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1. 发明专利

TW200839846A 圖案形成方法及半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：图案形成方法及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW200839846A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：TW096149752
申请日：2007-12-24
申请人：國立大學法人名古屋大學 NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION NAGOYA UNIVERSITY , 東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：堀勝 HORI, MASARU , 壁義郎 KABE, YOSHIRO , 鹽澤俊彥 SHIOZAWA, TOSHIHIKO , 北川淳一 KITAGAWA, JUNICHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31662 , H01L21/02238 , H01L21/02252 , H01L21/30604 , H01L21/3065 , H01L21/31111 , H01L21/31116 , H01L29/66818
摘要：本發明之圖案形成方法係包含:準備具有形成初期圖案的矽之被處理體,該初期圖案具有第1線寬;在電漿處理裝置的處理室內電漿氧化處理該矽表面,於初期圖案的表面形成氧化矽膜;及除去氧化矽膜,並且,藉由重複進行氧化矽膜的形成及氧化矽膜的除去,在被處理體上形成具有比上述第1線寬更微細的第2線寬之目的的圖案。
简体摘要：本发明之图案形成方法系包含:准备具有形成初期图案的硅之被处理体,该初期图案具有第1线宽;在等离子处理设备的处理室内等离子氧化处理该硅表面,于初期图案的表面形成氧化硅膜;及除去氧化硅膜,并且,借由重复进行氧化硅膜的形成及氧化硅膜的除去,在被处理体上形成具有比上述第1线宽更微细的第2线宽之目的的图案。

2. 发明专利

TW200818315A 電漿氧化處理方法审中-公开
简体标题：等离子氧化处理方法
公开(公告)号：TW200818315A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：TW096131864
申请日：2007-08-28
申请人：國立大學法人名古屋大學 NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION NAGOYA UNIVERSITY , 東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：堀勝 HORI, MASARU , 鹽澤俊彥 SHIOZAWA, TOSHIHIKO , 壁義郎 KABE, YOSHIRO , 北川淳一 KITAGAWA, JUNICHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31662 , C23C8/10 , C23C8/36 , H01L21/02238 , H01L21/02252 , H01L22/20
摘要：在電漿處理裝置的處理室內,使用含氧的處理氣體,且使用O(^1D2)自由基之密度為1�10^12【【㎝^-3】】以上的電漿,將被處理體的表面施行電漿氧化處理,而形成氧化矽膜。在進行電漿氧化處理的期間,利用VUV單光器(monochromater)63,計測電漿中之O(^1D2)自由基的密度,且修正電漿處理條件。
简体摘要：在等离子处理设备的处理室内,使用含氧的处理气体,且使用O(^1D2)自由基之密度为1�10^12【【㎝^-3】】以上的等离子,将被处理体的表面施行等离子氧化处理,而形成氧化硅膜。在进行等离子氧化处理的期间,利用VUV单光器(monochromater)63,计测等离子中之O(^1D2)自由基的密度,且修正等离子处理条件。

3. 发明专利

TW200905750A 電漿氧化處理方法审中-公开
简体标题：等离子氧化处理方法
公开(公告)号：TW200905750A
公开(公告)日：2009-02-01
申请号：TW097111436
申请日：2008-03-28
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：壁義郎 KABE, YOSHIRO , 小林岳志 KOBAYASHI, TAKASHI , 鹽澤俊彥 SHIOZAWA, TOSHIHIKO , 北川淳一 KITAGAWA, JUNICHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31662 , H01L21/02238 , H01L21/02252 , H01L21/76232
摘要：在電漿處理裝置之處理室內,對具有凹凸圖案之被處理體進行電漿氧化處理,而形成矽氧化膜時,係在處理氣體中之氧之比例為0.5%以上、小於10%、而且處理壓力為1.3-665Pa的條件下,對載置被處理體的載置台施加高頻電力之同時而形成電漿。
简体摘要：在等离子处理设备之处理室内,对具有凹凸图案之被处理体进行等离子氧化处理,而形成硅氧化膜时,系在处理气体中之氧之比例为0.5%以上、小于10%、而且处理压力为1.3-665Pa的条件下,对载置被处理体的载置台施加高频电力之同时而形成等离子。

4. 发明专利

TW200618112A 半導體裝置的製造方法及電漿氧化處理方法审中-公开
简体标题：半导体设备的制造方法及等离子氧化处理方法
公开(公告)号：TW200618112A
公开(公告)日：2006-06-01
申请号：TW094127573
申请日：2005-08-12
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：壁義郎 KABE, YOSHIRO , 佐佐木勝 SASAKI, MASARU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/045 , H01J37/32192 , H01L21/28061 , H01L21/28247 , H01L21/32105
摘要：於藉由電漿處理裝置100而進行閘極電極的選擇氧化處理時，係將形成了閘極電極的晶圓W載置於處理室1內的承受器2上，從氣體供給系16的Ar(氬)氣體供給源17、H2(氫)氣體供給源18、及O2(氧)氣體供給源19，經由氣體導入構件15，將Ar氣體、H2氣體及O2氣體，如成為H2氣體與O2氣體的流量比H2／O2為1.5以上、20以下，理想為4以上、較理想為8以上的導入處理室1內，處理室內壓力作為3～700Pa，例如作為6.7Pa(50mTorr)。
简体摘要：于借由等离子处理设备100而进行闸极电极的选择氧化处理时，系将形成了闸极电极的晶圆W载置于处理室1内的承受器2上，从气体供给系16的Ar(氩)气体供给源17、H2(氢)气体供给源18、及O2(氧)气体供给源19，经由气体导入构件15，将Ar气体、H2气体及O2气体，如成为H2气体与O2气体的流量比H2／O2为1.5以上、20以下，理想为4以上、较理想为8以上的导入处理室1内，处理室内压力作为3～700Pa，例如作为6.7Pa(50mTorr)。

5. 发明专利

TW200834729A 氧化矽膜之形成方法、電漿處理裝置、以及記憶媒體审中-公开
简体标题：氧化硅膜之形成方法、等离子处理设备、以及记忆媒体
公开(公告)号：TW200834729A
公开(公告)日：2008-08-16
申请号：TW096136355
申请日：2007-09-28
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：壁義郎 KABE, YOSHIRO , 小林岳志 KOBAYASHI, TAKASHI , 鹽澤俊彥 SHIOZAWA, TOSHIHIKO , 北川淳一 KITAGAWA, JUNICHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76232 , H01L21/0214 , H01L21/0217 , H01L21/02238 , H01L21/02247 , H01L21/02252 , H01L21/02332 , H01L21/0234 , H01L21/28211 , H01L21/28247 , H01L21/31662 , H01L21/76224 , H01L29/4236 , H01L29/66795
摘要：無損於電漿氧化處理的優點,而形成絕緣電阻優異且得以提高半導體裝置之良率的優質膜品質之氧化矽膜。以處理氣體中的氧之比例為1%以下,且壓力為133 Pa以下的第一處理條件來形成電漿,藉由該電漿使被處理體表面的矽氧化,而形成氧化矽膜(第一氧化處理製程)。接著前述第一氧化處理製程之後,以處理氣體中的氧之比例為20%以上,且壓力為400~1333 Pa的第二處理條件來形成電漿,藉由該電漿使前述被處理體表面氧化,而形成更進一步之氧化矽膜(第二氧化處理製程)。
简体摘要：无损于等离子氧化处理的优点,而形成绝缘电阻优异且得以提高半导体设备之良率的优质膜品质之氧化硅膜。以处理气体中的氧之比例为1%以下,且压力为133 Pa以下的第一处理条件来形成等离子,借由该等离子使被处理体表面的硅氧化,而形成氧化硅膜(第一氧化处理制程)。接着前述第一氧化处理制程之后,以处理气体中的氧之比例为20%以上,且压力为400~1333 Pa的第二处理条件来形成等离子,借由该等离子使前述被处理体表面氧化,而形成更进一步之氧化硅膜(第二氧化处理制程)。

6. 发明专利

TW200834731A 電漿氧化處理方法审中-公开
简体标题：等离子氧化处理方法
公开(公告)号：TW200834731A
公开(公告)日：2008-08-16
申请号：TW096136365
申请日：2007-09-28
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：小林岳志 KOBAYASHI, TAKASHI , 北川淳一 KITAGAWA, JUNICHI , 壁義郎 KABE, YOSHIRO , 鹽澤俊彥 SHIOZAWA, TOSHIHIKO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31662 , H01L21/02238 , H01L21/02252
摘要：係於電漿處理裝置之處理室內,以處理氣體中之氧比例為20%以上、且400Pa以上及1333Pa以下之處理壓力之條件,形成電漿,藉由前述電漿,氧化被處理體表面所露出之矽而形成矽氧化膜之電漿氧化處理方法。
简体摘要：系于等离子处理设备之处理室内,以处理气体中之氧比例为20%以上、且400Pa以上及1333Pa以下之处理压力之条件,形成等离子,借由前述等离子,氧化被处理体表面所露出之硅而形成硅氧化膜之等离子氧化处理方法。

7. 发明专利

TW200834730A 矽氧化膜之形成方法、電漿處理裝置、及記憶媒體审中-公开
简体标题：硅氧化膜之形成方法、等离子处理设备、及记忆媒体
公开(公告)号：TW200834730A
公开(公告)日：2008-08-16
申请号：TW096136359
申请日：2007-09-28
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：小林岳志 KOBAYASHI, TAKASHI , 鹽澤俊彥 SHIOZAWA, TOSHIHIKO , 壁義郎 KABE, YOSHIRO , 北川淳一 KITAGAWA, JUNICHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76232 , H01L21/0214 , H01L21/0217 , H01L21/02238 , H01L21/02247 , H01L21/02252 , H01L21/02332 , H01L21/0234 , H01L21/28211 , H01L21/28247 , H01L21/3143 , H01L21/31662 , H01L21/3185 , H01L29/4236 , H01L29/66795
摘要：可以維持「低壓力、低氧濃度條件」之電漿氧化處理之優點之同時,可減少膜厚之受圖案疏密之影響,可以均勻膜厚形成矽氧化膜。在電漿處理裝置之處理室內,使處理氣體之電漿作用於具有凹凸圖案之被處理體表面之矽而產生氧化形成矽氧化膜。上述處理氣體中之氧之比例為0.1%以上10%以下、而且壓力為0.133Pa以上133.3Pa以下之條件形成上述電漿。於上述處理室內之電漿產生區域與被處理體之間存在具有多數貫穿開口的板而進行處理。
简体摘要：可以维持“低压力、低氧浓度条件”之等离子氧化处理之优点之同时,可减少膜厚之受图案疏密之影响,可以均匀膜厚形成硅氧化膜。在等离子处理设备之处理室内,使处理气体之等离子作用于具有凹凸图案之被处理体表面之硅而产生氧化形成硅氧化膜。上述处理气体中之氧之比例为0.1%以上10%以下、而且压力为0.133Pa以上133.3Pa以下之条件形成上述等离子。于上述处理室内之等离子产生区域与被处理体之间存在具有多数贯穿开口的板而进行处理。

8. 发明专利

TW200531123A 半導體裝置之製造方法及電漿氧化處理方法审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法及等离子氧化处理方法
公开(公告)号：TW200531123A
公开(公告)日：2005-09-16
申请号：TW093105294
申请日：2004-03-01
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：佐佐木勝 SASAKI, MASARU , 壁義郎 KABE, YOSHIRO
IPC分类号： H01L
摘要：在矽晶圓101上的閘極氧化膜102上形成多晶矽膜，形成多晶矽電極層103(第一電極層)。在該多晶矽電極層103上形成鎢層105(第二電極層)。尚且，在形成鎢層105之前，在多晶矽電極層103上預先形成導電性的阻障層104。之後，將氮化矽層106作為蝕刻遮罩，進行蝕刻處理。然後，在裸露的多晶矽層103的露出面，使用含有氧氣與氫氣的處理氣體，藉由以處理溫度為300℃以上的電漿氧化處理，形成氧化絕緣膜107。藉此，不使鎢層105氧化，可以對多晶矽電極層103進行選擇的氧化處理。
简体摘要：在硅晶圆101上的闸极氧化膜102上形成多晶硅膜，形成多晶硅电极层103(第一电极层)。在该多晶硅电极层103上形成钨层105(第二电极层)。尚且，在形成钨层105之前，在多晶硅电极层103上预先形成导电性的阻障层104。之后，将氮化硅层106作为蚀刻遮罩，进行蚀刻处理。然后，在裸露的多晶硅层103的露出面，使用含有氧气与氢气的处理气体，借由以处理温度为300℃以上的等离子氧化处理，形成氧化绝缘膜107。借此，不使钨层105氧化，可以对多晶硅电极层103进行选择的氧化处理。

9. 发明专利

TW200926909A 電漿處理裝置,電漿處理方法及終點檢測方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备,等离子处理方法及终点检测方法
公开(公告)号：TW200926909A
公开(公告)日：2009-06-16
申请号：TW097132830
申请日：2008-08-27
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：壁義郎 KABE, YOSHIRO , 太田欣也 OTA, KINYA , 北川淳一 KITAGAWA, JUNICHI
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H01L21/02252 , H01J37/32963 , H01L21/02238
摘要：電漿處理裝置(100)具備:於腔室(1)內生成電漿之電漿生成手段;用以計測朝被處理體(晶圓W)移動之電漿中之活性種之粒子數之累積値的計測部(60);以計測到之粒子數之累積値到達設定値時結束電漿處理之方式執行控制之控制部(50)。計測部(60),係藉由從光源部(61)朝電漿照射特定雷射光並以具備VUV單色儀之檢測部(63)進行受光來測定活性種之粒子數。
简体摘要：等离子处理设备(100)具备:于腔室(1)内生成等离子之等离子生成手段;用以计测朝被处理体(晶圆W)移动之等离子中之活性种之粒子数之累积値的计测部(60);以计测到之粒子数之累积値到达设置値时结束等离子处理之方式运行控制之控制部(50)。计测部(60),系借由从光源部(61)朝等离子照射特定激光光并以具备VUV单色仪之检测部(63)进行受光来测定活性种之粒子数。

10. 发明专利

TW200830416A 電漿氧化處理方法审中-公开
简体标题：等离子氧化处理方法
公开(公告)号：TW200830416A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：TW096136363
申请日：2007-09-28
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：鹽澤俊彥 SHIOZAWA, TOSHIHIKO , 壁義郎 KABE, YOSHIRO , 小林岳志 KOBAYASHI, TAKASHI , 北川淳一 KITAGAWA, JUNICHI , 伊佐和裕 ISA, KAZUHIRO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76229 , H01J37/32192 , H01L21/02238 , H01L21/02252 , H01L21/31662 , H01L21/7621
摘要：矽氧化膜之形成方法,包含:在電漿處理裝置之處理容器內配置表面以矽構成、表面具有凹凸形狀之圖案的被處理體;在處理容器內,於處理氣體中之氧之比例為5-20%範圍內、而且處理壓力為267Pa以上400Pa以下範圍內形成電漿;及藉由上述電漿使上述被處理體表面之矽被氧化而形成矽氧化膜。
简体摘要：硅氧化膜之形成方法,包含:在等离子处理设备之处理容器内配置表面以硅构成、表面具有凹凸形状之图案的被处理体;在处理容器内,于处理气体中之氧之比例为5-20%范围内、而且处理压力为267Pa以上400Pa以下范围内形成等离子;及借由上述等离子使上述被处理体表面之硅被氧化而形成硅氧化膜。

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