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    • 10. 发明专利
    • 鋁合金薄膜及靶材以及使用該薄膜與靶材之薄膜形成方法
    • 铝合金薄膜及靶材以及使用该薄膜与靶材之薄膜形成方法
    • TW526686B
    • 2003-04-01
    • TW089116223
    • 2000-08-11
    • 三井金屬業股份有限公司
    • 久保田高史渡邊弘
    • H05K
    • C23C14/3414C22C21/06C23C14/14
    • 本發明係以提供一種在經由300~400℃下的熱處理後亦不會產生表面隆起(hillock)且比阻抗為7μΩcm以下之耐熱性.低阻抗鋁合金薄膜,以及可用來形成具上述特性之鋁合金薄膜之濺鍍靶材為目的。本發明之鋁合金薄膜其組成包括:一合金成份,包括鋁、碳及鎂,其中令碳之原子百分率為Yat%、鎂之原子百分率為Xat%,而碳及鎂之含量係在由X=0.61、X=8、Y=2、Y=-0.13X+1.3之各式所圍成的範圍內;以及一剩餘部份,其係由鋁及不可避免之雜質所構成。此外,本發明之鋁合金薄膜形成用濺鍍靶材其組成包括:一構成靶材之成份,包括鋁、碳、鎂及不可避免之雜質,其中碳及鎂之量係在由如上述之各式所圍成的範圍內;以及一剩餘部份,其係由鋁及不可避免之雜質所構成。
    • 本发明系以提供一种在经由300~400℃下的热处理后亦不会产生表面隆起(hillock)且比阻抗为7μΩcm以下之耐热性.低阻抗铝合金薄膜,以及可用来形成具上述特性之铝合金薄膜之溅镀靶材为目的。本发明之铝合金薄膜其组成包括:一合金成份,包括铝、碳及镁,其中令碳之原子百分率为Yat%、镁之原子百分率为Xat%,而碳及镁之含量系在由X=0.61、X=8、Y=2、Y=-0.13X+1.3之各式所围成的范围内;以及一剩余部份,其系由铝及不可避免之杂质所构成。此外,本发明之铝合金薄膜形成用溅镀靶材其组成包括:一构成靶材之成份,包括铝、碳、镁及不可避免之杂质,其中碳及镁之量系在由如上述之各式所围成的范围内;以及一剩余部份,其系由铝及不可避免之杂质所构成。