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1. 发明专利

TW201506211A 用於形成傳導性圖案的組成物和方法以及在上面具有該傳導性圖案的樹脂結構體审中-公开
简体标题：用于形成传导性图案的组成物和方法以及在上面具有该传导性图案的树脂结构体
公开(公告)号：TW201506211A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：TW103114531
申请日：2014-04-22
申请人： LG化學股份有限公司 , LG CHEM, LTD.
发明人：朴致成 , PARK, CHEE SUNG , 鄭漢娜 , JEONG, HAN NAH , 鄭相允 , JUNG, SANG YUN , 朴哲凞 , PARK, CHEOL-HEE , 鄭粲燁 , CHUNG, CHAN YEUP , 金宰賢 , KIM, JAE HYUN , 田信姬 , JUN, SHIN HEE
IPC分类号： C30B30/00 , C30B29/10 , H01B1/02 , H05K3/10
CPC分类号： H05K3/105 , C08K3/22 , C08K2003/2227 , C08K2003/2248 , C23C18/1608 , C23C18/161 , C23C18/1612 , C23C18/1641 , C23C18/1658 , C23C18/204 , C23C18/405 , H01B1/22 , H05K1/0296 , H05K1/0373 , H05K1/09 , H05K3/0014 , H05K3/185 , H05K2201/0236 , H05K2201/09118 , H05K2203/107 , C08L69/00
摘要：本發明係關於用於形成傳導性圖案之組成物，其能夠藉非常簡單的程序在各種聚合物樹脂產物或樹脂層上形成精細的傳導性圖案，使用彼形成傳導性圖案之方法，及具有該傳導性圖案之樹脂結構。用於形成傳導性圖案之組成物包括聚合物樹脂；和非傳導性金屬化合物，其含有第一金屬和第二金屬，其中該非傳導性金屬化合物具有含有複數個第一層的三維結構，該第一層含有第一和第二金屬中之至少一種金屬並具有彼此二維連接之邊緣共享的八面體，和第二層，其含有不同於第一層的金屬並位於相鄰的第一層之間；和含有第一或第二金屬或其離子的金屬核，其係藉電磁照射而由該非傳導性金屬化合物形成。
简体摘要：本发明系关于用于形成传导性图案之组成物，其能够藉非常简单的进程在各种聚合物树脂产物或树脂层上形成精细的传导性图案，使用彼形成传导性图案之方法，及具有该传导性图案之树脂结构。用于形成传导性图案之组成物包括聚合物树脂；和非传导性金属化合物，其含有第一金属和第二金属，其中该非传导性金属化合物具有含有复数个第一层的三维结构，该第一层含有第一和第二金属中之至少一种金属并具有彼此二维连接之边缘共享的八面体，和第二层，其含有不同于第一层的金属并位于相邻的第一层之间；和含有第一或第二金属或其离子的金属核，其系藉电磁照射而由该非传导性金属化合物形成。

2. 发明专利

TW201136664A 用於飛灰的表面改質方法及其產業應用 PROCESS FOR THE SURFACE-MODIFICATION OF FLYASH AND INDUSTRIAL APPLICATIONS THEREOF 审中-公开
简体标题：用于飞灰的表面改质方法及其产业应用 PROCESS FOR THE SURFACE-MODIFICATION OF FLYASH AND INDUSTRIAL APPLICATIONS THEREOF
公开(公告)号：TW201136664A
公开(公告)日：2011-11-01
申请号：TW099140999
申请日：2010-11-26
申请人：科學與工業研究院
发明人：舒克拉沙特亞吉威史奴 , 瓦利爾克里西那哥柏庫馬 , 吉札克基里古達伊爾白朮維賈揚 , 西基薩撒將
IPC分类号： B01J , C23C
CPC分类号： C23C18/1868 , C04B18/082 , C04B20/12 , C23C18/1216 , C23C18/1245 , C23C18/1254 , C23C18/1295 , C23C18/1601 , C23C18/1642 , C23C18/1651 , C23C18/1658 , C23C18/1692 , C23C18/1851 , C23C18/1879 , C23C18/1889 , C23C18/405 , C23C18/44 , Y02W30/92 , C04B18/08 , C04B20/04 , C04B20/1066 , C04B20/1062
摘要：一種用於飛灰的表面改質方法及其產業應用，其涉及新的表面敏化、新的表面活化以及隨後在習知無電鍍浴中原有飛灰粒子的銅(Cu)或銀(Ag)塗鍍。對於使用較昂貴的錫(Sn)-鉛(Pb)催化劑系統來對飛灰粒子表面改質的習知方法來說，這些新的表面改質步驟提供有效率且價格合理的替代方案。相對於使用較昂貴的錫-鈀催化劑來處理，使用該新的表面改質方法來處理的飛灰亦適於更多的產業應用。經由新的表面改質方法來處理的原有飛灰粒子發現到諸如用於製造導電聚合物、塗料、黏著劑、塗封物以及樹脂供電子裝置之電磁干擾(EMI)屏蔽的導電填料，使用於汽車產業中以鉛為基礎之複合物，以及作為催化劑藉由將較長鏈的有機分子降解成較小的分子來淨化工業廢水的產業應用。
简体摘要：一种用于飞灰的表面改质方法及其产业应用，其涉及新的表面敏化、新的表面活化以及随后在习知无电镀浴中原有飞灰粒子的铜(Cu)或银(Ag)涂镀。对于使用较昂贵的锡(Sn)-铅(Pb)催化剂系统来对飞灰粒子表面改质的习知方法来说，这些新的表面改质步骤提供有效率且价格合理的替代方案。相对于使用较昂贵的锡-钯催化剂来处理，使用该新的表面改质方法来处理的飞灰亦适于更多的产业应用。经由新的表面改质方法来处理的原有飞灰粒子发现到诸如用于制造导电聚合物、涂料、黏着剂、涂封物以及树脂供电子设备之电磁干扰(EMI)屏蔽的导电填料，使用于汽车产业中以铅为基础之复合物，以及作为催化剂借由将较长链的有机分子降解成较小的分子来净化工业废水的产业应用。

3. 发明专利

TW201122153A 奈米結構的製作方法审中-公开
简体标题：奈米结构的制作方法
公开(公告)号：TW201122153A
公开(公告)日：2011-07-01
申请号：TW098144459
申请日：2009-12-23
申请人：國立台北科技大學
发明人：張裕煦 , 王家鑫
IPC分类号： C23C , B82B
CPC分类号： H05K3/182 , B82Y40/00 , C23C18/1608 , C23C18/1658 , C23C18/1844 , H05K2203/122 , Y10T428/24917
摘要：本發明提供一種奈米結構的製作方法，包含在一奈米級探針上吸附多數第一型有機分子，並準備一具有金屬層的基材，接著移動該探針，使該等第一型有機分子與該金屬層相結合，形成一第一圖案，再將形成有該第一圖案的基材浸到一含有第二型有機分子的溶液中，讓該等第二型有機分子與該金屬層結合而形成一與該第一圖案彼此互補的第二圖案，然後將前述形成有該第一、二圖案之基材浸入一化學鍍液中，在該第一圖案上沉積第一金屬，以完成該奈米結構的製造。
简体摘要：本发明提供一种奈米结构的制作方法，包含在一奈米级探针上吸附多数第一型有机分子，并准备一具有金属层的基材，接着移动该探针，使该等第一型有机分子与该金属层相结合，形成一第一图案，再将形成有该第一图案的基材浸到一含有第二型有机分子的溶液中，让该等第二型有机分子与该金属层结合而形成一与该第一图案彼此互补的第二图案，然后将前述形成有该第一、二图案之基材浸入一化学镀液中，在该第一图案上沉积第一金属，以完成该奈米结构的制造。

4. 发明专利

TW200848529A 利用超臨界溶劑在半導體基板上形成金屬膜的組成物及方法 COMPOSITION AND METHODS FOR FORMING METAL FILMS ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATES USING SUPERCRITICAL SOLVENTS 审中-公开
简体标题：利用超临界溶剂在半导体基板上形成金属膜的组成物及方法 COMPOSITION AND METHODS FOR FORMING METAL FILMS ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATES USING SUPERCRITICAL SOLVENTS
公开(公告)号：TW200848529A
公开(公告)日：2008-12-16
申请号：TW097103487
申请日：2008-01-30
申请人：蘭姆研究公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：馬克伊恩華格納 WAGNER, MARK IAN
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： H01L21/288 , C23C18/08 , C23C18/1642 , C23C18/1658 , C23C18/1678 , C23C18/1685 , C23C18/31
摘要：一種用以在半導體基板上形成金屬膜的組成物及方法。所揭示方法之一包含:加熱該半導體基板以獲得一經加熱的半導體基板;暴露該經加熱的半導體基板至包含至少一金屬前驅物的一組成物,該金屬前驅物包含至少一配位子、一過量的中性不穩定配位子、一超臨界溶劑、以及可選擇地B、C、N、Si、P與其混合物其中至少一者的來源;在該經加熱的半導體基板處或接近該經加熱的半導體基板處,暴露該組成物至一還原劑及/或熱能;分離該至少一配位子與該金屬前驅物;及形成該金屬膜,但令金屬氧化物的形成極小化。
简体摘要：一种用以在半导体基板上形成金属膜的组成物及方法。所揭示方法之一包含:加热该半导体基板以获得一经加热的半导体基板;暴露该经加热的半导体基板至包含至少一金属前驱物的一组成物,该金属前驱物包含至少一配位子、一过量的中性不稳定配位子、一超临界溶剂、以及可选择地B、C、N、Si、P与其混合物其中至少一者的来源;在该经加热的半导体基板处或接近该经加热的半导体基板处,暴露该组成物至一还原剂及/或热能;分离该至少一配位子与该金属前驱物;及形成该金属膜,但令金属氧化物的形成极小化。

5. 发明专利

TW200630416A 於聚醯亞胺樹脂形成無機薄膜之方法及具有經改良之表面之形成無機薄膜用聚醯亞胺樹脂之製造方法 METHOD FOR FORMING INORGANIC THIN FILM ON POLYIMIDE RESIN AND METHOD FOR PRODUCING POLYIMIDE RESIN HAVING REFORMED SURFACE FOR FORMING INORGANIC THIN FILM 失效
简体标题：于聚酰亚胺树脂形成无机薄膜之方法及具有经改良之表面之形成无机薄膜用聚酰亚胺树脂之制造方法 METHOD FOR FORMING INORGANIC THIN FILM ON POLYIMIDE RESIN AND METHOD FOR PRODUCING POLYIMIDE RESIN HAVING REFORMED SURFACE FOR FORMING INORGANIC THIN FILM
公开(公告)号：TW200630416A
公开(公告)日：2006-09-01
申请号：TW094143382
申请日：2005-12-08
申请人：三星皮帶股份有限公司 MITSUBOSHI BELTING LTD.
发明人：柳本博 YANAGIMOTO, HIROSHI , 繩舟秀美 NAWAFUNE, HIDEMI , 赤松謙祐 AKAMATSU, KENSUKE
IPC分类号： C08J , B32B
CPC分类号： C23C18/08 , C23C18/04 , C23C18/06 , C23C18/1216 , C23C18/1279 , C23C18/1641 , C23C18/1658 , C23C18/2006 , C23C18/206 , C23C18/2086 , H05K1/0346 , H05K3/107 , H05K3/182 , H05K3/381 , H05K2201/0154 , H05K2203/013 , H05K2203/0783 , H05K2203/0793 , H05K2203/1157
摘要：本發明揭示一種於聚醯亞胺樹脂上形成無機薄膜之方法，其包括：(1)將鹼性水溶液應用於聚醯亞胺樹脂之形成有無機薄膜之位點上，以分解該聚醯亞胺樹脂之醯亞胺環以產生羧基且將該聚醯亞胺樹脂改造為聚醯胺酸，藉此形成包括具有羧基之聚醯胺酸之經改良部分的步驟；(2)將可溶解聚醯胺酸之溶劑與經改良部分接觸以便移除該經改良部分之一部分以形成一凹面部分之步驟。(3)將含有金屬離子之溶液與該凹面部分附近之經改良部分接觸以產生羧基之金屬鹽的步驟。(4)將金屬鹽在聚醯亞胺樹脂之表面分離為金屬、金屬氧化物或半導體以形成無機薄膜的步驟。
简体摘要：本发明揭示一种于聚酰亚胺树脂上形成无机薄膜之方法，其包括：(1)将碱性水溶液应用于聚酰亚胺树脂之形成有无机薄膜之位点上，以分解该聚酰亚胺树脂之酰亚胺环以产生羧基且将该聚酰亚胺树脂改造为聚酰胺酸，借此形成包括具有羧基之聚酰胺酸之经改良部分的步骤；(2)将可溶解聚酰胺酸之溶剂与经改良部分接触以便移除该经改良部分之一部分以形成一凹面部分之步骤。(3)将含有金属离子之溶液与该凹面部分附近之经改良部分接触以产生羧基之金属盐的步骤。(4)将金属盐在聚酰亚胺树脂之表面分离为金属、金属氧化物或半导体以形成无机薄膜的步骤。

6. 发明专利

TW201446970A 導電性粒子、其製造方法、含有其之導電性樹脂組成物及導電性塗佈物审中-公开
简体标题：导电性粒子、其制造方法、含有其之导电性树脂组成物及导电性涂布物
公开(公告)号：TW201446970A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103111700
申请日：2014-03-28
申请人：東洋鋁股份有限公司 , TOYO ALUMINIUM KABUSHIKI KAISHA
发明人：中谷敏雄 , NAKATANI, TOSHIO , 南山偉明 , MINAMIYAMA, HIDEAKI , 小池和德 , KOIKE, KAZUNORI
IPC分类号： C22C21/00 , B22F1/02 , H01B1/02 , H01B1/22 , C08K3/08 , C08K9/00 , C09D5/24 , B05D5/12 , H01B5/00 , B22F9/24 , C23C18/31
CPC分类号： H01B1/22 , B22F1/025 , C09D1/00 , C23C18/1635 , C23C18/1658 , C23C18/166 , C23C18/44 , C23C30/005 , C23F1/14
摘要：本發明之導電性粒子具備含有鋁之核心粒子及被覆核心粒子之金屬被膜，金屬被膜具有高於核心粒子之導電性，金屬被膜對核心粒子之表面之被覆率為80%以上。
简体摘要：本发明之导电性粒子具备含有铝之内核粒子及被覆内核粒子之金属被膜，金属被膜具有高于内核粒子之导电性，金属被膜对内核粒子之表面之被覆率为80%以上。

7. 发明专利

TWI415969B 奈米結構的製作方法有权
简体标题：奈米结构的制作方法
公开(公告)号：TWI415969B
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：TW098144459
申请日：2009-12-23
申请人：國立台北科技大學 , NATIONAL TAIPEI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
发明人：張裕煦 , 王家鑫
IPC分类号： C23C18/18 , C23C18/38 , B82B3/00
CPC分类号： H05K3/182 , B82Y40/00 , C23C18/1608 , C23C18/1658 , C23C18/1844 , H05K2203/122 , Y10T428/24917

8. 发明专利

TWI409979B 熱電材料的製造方法有权
简体标题：热电材料的制造方法
公开(公告)号：TWI409979B
公开(公告)日：2013-09-21
申请号：TW099106968
申请日：2010-03-10
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：蘇偉盛 , SU, WEI SHENG , 郭家宏 , KUO, CHIA HUNG , 周雅文 , CHOU, YA WEN , 谷傑人 , KU, JIE REN , 鄭名山 , JENG, MING SHAN , 黃啟祥 , HWANG, CHII SHYANG , 吳騌豪 , WU, ZONG HAO
IPC分类号： H01L35/14 , H01L35/34
CPC分类号： H01B1/16 , B22F1/025 , B22F3/105 , B22F2999/00 , C23C18/1635 , C23C18/1658 , C23C18/1692 , C23C18/1879 , C23C18/44 , B22F2202/13

9. 发明专利

TWI352723B 供印刷電路用之鈀錯合物 PALLADIUM COMPLEXES FOR PRINTING CIRCUITS 有权
简体标题：供印刷电路用之钯错合物 PALLADIUM COMPLEXES FOR PRINTING CIRCUITS
公开(公告)号：TWI352723B
公开(公告)日：2011-11-21
申请号：TW093111867
申请日：2004-04-28
申请人：惠普研發公司
发明人：艾瑟萊吉三世賀伯 T
IPC分类号： C09D , H05K
CPC分类号： H05K3/182 , C09D11/38 , C23C18/1608 , C23C18/161 , C23C18/1619 , C23C18/1651 , C23C18/1658 , C23C18/1692 , C23C18/1889 , C23C18/208 , C23C18/30 , C23C18/44 , H05K3/125 , H05K2203/013
摘要：一種含有於液態載劑內溶劑化之鈀脂族胺錯合物之可噴墨組成物可被用以形成電子裝置。含有鈀脂族胺錯合物之可噴墨組成物可以預定圖案噴射於基材上。第二組成物亦可使用噴墨印刷或其它印刷技術施用於基材，其中，第二組成物被施用至此預定圖案之至少一部份。第二組成物可包含還原劑，其能使鈀脂族胺錯合物還原成鈀金屬，典型上係於施熱時。所欲之可噴墨鈀錯合物組成物可於廣範圍條件時呈安定態，且能於各種不同基材上形成電子裝置。
简体摘要：一种含有于液态载剂内溶剂化之钯脂族胺错合物之可喷墨组成物可被用以形成电子设备。含有钯脂族胺错合物之可喷墨组成物可以预定图案喷射于基材上。第二组成物亦可使用喷墨印刷或其它印刷技术施用于基材，其中，第二组成物被施用至此预定图案之至少一部份。第二组成物可包含还原剂，其能使钯脂族胺错合物还原成钯金属，典型上系于施热时。所欲之可喷墨钯错合物组成物可于广范围条件时呈安定态，且能于各种不同基材上形成电子设备。

10. 发明专利

TWI346520B 金屬圖案形成方法、金屬圖案及印刷配線板 METHOD OF FORMING METAL PATTERN, METAL PATTERN, AND PRINTED CIRCUIT BOARD 失效
简体标题：金属图案形成方法、金属图案及印刷配线板 METHOD OF FORMING METAL PATTERN, METAL PATTERN, AND PRINTED CIRCUIT BOARD
公开(公告)号：TWI346520B
公开(公告)日：2011-08-01
申请号：TW096113415
申请日：2007-04-17
申请人：富士軟片股份有限公司
发明人：松本和彥
IPC分类号： H05K
CPC分类号： H05K3/108 , C23C18/1653 , C23C18/1658 , C23C18/1882 , C23C18/2066 , C23C18/30 , C23C18/44 , C25D5/022 , C25D5/48 , C25D7/123 , H05K3/181 , H05K3/387 , H05K2203/1168 , H05K2203/1173 , H05K2203/121 , Y10T29/49155 , Y10T29/49156 , Y10T428/24917
摘要：本發明提供一種金屬圖案形成方法，其係具有(a1)在基板上設置聚合物層之步驟、(a2)將金屬離子等提供於聚合物層之步驟、(a3)將金屬離子等予以還原而形成導電性層之步驟、(a4)在導電性層上形成圖案狀光阻層之步驟、(a5)藉由電鍍敷於非形成光阻層之區域上形成金屬圖案之步驟、(a6)剝離光阻層之步驟、(a7)將以光阻層所保護之區域的導電性層予以除去之步驟、以及(a8)進行疏水化處理之步驟。
简体摘要：本发明提供一种金属图案形成方法，其系具有(a1)在基板上设置聚合物层之步骤、(a2)将金属离子等提供于聚合物层之步骤、(a3)将金属离子等予以还原而形成导电性层之步骤、(a4)在导电性层上形成图案状光阻层之步骤、(a5)借由电镀敷于非形成光阻层之区域上形成金属图案之步骤、(a6)剥离光阻层之步骤、(a7)将以光阻层所保护之区域的导电性层予以除去之步骤、以及(a8)进行疏水化处理之步骤。

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