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1. 发明专利

TWI598319B 強介電體薄膜形成用組成物及該薄膜之形成方法、以及以該方法所形成之薄膜有权
简体标题：强介电体薄膜形成用组成物及该薄膜之形成方法、以及以该方法所形成之薄膜
公开(公告)号：TWI598319B
公开(公告)日：2017-09-11
申请号：TW102129469
申请日：2013-08-16
申请人：三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
发明人：藤井順 , FUJII, JUN , 桜井英章 , SAKURAI, HIDEAKI , 曽山信幸 , SOYAMA, NOBUYUKI
IPC分类号： C04B35/472 , H01B3/12 , H01L21/02
CPC分类号： H01B3/448 , C04B35/472 , C04B35/493 , C04B35/632 , C04B35/6325 , C04B35/63444 , C04B2235/3227 , C04B2235/441 , C04B2235/449 , C04B2235/658 , C04B2235/6581 , C04B2235/6585 , C23C18/1216 , H01B19/04 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/02337 , H01L28/55 , Y10T428/3192 , Y10T428/31938

3. 发明专利

TW270905B 耐火物成形品之製造方法及耐火物成形品用粘結劑失效
简体标题：耐火物成形品之制造方法及耐火物成形品用粘结剂
公开(公告)号：TW270905B
公开(公告)日：1996-02-21
申请号：TW083112123
申请日：1994-12-23
申请人：日本鑄造技術咨詢公司 , 多摩化學工業股份有限公司 , 神奈川科學館經營管理公司
发明人：太田好郎 , 佐佐木信義 , 橫川徹也 , 橋本吉一 , 關口日出夫
IPC分类号： B22C
CPC分类号： C04B35/6325 , B22C1/205
摘要：本發明係一種耐火物成形品之製造方法，其特徵係由以下的步驟所成，
（ａ）依結構材與第１粘合劑形成成形品素材的步驟；
（ｂ）將前述步驟（ａ）所形成之成形品素材含浸於由含有１種或２種以上選自周期表４Ａ族或４Ｂ族（不含碳）及３Ａ族或３Ｂ族的烷氧基金屬類，及鹼金屬或鹼土類金屬的鹼化合物之醇溶液所成之第２粘合劑後，再進行水解之步驟；
（ｃ）乾燥成形品素材後進行高溫燒成的步驟，及為製造耐火物成形品之耐火物成形品用粘合劑。
依本發明於注入熔融時不產生氣體，可防止氣孔等的鑄造缺陷，又熔融流動性良好，能夠鑄造厚度薄的鑄鋼品，而且，可以比常溫鑄造更少的冒口金屬液鑄造鑄鋼品等之優點，更可得到良好的尺寸精度，可被用於鑄造輕合金～鑄鋼品，可提供調整中心部強度，增強崩壞性之耐火物成形品的製造方法及耐火物成形品用粘合劑。
简体摘要：本发明系一种耐火物成形品之制造方法，其特征系由以下的步骤所成，（ａ）依结构材与第１粘合剂形成成形品素材的步骤；（ｂ）将前述步骤（ａ）所形成之成形品素材含浸于由含有１种或２种以上选自周期表４Ａ族或４Ｂ族（不含碳）及３Ａ族或３Ｂ族的烷氧基金属类，及碱金属或碱土类金属的碱化合物之醇溶液所成之第２粘合剂后，再进行水解之步骤；（ｃ）干燥成形品素材后进行高温烧成的步骤，及为制造耐火物成形品之耐火物成形品用粘合剂。依本发明于注入熔融时不产生气体，可防止气孔等的铸造缺陷，又熔融流动性良好，能够铸造厚度薄的铸钢品，而且，可以比常温铸造更少的冒口金属液铸造铸钢品等之优点，更可得到良好的尺寸精度，可被用于铸造轻合金～铸钢品，可提供调整中心部强度，增强崩坏性之耐火物成形品的制造方法及耐火物成形品用粘合剂。

4. 发明专利

TW201042681A 摻雜ＺｒＯ２之電容器材料及結構 DOPED ZrO2 CAPACITOR MATERIALS AND STRUCTURES 审中-公开
简体标题：掺杂ＺｒＯ２之电容器材料及结构 DOPED ZrO2 CAPACITOR MATERIALS AND STRUCTURES
公开(公告)号：TW201042681A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：TW099112063
申请日：2010-04-16
申请人：尖端科技材料股份有限公司
发明人：羅伊德傑佛里F , 漢迪克斯布萊恩C , 比洛德歐史帝芬M , 史道夫葛列格里T , 陳天牛 , 卡麥容湯瑪仕M , 蘇中因
IPC分类号： H01G , C23C , H01L
CPC分类号： H01G4/1209 , C04B35/49 , C04B35/491 , C04B35/6325 , C04B2235/3206 , C04B2235/3213 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/441 , C04B2235/449 , H01G4/1218 , H01G4/1236 , H01G4/1254 , H01G4/20 , H01L21/02194 , H01L21/02271 , H01L21/3142 , H01L28/40 , Y10T428/12493 , Y10T428/12674 , Y10T428/12806 , Y10T428/12819 , Y10T428/1284
摘要：一種複合介電材料，其包含一種前期過渡金屬或前期過渡金屬氧化物之基底材料以及一種摻雜、共沉積、合金化或層疊用的第二材料，該第二材料選自於鈮(Nb)、鍺(Ge)、鉭(Ta)、鑭(La)、釔(Y)、鈰(Ce)、鐠(Pr)、釹(Nd)、釓(Gd)、鏑(Dy)、鍶(Sr)、鋇(Ba)、鈣(Ca)、鎂(Mg)及該些金屬之氧化物及氧化鋁之群組中，以做為摻雜或合金化之第二材料。可利用氣相沉積製程，例如原子層沉積(ALD)，並使用適合的前驅物來形成此複合介電材料，以形成微電子裝置，例如鐵電高介電常數電容器、閘極結構、DRAMs，及其他諸如此類者。
简体摘要：一种复合介电材料，其包含一种前期过渡金属或前期过渡金属氧化物之基底材料以及一种掺杂、共沉积、合金化或层叠用的第二材料，该第二材料选自于铌(Nb)、锗(Ge)、钽(Ta)、镧(La)、钇(Y)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钆(Gd)、镝(Dy)、锶(Sr)、钡(Ba)、钙(Ca)、镁(Mg)及该些金属之氧化物及氧化铝之群组中，以做为掺杂或合金化之第二材料。可利用气相沉积制程，例如原子层沉积(ALD)，并使用适合的前驱物来形成此复合介电材料，以形成微电子设备，例如铁电高介电常数电容器、闸极结构、DRAMs，及其他诸如此类者。

5. 发明专利

TW200724701A 絕緣性標靶材料、絕緣性標靶材料之製造方法、絕緣性複合氧化物膜及裝置 INSULATING TARGET MATERIAL, METHOD OF MANUFACTURING INSULATING TARGET MATERIAL, INSULATING COMPLEX OXIDE FILM, AND DEVICE 审中-公开
简体标题：绝缘性标靶材料、绝缘性标靶材料之制造方法、绝缘性复合氧化物膜及设备 INSULATING TARGET MATERIAL, METHOD OF MANUFACTURING INSULATING TARGET MATERIAL, INSULATING COMPLEX OXIDE FILM, AND DEVICE
公开(公告)号：TW200724701A
公开(公告)日：2007-07-01
申请号：TW095131792
申请日：2006-08-29
申请人：精工愛普生股份有限公司 SEIKO EPSON CORPORATION
发明人：木島健 KIJIMA, TAKESHI , 口天光 HIGUCHI, TAKAMITSU
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/493 , C04B35/497 , C04B35/6264 , C04B35/6325 , C04B35/6346 , C04B2235/3234 , C04B2235/3239 , C04B2235/3248 , C04B2235/3251 , C04B2235/3255 , C04B2235/3258 , C04B2235/3287 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/441 , C04B2235/449 , C04B2235/768 , C23C14/088 , H01L21/31691 , H01L41/0805 , H01L41/1876 , H01L41/316
摘要：【課題】提供一種相較於先前之燒結法,能以低溫而得到之絕緣性標靶材料。【解決手段】絕緣性標靶材料,係為用以得到以一般式AB1-XCXO3所表示之絕緣性複合氧化物膜的絕緣性標靶材料,其特徵為:A元素,係至少由Pb所成,B元素,係由Zr、Ti、V、W以及Hf中之至少1個所成,C元素,係由Nb及Ta中之至少1個所成。
简体摘要：【课题】提供一种相较于先前之烧结法,能以低温而得到之绝缘性标靶材料。【解决手段】绝缘性标靶材料,系为用以得到以一般式AB1-XCXO3所表示之绝缘性复合氧化物膜的绝缘性标靶材料,其特征为:A元素,系至少由Pb所成,B元素,系由Zr、Ti、V、W以及Hf中之至少1个所成,C元素,系由Nb及Ta中之至少1个所成。

6. 发明专利

TW201425264A 強介電體薄膜形成用組成物及該薄膜之形成方法、以及以該方法所形成之薄膜审中-公开
简体标题：强介电体薄膜形成用组成物及该薄膜之形成方法、以及以该方法所形成之薄膜
公开(公告)号：TW201425264A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW102129469
申请日：2013-08-16
申请人：三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
发明人：藤井順 , FUJII, JUN , 桜井英章 , SAKURAI, HIDEAKI , 曽山信幸 , SOYAMA, NOBUYUKI
IPC分类号： C04B35/472 , H01B3/12 , H01L21/02
CPC分类号： H01B3/448 , C04B35/472 , C04B35/493 , C04B35/632 , C04B35/6325 , C04B35/63444 , C04B2235/3227 , C04B2235/441 , C04B2235/449 , C04B2235/658 , C04B2235/6581 , C04B2235/6585 , C23C18/1216 , H01B19/04 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/02337 , H01L28/55 , Y10T428/3192 , Y10T428/31938
摘要：本發明之課題為即使在用於形成強介電體薄膜的組成物中不摻雜Ce，且即使用於形成膜厚較厚的強介電體薄膜的組成物不含有硝酸鉛而含有乙酸鉛，也不會在強介電體薄膜上產生龜裂。本發明之解決手段為通過強介電體薄膜形成用組成物形成由鈦酸鉛系鈣鈦礦膜或鋯鈦酸鉛系複合鈣鈦礦膜所成的強介電體薄膜。上述組成物包含乙酸鉛、由乳酸構成的穩定劑以及聚乙烯吡咯烷酮。並且單體換算的聚乙烯吡咯烷酮相對於組成物中所含的鈣鈦礦A位原子的莫耳比大於0小於0.015。此外，聚乙烯吡咯烷酮的重均分子量為5000以上100000以下。
简体摘要：本发明之课题为即使在用于形成强介电体薄膜的组成物中不掺杂Ce，且即使用于形成膜厚较厚的强介电体薄膜的组成物不含有硝酸铅而含有乙酸铅，也不会在强介电体薄膜上产生龟裂。本发明之解决手段为通过强介电体薄膜形成用组成物形成由钛酸铅系钙钛矿膜或锆钛酸铅系复合钙钛矿膜所成的强介电体薄膜。上述组成物包含乙酸铅、由乳酸构成的稳定剂以及聚乙烯吡咯烷酮。并且单体换算的聚乙烯吡咯烷酮相对于组成物中所含的钙钛矿A位原子的莫耳比大于0小于0.015。此外，聚乙烯吡咯烷酮的重均分子量为5000以上100000以下。

7. 发明专利

TW200821263A 粉狀複合金屬氧化物之製造方法及非晶複合金屬氧化物 METHOD OF MANUFACTURING COMPLEX METAL OXIDE POWDER AND AMORPHOUS COMPLEX METAL OXIDE 审中-公开
简体标题：粉状复合金属氧化物之制造方法及非晶复合金属氧化物 METHOD OF MANUFACTURING COMPLEX METAL OXIDE POWDER AND AMORPHOUS COMPLEX METAL OXIDE
公开(公告)号：TW200821263A
公开(公告)日：2008-05-16
申请号：TW096123406
申请日：2007-06-28
申请人：精工愛普生股份有限公司 SEIKO EPSON CORPORATION
发明人：木島健 KIJIMA, TAKESHI , 降旗榮道 FURIHATA, HIDEMICHI , 岩下節也 IWASHITA, SETSUYA , 木村里至 KIMURA, SATOSHI , 金田敏彥 KANEDA, TOSHIHIKO
IPC分类号： C01G
CPC分类号： C01G1/02 , C01G25/006 , C01G33/006 , C01G35/006 , C01P2002/34 , C04B35/491 , C04B35/493 , C04B35/624 , C04B35/6264 , C04B35/6325 , C04B2235/3251 , C04B2235/3287 , C04B2235/3418 , C04B2235/441 , C04B2235/449
摘要：本發明提供一種可藉由極簡單之方法獲得粉狀複合金屬氧化物的製造方法。該製造方法包含:準備用以形成複合金屬氧化物之原料組合物的步驟;於上述原料組合物中,混合含有氧化性物質之氧化性溶液,生成上述複合金屬氧化物之粒子而形成該粒子之分散液的步驟;自上述分散液分離上述粒子,形成粉狀之上述複合金屬氧化物的步驟。上述複合金屬氧化物係以通式AB1-xCxO3表示,A元素至少包含Pb,B元素包含Zr、Ti、V、W及Hf之至少一種,C元素包含Nb及Ta之至少一種,上述原料組合物包含:含有上述A元素、上述B元素或上述C元素之熱解性有機金屬化合物,含有上述A元素、上述B元素或上述C元素之水解性有機金屬化合物,其部分水解物及/或縮聚物之至少一種;多羧酸及多羧酸酯之至少一種;及有機溶劑。
简体摘要：本发明提供一种可借由极简单之方法获得粉状复合金属氧化物的制造方法。该制造方法包含:准备用以形成复合金属氧化物之原料组合物的步骤;于上述原料组合物中,混合含有氧化性物质之氧化性溶液,生成上述复合金属氧化物之粒子而形成该粒子之分散液的步骤;自上述分散液分离上述粒子,形成粉状之上述复合金属氧化物的步骤。上述复合金属氧化物系以通式AB1-xCxO3表示,A元素至少包含Pb,B元素包含Zr、Ti、V、W及Hf之至少一种,C元素包含Nb及Ta之至少一种,上述原料组合物包含:含有上述A元素、上述B元素或上述C元素之热解性有机金属化合物,含有上述A元素、上述B元素或上述C元素之水解性有机金属化合物,其部分水解物及/或缩聚物之至少一种;多羧酸及多羧酸酯之至少一种;及有机溶剂。

8. 发明专利

TW200631898A 黑色系氧氮化鈦 BLACK-TYPE TITANIUM OXYNITRIDE 审中-公开
简体标题：黑色系氧氮化钛 BLACK-TYPE TITANIUM OXYNITRIDE
公开(公告)号：TW200631898A
公开(公告)日：2006-09-16
申请号：TW094146782
申请日：2005-12-27
申请人：石原產業股份有限公司 ISHIHARA SANGYO KAISHA, LTD.
发明人：高橋英雄 TAKAHASHI, HIDEO , 磯部薰 ISOBE, KAORU , 千葉勝一 CHIBA, KATSUICHI , 安田雄一 YASUDA, YUICHI
IPC分类号： C01G
CPC分类号： C09C1/36 , B82Y30/00 , C01B21/0821 , C01G23/00 , C01P2002/60 , C01P2002/84 , C01P2004/64 , C01P2006/12 , C01P2006/60 , C04B35/58014 , C04B35/62805 , C04B35/62807 , C04B35/62813 , C04B35/62821 , C04B35/62823 , C04B35/62886 , C04B35/62894 , C04B35/6325 , C04B2235/3232 , C04B2235/3418 , C04B2235/3886 , C04B2235/3895 , C04B2235/441 , C04B2235/449 , C04B2235/46 , C04B2235/465 , C04B2235/483 , C04B2235/5409 , C04B2235/5454 , C04B2235/549 , C04B2235/9661 , C09C1/3661
摘要：本發明之目的係提供一種具有優異的隱蔽性(遮光性)，又黑色度、氧化安定性等亦為優異的氧氮化鈦。氧氮化鈦的組成係組成式：TiNxOy．nSiO2(組成式中，Ti表示鈦原子、N表示氮原子、O表示氧原子、Si表示矽原子，x係表示相對於鈦原子的氮原子之比、y係表示相對於鈦原子的氧原子之比，x、y係各別能取大於0、低於2的實數，n係表示相對於TiNxOy的SiO2之莫耳比，n係能取0≦n≦0.05範圍的實數)，而且N所表示之氮原子係包含17重量％以上、低於23重量％的範圍，且比表面積為5~30m^2/g的範圍，使用X射線繞射計所測定的結晶徑為17~25nm的範圍。
简体摘要：本发明之目的系提供一种具有优异的隐蔽性(遮光性)，又黑色度、氧化安定性等亦为优异的氧氮化钛。氧氮化钛的组成系组成式：TiNxOy．nSiO2(组成式中，Ti表示钛原子、N表示氮原子、O表示氧原子、Si表示硅原子，x系表示相对于钛原子的氮原子之比、y系表示相对于钛原子的氧原子之比，x、y系各别能取大于0、低于2的实数，n系表示相对于TiNxOy的SiO2之莫耳比，n系能取0≦n≦0.05范围的实数)，而且N所表示之氮原子系包含17重量％以上、低于23重量％的范围，且比表面积为5~30m^2/g的范围，使用X射线绕射计所测定的结晶径为17~25nm的范围。

9. 发明专利

TWI477441B 奈米粒子複合物及其製造方法有权
简体标题：奈米粒子复合物及其制造方法
公开(公告)号：TWI477441B
公开(公告)日：2015-03-21
申请号：TW101128785
申请日：2012-08-09
申请人： LG伊諾特股份有限公司 , LG INNOTEK CO., LTD. , 首爾大學校產學協力團 , SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION
发明人：李惟遠 , LEE, YU WON , 崔光惠 , CHOI, GWANG HEI , 李振圭 , LEE, JIN KYU , 鄭然九 , JUNG, YUN KU
IPC分类号： B82Y30/00
CPC分类号： H01B1/10 , B82Y30/00 , C04B35/6264 , C04B35/62805 , C04B35/62813 , C04B35/62821 , C04B35/62886 , C04B35/62897 , C04B35/632 , C04B35/6325 , C04B2235/3284 , C04B2235/446 , C04B2235/449 , H01B1/06 , Y10S977/774 , Y10S977/932

10. 发明专利

TW201313605A 奈米粒子複合物及其製造方法审中-公开
简体标题：奈米粒子复合物及其制造方法
公开(公告)号：TW201313605A
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW101128785
申请日：2012-08-09
申请人： LG伊諾特股份有限公司 , LG INNOTEK CO., LTD. , 首爾大學校產學協力團 , SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION
发明人：李惟遠 , LEE, YU WON , 崔光惠 , CHOI, GWANG HEI , 李振圭 , LEE, JIN KYU , 鄭然九 , JUNG, YUN KU
IPC分类号： B82Y30/00
CPC分类号： H01B1/10 , B82Y30/00 , C04B35/6264 , C04B35/62805 , C04B35/62813 , C04B35/62821 , C04B35/62886 , C04B35/62897 , C04B35/632 , C04B35/6325 , C04B2235/3284 , C04B2235/446 , C04B2235/449 , H01B1/06 , Y10S977/774 , Y10S977/932
摘要：本發明揭示一種奈米粒子複合物及其製造方法。該奈米粒子複合物係包括：一奈米粒子，包含有一化合物半導體；以及一保護層，圍繞該奈米粒子，且係包括一金屬氧化物。
简体摘要：本发明揭示一种奈米粒子复合物及其制造方法。该奈米粒子复合物系包括：一奈米粒子，包含有一化合物半导体；以及一保护层，围绕该奈米粒子，且系包括一金属氧化物。

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