬鑛業股份有限公司 , MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：松永哲廣 , MATSUNAGA, TETSUHIRO , 渡邊肇 , WATANABE, HAJIME , 西川丞 , NISHIKAWA, JOE
IPC分类号： H01M4/74 , H01M4/88
CPC分类号： H01M4/80 , B05D1/12 , B05D1/14 , B05D5/12 , B05D7/50 , B22F7/04 , C22C49/00 , C25D1/04 , C25D1/08 , C25D3/04 , C25D3/38 , C25D5/12 , C25D7/0635 , H01G9/016 , H01G11/68 , H01M4/0402 , H01M4/661 , H01M4/665 , H01M10/0525 , Y02E60/13 , Y10T29/49115
摘要：本發明提供一種複合金屬箔，其具備由以金屬纖維構成之二維網眼構造所成之多孔質金屬箔及設於前述多孔質金屬箔之孔內部及/或周圍之至少一部份上之底塗。依據本發明，可藉亦適於連續生產之高生產性且便宜地獲得除了源自多孔質金屬箔之優異特性以外，亦利用底塗賦予所需機能之複合金屬箔。
简体摘要：本发明提供一种复合金属箔，其具备由以金属纤维构成之二维网眼构造所成之多孔质金属箔及设于前述多孔质金属箔之孔内部及/或周围之至少一部份上之底涂。依据本发明，可藉亦适于连续生产之高生产性且便宜地获得除了源自多孔质金属箔之优异特性以外，亦利用底涂赋予所需机能之复合金属箔。

7. 发明专利

TW201602421A 圓筒用電鍍裝置及方法审中-公开
简体标题：圆筒用电镀设备及方法
公开(公告)号：TW201602421A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104106823
申请日：2015-03-04
申请人：新克股份有限公司 , THINK LABORATORY CO., LTD.
发明人：祐成和弘 , SUKENARI, KAZUHIRO
IPC分类号： C25D17/00 , C25D17/06 , C25D17/12 , C25D7/04 , C25D3/04 , C25D3/38 , B41C1/18 , B41N1/06
CPC分类号： C25D17/12 , C25D3/04 , C25D3/38 , C25D5/04 , C25D7/00 , C25D7/04 , C25D17/06
摘要：本發明的課題係在於提供不受被處理圓筒的直徑影響，能夠將不溶性電極與被處理圓筒的距離作成一定，且利用增大不溶性電極的表面積，能夠減少朝不溶性電極之電流密度，藉此能夠減輕不溶性電極之負擔的圓筒用電鍍裝置及方法。用以解決課題之手段為，一種圓筒用電鍍裝置，係將一對不溶性電極以隔著預定間隔接近被處理圓筒的兩側面，對被處理圓筒的外周表面實施電鍍，該一對不溶性電極是具有至少使下部部分朝內側彎曲之形狀且至少下部部分作成為梳痕狀部，其特徵為，以另一方的不溶性電極的梳痕狀部的凸部位於一方的不溶性電極之梳痕狀部的凹部之位置的方式使該等不溶性電極交互地相對向，以不溶性電極的上端部分作為轉動中心將不溶性電極構成為可轉動，因應被處理圓筒的徑可調整不溶性電極對被處理圓筒之外周表面的接近距離。
简体摘要：本发明的课题系在于提供不受被处理圆筒的直径影响，能够将不溶性电极与被处理圆筒的距离作成一定，且利用增大不溶性电极的表面积，能够减少朝不溶性电极之电流密度，借此能够减轻不溶性电极之负担的圆筒用电镀设备及方法。用以解决课题之手段为，一种圆筒用电镀设备，系将一对不溶性电极以隔着预定间隔接近被处理圆筒的两侧面，对被处理圆筒的外周表面实施电镀，该一对不溶性电极是具有至少使下部部分朝内侧弯曲之形状且至少下部部分作成为梳痕状部，其特征为，以另一方的不溶性电极的梳痕状部的凸部位于一方的不溶性电极之梳痕状部的凹部之位置的方式使该等不溶性电极交互地相对向，以不溶性电极的上端部分作为转动中心将不溶性电极构成为可转动，因应被处理圆筒的径可调整不溶性电极对被处理圆筒之外周表面的接近距离。

8. 发明专利

TWI453300B 熱壓用鋼板以及使用該熱壓用鋼板的熱壓部材的製造方法有权
简体标题：热压用钢板以及使用该热压用钢板的热压部材的制造方法
公开(公告)号：TWI453300B
公开(公告)日：2014-09-21
申请号：TW101107793
申请日：2012-03-08
申请人：杰富意鋼鐵股份有限公司 , JFE STEEL CORPORATION
发明人：中島清次 , NAKAJIMA, SEIJI , 三好達也 , MIYOSHI, TATSUYA , 中丸裕樹 , NAKAMARU, HIROKI
IPC分类号： C23C30/00
CPC分类号： C22C18/00 , B21D22/022 , B32B15/012 , B32B15/013 , B32B15/015 , C21D1/18 , C21D1/673 , C22C21/02 , C22C38/001 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/06 , C22C38/28 , C22C38/32 , C22C38/60 , C23C30/00 , C25D3/04 , C25D3/12 , C25D3/562 , C25D5/50 , C25D7/0614

9. 发明专利

TW201435155A 附載體銅箔审中-公开
简体标题：附载体铜箔
公开(公告)号：TW201435155A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW102143728
申请日：2013-11-29
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：永浦友太 , NAGAURA, TOMOTA , 古曳倫也 , KOHIKI, MICHIYA
IPC分类号： C25D7/06 , H05K1/09 , H05K3/18 , B32B15/08
CPC分类号： H05K3/205 , B32B15/04 , C25D1/04 , C25D3/04 , C25D3/12 , C25D3/562 , C25D5/022 , C25D5/12 , C25D5/48 , C25D7/0614 , C25D11/02 , H05K1/09 , H05K2201/0355 , H05K2201/0367
摘要：本發明提供一種附載體銅箔，可形成比L/S=20μm/20μm更加微細的配線，例如L/S=15μm/15μm之微細配線。一種附載體銅箔，其依序具有銅箔載體、中間層、極薄銅層，該中間層含有Ni，將該附載體銅箔於220℃加熱2小時後，根據JIS C 6471剝離該極薄銅層時，該極薄銅層之該中間層側的表面之Ni附著量為5μg/dm2以上且300μg/dm2以下。
简体摘要：本发明提供一种附载体铜箔，可形成比L/S=20μm/20μm更加微细的配线，例如L/S=15μm/15μm之微细配线。一种附载体铜箔，其依序具有铜箔载体、中间层、极薄铜层，该中间层含有Ni，将该附载体铜箔于220℃加热2小时后，根据JIS C 6471剥离该极薄铜层时，该极薄铜层之该中间层侧的表面之Ni附着量为5μg/dm2以上且300μg/dm2以下。

10. 发明专利

TW201423167A 光學擴散膜及其製造方法审中-公开
简体标题：光学扩散膜及其制造方法
公开(公告)号：TW201423167A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：TW102142323
申请日：2013-11-20
申请人： 3M新設資產公司 , 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY
发明人：菲崔狄恩 , PHAM, TRI DINH , 康史帝芬星誠 , KONG, STEVEN HIN-CHUNG , 張海燕 , ZHANG, HAIYAN , 艾羅森喬瑟夫西歐多爾 , ARONSON, JOSEPH THEODORE , 里夫麥可勞伯特 , LEAF, MICHAEL ROBERT , 鮑伊德蓋瑞提摩西 , BOYD, GARY TIMOTHY , 強森尼可拉斯艾倫 , JOHNSON, NICHOLAS ALLEN , 王慶兵 , WANG, QINGBING
IPC分类号： G02B5/02
CPC分类号： G02B5/021 , B29C59/026 , B29L2011/00 , C25D3/04 , C25D3/38 , C25D5/12 , C25D5/16 , G02B5/0221 , G02B5/0268 , G02B5/0278 , G02B6/0051 , G02F1/133606
摘要：本發明係關於光學擴散膜，其藉由微複製自結構化表面工具製得。該工具使用兩部分電鍍製程製得，其中第一電鍍程序形成具有第一主要表面之第一金屬層，且第二電鍍程序在該第一金屬層上形成第二金屬層，該第二金屬層之第二主要表面具有比該第一主要表面小之平均粗糙度。該第二主要表面可充當該工具之該結構化表面。此表面之複製品可隨後在光學膜之主要表面中製得以提供光擴散特性。該結構化表面及/或其組份結構可根據不同參數表徵，諸如光學混濁度、光學透明度、該構形沿正交平面內方向之傅里葉功率頻譜、每單位面積隆脊長度、等效圓直徑(ECD)及/或縱橫比。
简体摘要：本发明系关于光学扩散膜，其借由微复制自结构化表面工具制得。该工具使用两部分电镀制程制得，其中第一电镀进程形成具有第一主要表面之第一金属层，且第二电镀进程在该第一金属层上形成第二金属层，该第二金属层之第二主要表面具有比该第一主要表面小之平均粗糙度。该第二主要表面可充当该工具之该结构化表面。此表面之复制品可随后在光学膜之主要表面中制得以提供光扩散特性。该结构化表面及/或其组份结构可根据不同参数表征，诸如光学混浊度、光学透明度、该构形沿正交平面内方向之傅里叶功率频谱、每单位面积隆嵴长度、等效圆直径(ECD)及/或纵横比。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式