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1. 发明专利

TWI595001B 高發光性半導體奈米晶體有权
简体标题：高发光性半导体奈米晶体
公开(公告)号：TWI595001B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：TW101133712
申请日：2012-09-14
申请人：美國麻省理工學院 , MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY
发明人：哈里斯丹尼爾 , HARRIS, DANIEL , 巴文迪蒙吉G , BAWENDI, MOUNGI G.
IPC分类号： C07F7/22 , C07F7/24 , C07F7/30 , C09K11/06 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC分类号： C09K11/7492 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C09K11/62 , C09K11/66 , C09K11/74 , H01L21/024 , H01L21/02521 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L31/02322

2. 发明专利

TWI555819B 含無機螢光體之聚合物粒子、含無機螢光體之聚合物粒子的製造方法、及太陽能電池模組有权
简体标题：含无机萤光体之聚合物粒子、含无机萤光体之聚合物粒子的制造方法、及太阳能电池模块
公开(公告)号：TWI555819B
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW102109513
申请日：2013-03-18
申请人：日立化成股份有限公司 , HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
发明人：澤木琢 , SAWAKI, TAKU , 岡庭香 , OKANIWA, KAORU , 山下剛 , YAMASHITA, TAKESHI
IPC分类号： C09K11/02 , H01L31/055
CPC分类号： C09K11/7734 , C08F2/20 , C08F2/44 , C08F292/00 , C09K11/02 , C09K11/576 , C09K11/626 , C09K11/66 , C09K11/666 , C09K11/71 , C09K11/756 , C09K11/7738 , C09K11/7749 , C09K11/7771 , C09K11/7774 , C09K11/7787 , C09K11/7789 , C09K11/7794 , H01L31/055 , Y02E10/52 , Y10T428/2982 , C08F220/14 , C08F2220/1875 , C08F2222/1013 , C08F222/1006 , C08F220/18

3. 发明专利

TW201610100A 螢光體、含螢光體之發光裝置及製造螢光體之方法审中-公开
简体标题：萤光体、含萤光体之发光设备及制造萤光体之方法
公开(公告)号：TW201610100A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104119376
申请日：2015-06-16
申请人：歐司朗公司 , OSRAM GMBH , 歐司朗光電半導體公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：劉忠熙 , LIU, ZHONGSHI , 劉泰恩 , LIU, TIANYONG , 靖希平 , JING, XIPING
IPC分类号： C09K11/66 , C09K11/55 , C09K11/57 , C09K11/64 , F21Y101/02
CPC分类号： C09K11/666 , C09K11/66 , C09K11/7721 , H01L33/502 , H01L2933/0041 , H05B33/14
摘要：描述一種螢光體，其係包含材料Ca(Al12-x-y-zMgxGey)O19：(zMn4+)，其中0
简体摘要：描述一种萤光体，其系包含材料Ca(Al12-x-y-zMgxGey)O19：(zMn4+)，其中0

4. 发明专利

TW201410839A 含無機螢光體之聚合物粒子、含無機螢光體之聚合物粒子的製造方法、及太陽能電池模組审中-公开
简体标题：含无机萤光体之聚合物粒子、含无机萤光体之聚合物粒子的制造方法、及太阳能电池模块
公开(公告)号：TW201410839A
公开(公告)日：2014-03-16
申请号：TW102109513
申请日：2013-03-18
申请人：日立化成股份有限公司 , HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
发明人：澤木琢 , SAWAKI, TAKU , 岡庭香 , OKANIWA, KAORU , 山下剛 , YAMASHITA, TAKESHI
IPC分类号： C09K11/02 , H01L31/055
CPC分类号： C09K11/7734 , C08F2/20 , C08F2/44 , C08F292/00 , C09K11/02 , C09K11/576 , C09K11/626 , C09K11/66 , C09K11/666 , C09K11/71 , C09K11/756 , C09K11/7738 , C09K11/7749 , C09K11/7771 , C09K11/7774 , C09K11/7787 , C09K11/7789 , C09K11/7794 , H01L31/055 , Y02E10/52 , Y10T428/2982 , C08F220/14 , C08F2220/1875 , C08F2222/1013 , C08F222/1006 , C08F220/18
摘要：本發明是包含無機螢光體與透明材料之含無機螢光體之聚合物粒子。透明材料，較佳是乙烯系化合物之聚合物也就是乙烯系樹脂。作為乙烯系化合物，較佳是包含10質量%以上的具有5mPa．s～30mPa．s的黏度(25℃)之乙烯系化合物、或包含具有以下列通式(I-1)和(I-2)表示的結構之化合物中的至少一種。式(I-1)以及(I-2)中，R1及R2各自獨立地表示氫原子或烷基，R1與R2亦可互相鍵結而形成環。作為無機螢光體，較佳是表面藉由表面處理劑進行了表面改質之無機螢光體，尤佳是表面處理劑為偶合劑，更佳是偶合劑為具有反應性取代基之聚矽氧低聚物。
简体摘要：本发明是包含无机萤光体与透明材料之含无机萤光体之聚合物粒子。透明材料，较佳是乙烯系化合物之聚合物也就是乙烯系树脂。作为乙烯系化合物，较佳是包含10质量%以上的具有5mPa．s～30mPa．s的黏度(25℃)之乙烯系化合物、或包含具有以下列通式(I-1)和(I-2)表示的结构之化合物中的至少一种。式(I-1)以及(I-2)中，R1及R2各自独立地表示氢原子或烷基，R1与R2亦可互相键结而形成环。作为无机萤光体，较佳是表面借由表面处理剂进行了表面改质之无机萤光体，尤佳是表面处理剂为偶合剂，更佳是偶合剂为具有反应性取代基之聚硅氧低聚物。

5. 发明专利

TW200540257A 發光物質 LUMINESCENT MATERIAL 审中-公开
简体标题：发光物质 LUMINESCENT MATERIAL
公开(公告)号：TW200540257A
公开(公告)日：2005-12-16
申请号：TW093140902
申请日：2004-12-28
申请人：漢城半導體股份有限公司 SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD.
发明人：羅夫岡朶拉 ROTH, GUNDULA , 涂斯瓦特 TEWS, WALTER , 李貞勳 LEE CHUNG HOON
IPC分类号： C09K
CPC分类号： C09K11/7734 , C09K11/58 , C09K11/592 , C09K11/66 , C09K11/665 , C09K11/666 , C09K11/7457 , C09K11/753 , C09K11/756 , C09K11/757 , C09K11/758 , C09K11/7706 , C09K11/7707 , C09K11/7709 , C09K11/7714 , C09K11/7735 , C09K11/7737 , C09K11/7738 , C09K11/7739 , C09K11/774 , C09K11/7742 , C09K11/7783 , C09K11/7792
摘要：本發明是有關於含有鉛及／或銅摻雜之化合物的發光物質，用以激發出紫外光或可見光。發光物質由一個或多於一個的鋁酸鹽型態、矽酸鹽型態、銻酸鹽型態、鍺酸鹽或鍺酸鹽–矽酸鹽型態及／或磷酸鹽型態的化合物組成。據此，本發明分別利用能夠讓發光帶轉換至更長或更短波長之鉛和銅來替代鹼土離子。含有銅及／或鉛之發光化合物具有改善的發光特性，且其對於水、濕氣及其它極性溶劑具有改善的穩定性。本發明所提供之鉛及／或銅摻雜的發光化合物具有約從2,000K到8,000K或10,000K之高色溫範圍，且其現色指數超過90。093140902-p01.bmp
简体摘要：本发明是有关于含有铅及／或铜掺杂之化合物的发光物质，用以激发出紫外光或可见光。发光物质由一个或多于一个的铝酸盐型态、硅酸盐型态、锑酸盐型态、锗酸盐或锗酸盐–硅酸盐型态及／或磷酸盐型态的化合物组成。据此，本发明分别利用能够让发光带转换至更长或更短波长之铅和铜来替代碱土离子。含有铜及／或铅之发光化合物具有改善的发光特性，且其对于水、湿气及其它极性溶剂具有改善的稳定性。本发明所提供之铅及／或铜掺杂的发光化合物具有约从2,000K到8,000K或10,000K之高色温范围，且其现色指数超过90。093140902-p01.bmp

6. 发明专利

TW201634664A 螢光體、發光裝置及螢光體之製造方法审中-公开
简体标题：萤光体、发光设备及萤光体之制造方法
公开(公告)号：TW201634664A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW105102498
申请日：2016-01-27
申请人：電化股份有限公司 , DENKA COMPANY LIMITED
发明人：江本秀幸 , EMOTO, HIDEYUKI , 田中基 , TANAKA, MOTOI , 伊藤和弘 , ITO, KAZUHIRO
IPC分类号： C09K11/55 , C09K11/59 , C09K11/66 , C09K11/67 , C09K11/57 , H01L33/50
CPC分类号： C09K11/61 , C09K11/55 , C09K11/57 , C09K11/616 , C09K11/617 , C09K11/66 , C09K11/677 , G02B5/003 , H01L33/50
摘要：本發明係一種由通式：A2MF6：Mn所示之螢光體。元素A係鹼金屬元素，元素M係選自Si、Ge、Sn、Ti、Zr及Hf之一種以上的四價金屬元素。出現在波長300nm以上350nm以下之光吸收率的極小值為67%以下。在波長400nm以上500nm以下之最大的光吸收率為65%以上。Mn含量為0.3質量%以上1.5質量%以下。
简体摘要：本发明系一种由通式：A2MF6：Mn所示之萤光体。元素A系碱金属元素，元素M系选自Si、Ge、Sn、Ti、Zr及Hf之一种以上的四价金属元素。出现在波长300nm以上350nm以下之光吸收率的极小值为67%以下。在波长400nm以上500nm以下之最大的光吸收率为65%以上。Mn含量为0.3质量%以上1.5质量%以下。

7. 发明专利

TW201317247A 高發光性半導體奈米晶體审中-公开
简体标题：高发光性半导体奈米晶体
公开(公告)号：TW201317247A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：TW101133712
申请日：2012-09-14
申请人：美國麻省理工學院 , MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY
发明人：哈里斯丹尼爾 , HARRIS, DANIEL , 巴文迪蒙吉G , BAWENDI, MOUNGI G.
IPC分类号： C07F7/22 , C07F7/24 , C07F7/30 , C09K11/06 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC分类号： C09K11/7492 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C09K11/62 , C09K11/66 , C09K11/74 , H01L21/024 , H01L21/02521 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L31/02322
摘要：一種製成一半導體奈米晶體的方法，該方法可以包括將一含M化合物與具有化學式X(Y(R)3)3之一X供體接觸，其中X係為第V族元素且Y係為第IV族元素。
简体摘要：一种制成一半导体奈米晶体的方法，该方法可以包括将一含M化合物与具有化学式X(Y(R)3)3之一X供体接触，其中X系为第V族元素且Y系为第IV族元素。

8. 发明专利

TW498102B 氮化鎵螢光體之製造方法失效
简体标题：氮化镓萤光体之制造方法
公开(公告)号：TW498102B
公开(公告)日：2002-08-11
申请号：TW088121932
申请日：1999-12-15
申请人：雙葉電子工業股份有限公司
发明人：佐藤義孝 , 須田順子 , 片岡文昭 , 土岐均 , 野村裕司
IPC分类号： C09K
CPC分类号： C09K11/62 , C09K11/66 , Y10S438/935
摘要：本發明提供一種藉由電子射線之激發而能產生實用上足夠亮度之氮化鎵(GaN)系螢光體之製造方法。
詳言之，係於燒爐內部，將包含會與氫氣(H2)反應之元素物質和藉加熱而氣化之摻雜物質的化合物配置於上游側之加熱範圍之端部(b)；而將作為螢光體母體之原料物質之鎵(Ga)化合物配置於下游側之加熱範圍的中央部(a)。使氨(NH3)氣體一邊流動，一邊藉由加熱器(2)將加熱管狀爐(1)內部加熱，使鎵化合物(4)之加熱溫度較高於摻雜物質之化合物(3)的溫度加熱。因氨氣，摻雜物質之化合物將被分解．分散，而於鎵化合物附近將形成包含硫(S)、氧(O)以及摻雜物質之大氣，結果可藉由S、O抑制因氫之還原作用，而難以發生GaN之分解。Ga化合物周圍將被氨氣及已成氣體狀之摻雜物質包覆而使GaN中擴散足夠量之摻雜物質。藉由本發明之製造方法可製得以較高溫度使摻雜物質充分摻雜而結晶性高的GaN螢光體。GaN螢光體具有較高之發光亮度。
简体摘要：本发明提供一种借由电子射线之激发而能产生实用上足够亮度之氮化镓(GaN)系萤光体之制造方法。详言之，系于烧炉内部，将包含会与氢气(H2)反应之元素物质和藉加热而气化之掺杂物质的化合物配置于上游侧之加热范围之端部(b)；而将作为萤光体母体之原料物质之镓(Ga)化合物配置于下游侧之加热范围的中央部(a)。使氨(NH3)气体一边流动，一边借由加热器(2)将加热管状炉(1)内部加热，使镓化合物(4)之加热温度较高于掺杂物质之化合物(3)的温度加热。因氨气，掺杂物质之化合物将被分解．分散，而于镓化合物附近将形成包含硫(S)、氧(O)以及掺杂物质之大气，结果可借由S、O抑制因氢之还原作用，而难以发生GaN之分解。Ga化合物周围将被氨气及已成气体状之掺杂物质包覆而使GaN中扩散足够量之掺杂物质。借由本发明之制造方法可制得以较高温度使掺杂物质充分掺杂而结晶性高的GaN萤光体。GaN萤光体具有较高之发光亮度。

9. 发明专利

TW201739753A 化合物及發光材料审中-公开
简体标题：化合物及发光材料
公开(公告)号：TW201739753A
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：TW106105503
申请日：2017-02-17
申请人：住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED , 國立大學法人佐賀大學 , SAGA UNIVERSITY
发明人：内藤翔太 , NAITO, SHOTA , 江良正直 , ERA, MASANAO
IPC分类号： C07F7/24 , C09K11/06
CPC分类号： C07C211/63 , C01G21/16 , C07F7/24 , C09K11/61 , C09K11/66
摘要：本發明係提供一種有高發光強度之具有鈣鈦礦結構之化合物及含有前述化合物之發光材料。本發明係關於具有鈣鈦礦型結晶結構之化合物，其係以A、B、X、及M為成分，且將M之量除以M及B之合計量所得之莫耳比[M/(M+B)]之值為0.7以下。(A係在鈣鈦礦型結晶結構中，位於以B為中心之6面體之各頂點之1價陽離子。B係鉛離子。M係在鈣鈦礦型結晶結構中，取代一部分B之2價或3價金屬離子，且係選自在6配位之離子半徑為0.9Å以上1.5Å以下之金屬離子之陽離子。X係表示在鈣鈦礦型結晶結構中，位於以B為中心之8面體之各頂點之成分，且係選自由Cl-、Br-、F-、I-及SCN-所成之群組之1種以上之離子，並且至少含有氯化物離子或溴化物離子作為X)。
简体摘要：本发明系提供一种有高发光强度之具有钙钛矿结构之化合物及含有前述化合物之发光材料。本发明系关于具有钙钛矿型结晶结构之化合物，其系以A、B、X、及M为成分，且将M之量除以M及B之合计量所得之莫耳比[M/(M+B)]之值为0.7以下。(A系在钙钛矿型结晶结构中，位于以B为中心之6面体之各顶点之1价阳离子。B系铅离子。M系在钙钛矿型结晶结构中，取代一部分B之2价或3价金属离子，且系选自在6配位之离子半径为0.9Å以上1.5Å以下之金属离子之阳离子。X系表示在钙钛矿型结晶结构中，位于以B为中心之8面体之各顶点之成分，且系选自由Cl-、Br-、F-、I-及SCN-所成之群组之1种以上之离子，并且至少含有氯化物离子或溴化物离子作为X)。

10. 发明专利

TW201732018A 螢光體、發光裝置、照明裝置以及圖像顯示裝置审中-公开
简体标题：萤光体、发光设备、照明设备以及图像显示设备
公开(公告)号：TW201732018A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105139533
申请日：2016-11-30
申请人：三菱化學股份有限公司 , MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION
发明人：洪炳哲 , HONG, BYUNGCHUL , 小野塚亜裕子 , ONOZUKA, AYUKO
IPC分类号： C09K11/61 , C09K11/66 , C09K11/67 , H01L33/00
CPC分类号： C09K11/61 , C09K11/66 , C09K11/67 , H01L33/50
摘要：本發明之課題在於提供一種新穎窄頻帶紅色螢光體，其內部量子效率較高，餘輝時間較短，紅色之視感度較高之短波長區域之發光成分較多。該課題係藉由如下螢光體而解決，該螢光體之特徵在於包含具有特定之組成之結晶相，且於粉末X射線繞射圖案中具有特定波峰。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种新颖窄频带红色萤光体，其内部量子效率较高，余辉时间较短，红色之视感度较高之短波长区域之发光成分较多。该课题系借由如下萤光体而解决，该萤光体之特征在于包含具有特定之组成之结晶相，且于粉末X射线绕射图案中具有特定波峰。

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