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1. 发明专利

TWI291936B 單晶陶瓷粉末之製造方法、單晶陶瓷粉末及複合材料、電子零件 METHOD FOR MANUFACTURING SINGLE CRYTAL CERAMIC POWDER, AND SINGLE CRYSTAL CERAMIC POWDER, COMPOSITE MATERIAL, AND ELECTRONIC ELEMENT 有权
简体标题：单晶陶瓷粉末之制造方法、单晶陶瓷粉末及复合材料、电子零件 METHOD FOR MANUFACTURING SINGLE CRYTAL CERAMIC POWDER, AND SINGLE CRYSTAL CERAMIC POWDER, COMPOSITE MATERIAL, AND ELECTRONIC ELEMENT
公开(公告)号：TWI291936B
公开(公告)日：2008-01-01
申请号：TW091108705
申请日：2002-04-26
申请人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION
发明人：稔高谷 MINORU TAKAYA , 義昭赤地 YOSHIAKI AKACHI , 恒小更 HISASHI KOBUKE , 博幸上松 HIROYUKI UEMATSU
IPC分类号： C01B , C01G
CPC分类号： H01G4/1227 , B32B18/00 , C01B13/145 , C01G23/002 , C01G23/006 , C01G49/0063 , C01G49/009 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/32 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C04B35/265 , C04B35/465 , C04B35/6261 , C04B35/6262 , C04B35/62625 , C04B35/6263 , C04B35/6264 , C04B35/62645 , C04B35/62655 , C04B35/6268 , C04B35/63 , C04B35/632 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3232 , C04B2235/3234 , C04B2235/3236 , C04B2235/3255 , C04B2235/326 , C04B2235/3272 , C04B2235/3274 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3293 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/36 , C04B2235/3817 , C04B2235/3852 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/549 , C04B2235/6025 , C04B2237/704 , C30B11/00 , C30B29/22 , C30B29/30 , C30B29/32 , H01F1/34 , H01F1/37 , H01F5/003 , H01L2924/0002 , Y10S117/901 , Y10S428/90 , Y10T428/24926 , Y10T428/325 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種從來不存在之新穎陶瓷微粒子。本發明提供一種陶瓷粉末的製造方法，其包含：將由陶瓷成分組成的粉體與載氣一起供給到加熱處理區域的粉體供給程序、將被供給到上述加熱處理區域中的上述粉體加熱到單晶化所必需溫度的加熱處理程序、以及藉由將上述加熱處理程序中製得的生成物冷卻而製得單晶陶瓷粉末的冷卻程序。根據該製造方法，可製得球形度0.9或以上且粒徑小的陶瓷粉末。
简体摘要：本发明提供一种从来不存在之新颖陶瓷微粒子。本发明提供一种陶瓷粉末的制造方法，其包含：将由陶瓷成分组成的粉体与载气一起供给到加热处理区域的粉体供给进程、将被供给到上述加热处理区域中的上述粉体加热到单晶化所必需温度的加热处理进程、以及借由将上述加热处理进程中制得的生成物冷却而制得单晶陶瓷粉末的冷却进程。根据该制造方法，可制得球形度0.9或以上且粒径小的陶瓷粉末。

2. 发明专利

TW200303291A 無機氧化物审中-公开
简体标题：无机氧化物
公开(公告)号：TW200303291A
公开(公告)日：2003-09-01
申请号：TW091137319
申请日：2002-12-25
申请人：旭化成股份有限公司
发明人：磯部安秀
IPC分类号： C01B
CPC分类号： B82Y30/00 , C01B13/145 , C01B33/149 , C01P2004/51 , C01P2004/52 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2006/12 , C01P2006/17 , C01P2006/22 , C09C1/3081 , C09C3/12
摘要：本發明係提供一種粒徑小之無機氧化物即使乾燥實質上未凝聚之無機氧化物仍可輕易再度分散之粉體者。本發明係藉由動態光散亂法，以矽烷偶合劑處理其平均粒徑D1為3nm~1μm無機氧化物之含水分散液後，乾燥之後取得粉體，再度分散於分散媒時之平均粒徑D2滿足下記(1)式者為其特徵之粉體。1≦D2／D1≦２
简体摘要：本发明系提供一种粒径小之无机氧化物即使干燥实质上未凝聚之无机氧化物仍可轻易再度分散之粉体者。本发明系借由动态光散乱法，以硅烷偶合剂处理其平均粒径D1为3nm~1μm无机氧化物之含水分散液后，干燥之后取得粉体，再度分散于分散媒时之平均粒径D2满足下记(1)式者为其特征之粉体。1≦D2／D1≦２

3. 发明专利

TW311904B 無機氧化物矽烷化之方法失效
简体标题：无机氧化物硅烷化之方法
公开(公告)号：TW311904B
公开(公告)日：1997-08-01
申请号：TW084103815
申请日：1995-04-18
申请人：瓦克化學公司
发明人：海伯特.巴爾塞 , 馬瑞歐.漢納曼 , 符藍茲.海爾曼 , 傲克斯特.阿頓布胡諾
IPC分类号： C01B
CPC分类号： C11D3/124 , B01D19/0409 , C01B13/145 , C01P2004/61 , C01P2006/12 , C01P2006/22 , C08K3/36 , C08K5/54 , C08K9/08 , C09C1/3081 , C09C3/12 , C09D7/43 , C09D7/62 , C09D7/67 , C09K3/32
摘要：本發明相關於一種極微細粉狀無機氧化物矽烷化之方法，其中，該等極微細粉狀無機氧化物係用至少一種矽烷化劑加以處理，在本方法全部過程之溫度範圍內，該矽烷化劑具有相對地不揮發性，但該相對地不揮發性矽烷化劑係與該等極微細粉狀無機氧化物混合成為一液體，且呈一極微細之霧化氣溶膠。此外，本發明更相關於一種由本方法製備之高度非極性、熱解法矽石。
简体摘要：本发明相关于一种极微细粉状无机氧化物硅烷化之方法，其中，该等极微细粉状无机氧化物系用至少一种硅烷化剂加以处理，在本方法全部过程之温度范围内，该硅烷化剂具有相对地不挥发性，但该相对地不挥发性硅烷化剂系与该等极微细粉状无机氧化物混合成为一液体，且呈一极微细之雾化气溶胶。此外，本发明更相关于一种由本方法制备之高度非极性、热解法硅石。

4. 发明专利

TW201441419A 塗佈有金屬化合物的膠態粒子、其製造方法及用途审中-公开
简体标题：涂布有金属化合物的胶态粒子、其制造方法及用途
公开(公告)号：TW201441419A
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW103113595
申请日：2014-04-14
申请人：氣體產品及化學品股份公司 , AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.
发明人：周鴻君 , ZHOU, HONGJUN , 史曉波 , SHI, XIAOBO , 史魯特詹姆士艾倫 , SCHLUETER, JAMES ALLEN , 施瓦茲喬安特里薩 , SCHWARTZ, JO-ANN THERESA
IPC分类号： C23C18/00 , B24D3/00 , C09G1/02 , H01L21/304
CPC分类号： B01J23/745 , B01J35/0013 , C01B13/145 , C01P2002/85 , C01P2004/04 , C01P2004/32 , C01P2004/64 , C01P2004/84 , C09C1/3054 , C09G1/02 , C09K3/1445 , H01L21/30625 , H01L21/3212
摘要：塗佈有固態金屬化合物的膠態粒子係透過將金屬化合物塗佈於膠態粒子表面上的方法製成。更明確地說，金屬化合物前驅物與鹼液反應生成固態金屬化合物。該等固態金屬化合物係透過鍵結沉積於該等膠態粒子表面上。過量離子係藉由超濾獲得安定的塗佈有金屬化合物的膠態粒子溶液。使用該方法製備的塗佈有金屬化合物的膠態粒子當成固態觸媒，或同時當成觸媒和研磨料之化學機械拋光(CMP)拋光組合物提供橫越整個晶圓的均勻移除剖面(removal profile)。
简体摘要：涂布有固态金属化合物的胶态粒子系透过将金属化合物涂布于胶态粒子表面上的方法制成。更明确地说，金属化合物前驱物与碱液反应生成固态金属化合物。该等固态金属化合物系透过键结沉积于该等胶态粒子表面上。过量离子系借由超滤获得安定的涂布有金属化合物的胶态粒子溶液。使用该方法制备的涂布有金属化合物的胶态粒子当成固态触媒，或同时当成触媒和研磨料之化学机械抛光(CMP)抛光组合物提供横越整个晶圆的均匀移除剖面(removal profile)。

5. 发明专利

TWI372729B 氧化物粒子的製造方法、研漿、研磨劑以及基板的研磨方法 MANUFACTURING METHOD OF OXIDE PARTICLES, SLURRY, POLISHING AGENT AND POLISHING METHOD OF THE SUBSTRATE 有权
简体标题：氧化物粒子的制造方法、研浆、研磨剂以及基板的研磨方法 MANUFACTURING METHOD OF OXIDE PARTICLES, SLURRY, POLISHING AGENT AND POLISHING METHOD OF THE SUBSTRATE
公开(公告)号：TWI372729B
公开(公告)日：2012-09-21
申请号：TW096113965
申请日：2007-04-20
申请人：日立化成工業股份有限公司
发明人：櫻田剛史 , 保坂大祐 , 茅根環司
IPC分类号： C01F , C09G , C09K , H01L
CPC分类号： C01F17/0043 , C01B13/145 , C01B13/18 , C01P2004/03 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/31053
摘要：本發明關於一種氧化物粒子的製造方法，此方法包括：將金屬碳酸鹽與酸混合得到混合物的製程；將上述混合物加熱得到金屬氧化物的製程；以及將上述金屬氧化物粉碎的製程。由此提供一種能夠迅速得到不含粗大粒子或磨損粉末的微粒的氧化物粒子的製造方法、使用此氧化物粒子的研漿以及研磨劑。
简体摘要：本发明关于一种氧化物粒子的制造方法，此方法包括：将金属碳酸盐与酸混合得到混合物的制程；将上述混合物加热得到金属氧化物的制程；以及将上述金属氧化物粉碎的制程。由此提供一种能够迅速得到不含粗大粒子或磨损粉末的微粒的氧化物粒子的制造方法、使用此氧化物粒子的研浆以及研磨剂。

6. 发明专利

TW209235B 聚合物改良之陽離子層化合物失效
简体标题：聚合物改良之阳离子层化合物
公开(公告)号：TW209235B
公开(公告)日：1993-07-11
申请号：TW081103205
申请日：1992-04-23
申请人：亨克爾股份兩合公司
发明人：安琪拉漢森 , 佛萊杜羅菲爾霍茲 , 希爾慕特安左斯 , 彼得威德爾 , 剛什爾吉斯馬 , 庫特渥斯塞契 , 赫伯特菲斯契兒
IPC分类号： C08K
CPC分类号： C09C1/40 , C01B13/145 , C01F7/005 , C01P2002/22 , C01P2006/12 , C08K5/098 , C08K9/04 , C08K9/08 , C08L57/06
摘要：含鹵之合成樹脂可為鈣皂及鋅皂安定，此安定效應可被共安定劑增進。
本發明係關於一種業經至少一種聚合體添加物改良之具有至少50平方米/克的BET比表面積之陽離子層化合物；這些陽離子層化合物之製法及彼等作為〝業經鈣鹽及/或鋅鹽安定之含鹵合成樹脂的共安定劑〝之用途。
简体摘要：含卤之合成树脂可为钙皂及锌皂安定，此安定效应可被共安定剂增进。本发明系关于一种业经至少一种聚合体添加物改良之具有至少50平方米/克的BET比表面积之阳离子层化合物；这些阳离子层化合物之制法及彼等作为〝业经钙盐及/或锌盐安定之含卤合成树脂的共安定剂〝之用途。

7. 发明专利

TW201004864A 內核－外殼粒子之製造方法、內核－外殼粒子、中空粒子之製造方法、塗料組成物及物品审中-公开
简体标题：内核－外壳粒子之制造方法、内核－外壳粒子、中空粒子之制造方法、涂料组成物及物品
公开(公告)号：TW201004864A
公开(公告)日：2010-02-01
申请号：TW098118358
申请日：2009-06-03
申请人：旭硝子股份有限公司
发明人：河合洋平 , 米田貴重
IPC分类号： C01B , C01G , C09D , G02B
CPC分类号： B01J19/126 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B13/145 , C01G9/02 , C01G19/02 , C01G23/047 , C01P2002/52 , C01P2004/34 , C01P2004/64 , C01P2004/84 , C01P2006/40 , C08K3/22 , C09C1/043 , C09C1/3054 , C09C1/3661 , C09C3/063 , C09D5/006 , C09D7/42 , C09D7/67 , C09D7/68 , C09D7/70 , Y10T428/256
摘要：本發明係提供一種可抑制外殼形成材料構成粒子及凝膠之生成，且可製造內核-外殼粒子及中空粒子之方法、可精密地控制外殼厚度之內核-外殼粒子及塗料組成物、以及具有反射防止效果高之塗膜之物品。本發明係使用於包含介電率在10以上之材料構成內核粒子、及金屬氧化物前驅物之液體，照射微波，於內核粒子之表面形成金屬氧化物構成外殼之內核-外殼粒子之製造方法所製得之內核-外殼粒子。
简体摘要：本发明系提供一种可抑制外壳形成材料构成粒子及凝胶之生成，且可制造内核-外壳粒子及中空粒子之方法、可精密地控制外壳厚度之内核-外壳粒子及涂料组成物、以及具有反射防止效果高之涂膜之物品。本发明系使用于包含介电率在10以上之材料构成内核粒子、及金属氧化物前驱物之液体，照射微波，于内核粒子之表面形成金属氧化物构成外壳之内核-外壳粒子之制造方法所制得之内核-外壳粒子。

8. 发明专利

TW200736160A 經摻雜之金屬氧化物顆粒的製造方法 PROCESS FOR THE PRODUCTION OF DOPED METAL OXIDE PARTICLES 审中-公开
简体标题：经掺杂之金属氧化物颗粒的制造方法 PROCESS FOR THE PRODUCTION OF DOPED METAL OXIDE PARTICLES
公开(公告)号：TW200736160A
公开(公告)日：2007-10-01
申请号：TW095141330
申请日：2006-11-08
申请人：提古沙公司 DEGUSSA AG
发明人：凱伊舒曼契爾 SCHUMACHER, KAI , 雷納高雀特 GOLCHERT, RAINER , 漢慕特羅德 ROTH, HELMUT , 哈瑞德艾夫 ALFF, HARALD , 安德利麥特耶斯羅奇尼亞 ROCHNIA, ANDREE-MATTHIAS
IPC分类号： C01B , C01G , C09C , C23C
CPC分类号： C01B13/145 , C01G23/04 , C01P2002/52 , C01P2006/12 , C09C1/0081 , C09C1/3045 , C09C3/06 , C23C8/10
摘要：一種經摻雜之金屬氧化物顆粒的製造方法,其中摻雜性成分係以區域形式存在於表面上,於該方法中- 於第一反應區中,將作為摻雜劑的可氧化及/或可水解的金屬化合物與霧化氣體一起噴霧到金屬氧化物顆粒在載體氣體中的流之中,- 其中該金屬氧化物顆粒的質量流與該摻雜劑的質量流係經選擇以使得該經摻雜之金屬氧化物顆粒含有10 ppm至10重量%的該摻雜性成分,其中要導入的該摻雜劑之量係以對應的氧化物之形式計算,且- 其中在該第一反應區內的溫度係經選擇以使得在當時的反應條件下該溫度係低於該摻雜劑的沸點,及- 然後,於一第二反應區中,將從該第一反應區所來的流與- 隨意的至少一樣多的氧氣及/或蒸汽一起導入,該氧氣及/或蒸汽的量至少足以完全地轉化該摻雜劑,- 其中該溫度為從300至2000℃,較佳為500至1000℃,及接著將該反應混合物冷卻或靜置冷卻且從氣體物質中分離出該經摻雜之金屬氧化物顆粒。
简体摘要：一种经掺杂之金属氧化物颗粒的制造方法,其中掺杂性成分系以区域形式存在于表面上,于该方法中- 于第一反应区中,将作为掺杂剂的可氧化及/或可水解的金属化合物与雾化气体一起喷雾到金属氧化物颗粒在载体气体中的流之中,- 其中该金属氧化物颗粒的质量流与该掺杂剂的质量流系经选择以使得该经掺杂之金属氧化物颗粒含有10 ppm至10重量%的该掺杂性成分,其中要导入的该掺杂剂之量系以对应的氧化物之形式计算,且- 其中在该第一反应区内的温度系经选择以使得在当时的反应条件下该温度系低于该掺杂剂的沸点,及- 然后,于一第二反应区中,将从该第一反应区所来的流与- 随意的至少一样多的氧气及/或蒸汽一起导入,该氧气及/或蒸汽的量至少足以完全地转化该掺杂剂,- 其中该温度为从300至2000℃,较佳为500至1000℃,及接着将该反应混合物冷却或静置冷却且从气体物质中分离出该经掺杂之金属氧化物颗粒。

9. 发明专利

TW473858B 適合使用於半導體之化學機械拋光的金屬氧化物之製備方法有权
简体标题：适合使用于半导体之化学机械抛光的金属氧化物之制备方法
公开(公告)号：TW473858B
公开(公告)日：2002-01-21
申请号：TW089104863
申请日：2000-03-15
申请人：第一毛織股份有限公司
发明人：李吉成 , 李在錫 , 金碩珍 , 張斗遠
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C09G1/02 , C01B13/145 , C01B33/1417 , C01P2004/51 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/12 , C01P2006/22 , C09K3/1463
摘要：所揭露的係為一種適合使用於半導體裝置之化學機械拋光(CMP)之金屬氧化研漿之製備方法。在水中，金屬氧化研漿之懸浮物係經由一分離腔室之一孔，在一預先決定的壓力下被分散，而兩個加強泵係用以固定地維持被施加至分離腔室之壓力，藉以抑制或使大於或等於1μm之大型粒子之產生最小化。金屬氧化研漿具有均勻的位子尺寸與狹小的位子尺寸分佈，並以顯著地減少輕微刮痕之發生頻率顯示優越的拋光性能，俾能使其適合於超集積化半導體裝置之CMP。
简体摘要：所揭露的系为一种适合使用于半导体设备之化学机械抛光(CMP)之金属氧化研浆之制备方法。在水中，金属氧化研浆之悬浮物系经由一分离腔室之一孔，在一预先决定的压力下被分散，而两个加强泵系用以固定地维持被施加至分离腔室之压力，借以抑制或使大于或等于1μm之大型粒子之产生最小化。金属氧化研浆具有均匀的位子尺寸与狭小的位子尺寸分布，并以显着地减少轻微刮痕之发生频率显示优越的抛光性能，俾能使其适合于超集积化半导体设备之CMP。

10. 发明专利

TW213866B 組成物失效
简体标题：组成物
公开(公告)号：TW213866B
公开(公告)日：1993-10-01
申请号：TW081104578
申请日：1992-06-11
申请人：麥克專利有限公司
发明人：卡爾.奧斯特雷德 , 伍夫剛.海屈勒 , 漢斯.迪特.布魯拿 , 羅蘭德.馬丁
IPC分类号： A61K
CPC分类号： A61Q17/04 , A61K8/19 , A61K8/29 , A61K8/365 , B82Y30/00 , C01B13/145 , C01G23/047 , C01G49/06 , C01P2004/64 , Y10S514/943
摘要：本發明係關於適供製備中性金屬氧化物溶膠之一種組成物，其包含３５－７５重量％一或多種金屬氧化物溶膠或金屬氧化物水合物以及１５－４５重量％一或多種羥基羧酸和／或羥基羧酸衍生物作為安定劑。
简体摘要：本发明系关于适供制备中性金属氧化物溶胶之一种组成物，其包含３５－７５重量％一或多种金属氧化物溶胶或金属氧化物水合物以及１５－４５重量％一或多种羟基羧酸和／或羟基羧酸衍生物作为安定剂。

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