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1. 发明专利

TWI398515B 電子材料用洗淨劑及洗淨方法有权
简体标题：电子材料用洗净剂及洗净方法
公开(公告)号：TWI398515B
公开(公告)日：2013-06-11
申请号：TW097148830
申请日：2008-12-15
申请人：三洋化成工業股份有限公司 , SANYO CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：勝川吉隆 , KATSUKAWA, YOSHITAKA , 鈴木一充 , SUZUKI, KAZUMITSU , 佐藤祥平 , SATO, SHOHEI
IPC分类号： C11D1/02 , C11D3/18 , C11D3/20 , C11D3/26 , C11D3/44 , B08B3/08
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D1/06 , C11D1/143 , C11D1/146 , C11D1/342 , C11D1/345 , C11D3/43

2. 发明专利

TWI484024B 撥水性保護膜及保護膜形成用藥液有权
简体标题：拨水性保护膜及保护膜形成用药液
公开(公告)号：TWI484024B
公开(公告)日：2015-05-11
申请号：TW102125816
申请日：2013-07-18
申请人：中央硝子股份有限公司 , CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：齋尾崇 , SAIO, TAKASHI , 公文創一 , KUMON, SOICHI , 齋藤真規 , SAITO, MASANORI , 荒田忍 , ARATA, SHINOBU
IPC分类号： C09K3/18 , H01L21/306 , G03F7/40
CPC分类号： H01L21/02068 , C09D5/1662 , C09D5/1681 , C09K3/18 , C11D1/006 , C11D1/342 , C11D3/361 , C11D3/368 , C11D3/43 , C11D7/36 , C11D11/0047 , H01L21/02057

3. 发明专利

TW200927914A 電子材料用洗淨劑及洗淨方法 CLEANING AGENT FOR ELECTRONIC MATERIALS AND METHOD FOR CLEANING 审中-公开
简体标题：电子材料用洗净剂及洗净方法 CLEANING AGENT FOR ELECTRONIC MATERIALS AND METHOD FOR CLEANING
公开(公告)号：TW200927914A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW097148830
申请日：2008-12-15
申请人：三洋化成工業股份有限公司 SANYO CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：勝川吉隆 KATSUKAWA, YOSHITAKA , 鈴木一充 SUZUKI, KAZUMITSU , 佐藤祥平 SATO, SHOHEI
IPC分类号： C11D , B08B
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D1/06 , C11D1/143 , C11D1/146 , C11D1/342 , C11D1/345 , C11D3/43
摘要：本發明提供一種電子材料用洗淨劑及洗淨方法。電子材料用洗淨劑的陰離子成分含有通式(1)之陰離子性界面活性劑(A)、以及選自由碳數為6-18烯烴及通式(2)之有機溶劑所組成族群中一種以上的有機溶劑(B),有機溶劑(B)的SP値為6-13。R^1【【-(OA^1)a-Q^-】】b (1)R^3【【-(OA^2)c-OH】】d (2) 式(1)中,R^1為碳數1-10烴基,A^1為碳數2-4亞烷基,Q^-為-COO^-、-OCH2COO^-、-SO3^-、-OSO3^-或-OPO2(OR^2)^-,R^2為氫或碳數1-10烴基,a為平均値且為0-20,b為1-6整數,當Q^-為-COO^-或-SO3^-時,a為0。式(2)中,R^3
為碳數1-12烴基,A^2為碳數2-4亞烷基,c為平均値且為0-20,d為1-6整數。
简体摘要：本发明提供一种电子材料用洗净剂及洗净方法。电子材料用洗净剂的阴离子成分含有通式(1)之阴离子性界面活性剂(A)、以及选自由碳数为6-18烯烃及通式(2)之有机溶剂所组成族群中一种以上的有机溶剂(B),有机溶剂(B)的SP値为6-13。R^1【【-(OA^1)a-Q^-】】b (1)R^3【【-(OA^2)c-OH】】d (2) 式(1)中,R^1为碳数1-10烃基,A^1为碳数2-4亚烷基,Q^-为-COO^-、-OCH2COO^-、-SO3^-、-OSO3^-或-OPO2(OR^2)^-,R^2为氢或碳数1-10烃基,a为平均値且为0-20,b为1-6整数,当Q^-为-COO^-或-SO3^-时,a为0。式(2)中,R^3 为碳数1-12烃基,A^2为碳数2-4亚烷基,c为平均値且为0-20,d为1-6整数。

4. 发明专利

TWI384065B 界面活性劑有权
简体标题：界面活性剂
公开(公告)号：TWI384065B
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW094129835
申请日：2005-08-31
申请人：三洋化成工業股份有限公司 , SANYO CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：鈴木一充 , 山口俊一郎
IPC分类号： C11D3/16 , C11D3/26 , C11D3/37 , C11D1/48
CPC分类号： C11D1/04 , C11D1/143 , C11D1/146 , C11D1/22 , C11D1/342 , C11D1/345 , C11D1/37 , C11D11/0047

5. 发明专利

TW201412964A 撥水性保護膜及保護膜形成用藥液审中-公开
简体标题：拨水性保护膜及保护膜形成用药液
公开(公告)号：TW201412964A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW102125816
申请日：2013-07-18
申请人：中央硝子股份有限公司 , CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：齋尾崇 , SAIO, TAKASHI , 公文創一 , KUMON, SOICHI , 齋藤真規 , SAITO, MASANORI , 荒田忍 , ARATA, SHINOBU
IPC分类号： C09K3/18 , H01L21/306 , G03F7/40
CPC分类号： H01L21/02068 , C09D5/1662 , C09D5/1681 , C09K3/18 , C11D1/006 , C11D1/342 , C11D3/361 , C11D3/368 , C11D3/43 , C11D7/36 , C11D11/0047 , H01L21/02057
摘要：本發明之課題在於防止於表面形成有凹凸圖案之金屬系晶圓之洗淨步驟中之圖案崩塌。於金屬系晶圓之洗淨步驟之後，且乾燥步驟之前，利用含有下述通式[1]所表示之撥水性保護膜形成劑之藥液進行表面處理： (R1為一部分或全部之氫元素可經氟元素取代之碳數為1至18之1價烴基，R2分別相互獨立為含有一部分或全部之氫元素可經氟元素取代之碳數為1至18之烴基的1價有機基，a為0至2之整數)。
简体摘要：本发明之课题在于防止于表面形成有凹凸图案之金属系晶圆之洗净步骤中之图案崩塌。于金属系晶圆之洗净步骤之后，且干燥步骤之前，利用含有下述通式[1]所表示之拨水性保护膜形成剂之药液进行表面处理： (R1为一部分或全部之氢元素可经氟元素取代之碳数为1至18之1价烃基，R2分别相互独立为含有一部分或全部之氢元素可经氟元素取代之碳数为1至18之烃基的1价有机基，a为0至2之整数)。

6. 发明专利

TW200611972A 界面活性劑审中-公开
简体标题：界面活性剂
公开(公告)号：TW200611972A
公开(公告)日：2006-04-16
申请号：TW094129835
申请日：2005-08-31
申请人：三洋化成工業股份有限公司 SANYO CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：鈴木一充 , 山口俊一郎
IPC分类号： C11D
CPC分类号： C11D1/04 , C11D1/143 , C11D1/146 , C11D1/22 , C11D1/342 , C11D1/345 , C11D1/37 , C11D11/0047
摘要：一種界面活性劑，實質上不使用鹼金屬，於洗淨時，對微細化微粒的再附著防止性良好，且能極有效率地進行高度洗淨。本發明使用界面活性劑，特徵為由中和鹽(AB1)及／或(AB2)所構成。中和鹽(AB1)：為具有酸解離反應中生成熱變化(Q1)為3～200kcal／mol之酸的酸基(X1)與碳數為1～36之疏水基(Y)各至少1個之酸性化合物(A1)連同質子加成反應中生成熱變化(Q2)為10～152kcal／mol之含氮鹼性化合物(B)所形成的中和鹽，(X1)為擇自磺酸基等所構成群中至少1種；中和鹽(AB2)：由分子內至少具有1個酸基(X2)之聚合物(A2)與質子加成反應中生成熱變化(Q2)為10～152kcal／mol之含氮鹼性化合物(B)所形成之中和鹽。
简体摘要：一种界面活性剂，实质上不使用碱金属，于洗净时，对微细化微粒的再附着防止性良好，且能极有效率地进行高度洗净。本发明使用界面活性剂，特征为由中和盐(AB1)及／或(AB2)所构成。中和盐(AB1)：为具有酸解离反应中生成热变化(Q1)为3～200kcal／mol之酸的酸基(X1)与碳数为1～36之疏水基(Y)各至少1个之酸性化合物(A1)连同质子加成反应中生成热变化(Q2)为10～152kcal／mol之含氮碱性化合物(B)所形成的中和盐，(X1)为择自磺酸基等所构成群中至少1种；中和盐(AB2)：由分子内至少具有1个酸基(X2)之聚合物(A2)与质子加成反应中生成热变化(Q2)为10～152kcal／mol之含氮碱性化合物(B)所形成之中和盐。

7. 发明专利

TW242143B 膦酸基羧酸類及膦基羧酸類之氟化羧酸酯類失效
简体标题：膦酸基羧酸类及膦基羧酸类之氟化羧酸酯类
公开(公告)号：TW242143B
公开(公告)日：1995-03-01
申请号：TW082109406
申请日：1993-11-10
申请人：拜耳廠股份有限公司
发明人：巴克斯 , 杜克拉 , 畢漢迪 , 莫漢居 , 魏瑞尼
IPC分类号： C07F , C11D
CPC分类号： C11D1/342 , B01F17/0064 , C07F9/301 , C07F9/3808 , C11D1/006 , C25D3/02
摘要：本發明涉及膦醯基羧酸或膦基羧酸的氟化羧酸酯及其作為表面活性劑的應用。
简体摘要：本发明涉及膦酰基羧酸或膦基羧酸的氟化羧酸酯及其作为表面活性剂的应用。

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