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1. 发明专利

TW200946455A 製備有機修飾之層狀雙氫氧化物之方法 PROCESS FOR PREPARING ORGANICALLY MODIFIED LAYERED DOUBLE HYDROXIDE 审中-公开
简体标题：制备有机修饰之层状双氢氧化物之方法 PROCESS FOR PREPARING ORGANICALLY MODIFIED LAYERED DOUBLE HYDROXIDE
公开(公告)号：TW200946455A
公开(公告)日：2009-11-16
申请号：TW097149424
申请日：2008-12-18
申请人：艾克索諾貝爾公司
发明人：羅賓溫特斯 , 艾爾溫史考馬克 , 波恩何歐
IPC分类号： C01F , C01B
CPC分类号： C01F7/005 , C01B13/14 , C01F7/002 , C01P2002/22 , C07C51/412 , C07C57/12 , C07C57/03
摘要：本發明係關於一種製備包含作為電荷平衡陰離子之有機陰離子的有機修飾之層狀雙氫氧化物之方法，其包括：(a)製備包含二價金屬離子源、三價金屬離子源及水之水性懸浮液或溶液，及(b)在該水性懸浮液或溶液中令該二價金屬離子源與該三價金屬離子源反應以獲得層狀雙氫氧化物；其中在步驟(b)之前、期間或之後，於水性懸浮液或溶液中添加有機酸及非離子界面活性劑，且其中非離子界面活性劑之量係基於有機酸與非離子界面活性劑總重量之0.1至10重量％。
简体摘要：本发明系关于一种制备包含作为电荷平衡阴离子之有机阴离子的有机修饰之层状双氢氧化物之方法，其包括：(a)制备包含二价金属离子源、三价金属离子源及水之水性悬浮液或溶液，及(b)在该水性悬浮液或溶液中令该二价金属离子源与该三价金属离子源反应以获得层状双氢氧化物；其中在步骤(b)之前、期间或之后，于水性悬浮液或溶液中添加有机酸及非离子界面活性剂，且其中非离子界面活性剂之量系基于有机酸与非离子界面活性剂总重量之0.1至10重量％。

2. 发明专利

TW200904758A 水滑石化合物及其製造方法、無機離子捕捉劑、組成物、電子構件封裝用樹脂組成物、電子構件封裝材、及電子構件 HYDROTALCITE COMPOUND AND METHOD FOR PRODUCING IT, INORGANIC ION TRAPPING AGNET, COMPOSITION, RESIN COMPOSITION FOR ELECTRIC MEMBERS SEAL, ELECTRIC MEMBERS SEALING MATERIAL, AND ELECTRIC MEMBERS 审中-公开
简体标题：水滑石化合物及其制造方法、无机离子捕捉剂、组成物、电子构件封装用树脂组成物、电子构件封装材、及电子构件 HYDROTALCITE COMPOUND AND METHOD FOR PRODUCING IT, INORGANIC ION TRAPPING AGNET, COMPOSITION, RESIN COMPOSITION FOR ELECTRIC MEMBERS SEAL, ELECTRIC MEMBERS SEALING MATERIAL, AND ELECTRIC MEMBERS
公开(公告)号：TW200904758A
公开(公告)日：2009-02-01
申请号：TW097114569
申请日：2008-04-22
申请人：東亞合成股份有限公司 TOAGOSEI CO., LTD.
发明人：大野康晴 ONO, YASUHARU
IPC分类号： C01F , C08K , B01J , C08L , H01L
CPC分类号： H01L23/29 , B82Y30/00 , C01F7/005 , C01P2002/22 , C01P2002/72 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2006/12 , C08G59/184 , C08K3/26 , C08K9/04 , C09J163/00 , H01L23/293 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：【課題】提供一種對環境良好且高性能的新無機離子捕捉劑。詳而言之,提供一種添加少量即可表現出優異的金屬腐蝕防止效果之新穎水滑石化合物,及使用它之無機離子捕捉劑。【解決手段】一種式(1)所示之水滑石化合物,其特徵係在粉末X射線繞射圖案中具有水滑石化合物的波峰,在2��=11.4�~11.7�的波峰强度為3,500cps以上,且BET比表面積超過30m^2/g。MgaAlb(OH)c(CO3)d.nH2O (1)式(1)中,a、b、c、及d為正數,且滿足2a+3b-c-2d=0。又,n係表示水和之數,為0或正數。
简体摘要：【课题】提供一种对环境良好且高性能的新无机离子捕捉剂。详而言之,提供一种添加少量即可表现出优异的金属腐蚀防止效果之新颖水滑石化合物,及使用它之无机离子捕捉剂。【解决手段】一种式(1)所示之水滑石化合物,其特征系在粉末X射线绕射图案中具有水滑石化合物的波峰,在2��=11.4�~11.7�的波峰强度为3,500cps以上,且BET比表面积超过30m^2/g。MgaAlb(OH)c(CO3)d.nH2O (1)式(1)中,a、b、c、及d为正数,且满足2a+3b-c-2d=0。又,n系表示水和之数,为0或正数。

3. 发明专利

TW200826949A 制酸劑 GASTRIC ANTACID 审中-公开
简体标题：制酸剂 GASTRIC ANTACID
公开(公告)号：TW200826949A
公开(公告)日：2008-07-01
申请号：TW096148583
申请日：2007-12-19
申请人：協和化學工業股份有限公司 KYOWA CHEMICAL INDUSTRY CO., LTD.
发明人：岡田彰 OKADA, AKIRA , 香月桂子 KATSUKI, KEIKO
IPC分类号： A61K , A61P
CPC分类号： A61K33/30 , A61K9/0053 , A61K9/143 , A61K33/06 , A61K33/08 , A61K33/10 , C01F7/004 , C01F7/005 , C01P2002/22 , Y10S514/819 , Y10S514/925 , Y10S514/926
摘要：本發明之目的在於,提供一種可維持與以往之制酸劑之水滑石粒子同樣的制酸效果,並且具有優異之胃內壁保護效果之新穎複合水滑石粒子。藉由本發明,可提供下述式(1)之複合水滑石粒子、及將其作為有效成分之制酸劑。(MgaZnb)1-xAlx(OH)2(A^n-)x/n.mH2O(1)式中,A^n-表示CO3^2-、SO4^2-或C1^-,n表示1或2,x、a、b及m分別表示滿足下述條件之値。0.18≦x≦0.40、0.5≦a
简体摘要：本发明之目的在于,提供一种可维持与以往之制酸剂之水滑石粒子同样的制酸效果,并且具有优异之胃内壁保护效果之新颖复合水滑石粒子。借由本发明,可提供下述式(1)之复合水滑石粒子、及将其作为有效成分之制酸剂。(MgaZnb)1-xAlx(OH)2(A^n-)x/n.mH2O(1)式中,A^n-表示CO3^2-、SO4^2-或C1^-,n表示1或2,x、a、b及m分别表示满足下述条件之値。0.18≦x≦0.40、0.5≦a<1、0

4. 发明专利

TW200738560A 鋁碳酸鎂(hydrotalcite)類化合物粒子,使用該粒子之樹脂穩定劑、含鹵素樹脂組成物,及使用該粒子之陰離子捕捉材料审中-公开
简体标题：铝碳酸镁(hydrotalcite)类化合物粒子,使用该粒子之树脂稳定剂、含卤素树脂组成物,及使用该粒子之阴离子捕捉材料
公开(公告)号：TW200738560A
公开(公告)日：2007-10-16
申请号：TW095149030
申请日：2006-12-26
申请人：戶田工業股份有限公司 TODA KOGYO CORPORATION
发明人：小林齊也 KOBAYASHI, NAOYA , 本名虎之 HONMYO, TORAYUKI
IPC分类号： C01F , C08K , C08L
CPC分类号： C09C1/42 , B82Y30/00 , C01F7/005 , C01P2002/22 , C01P2002/60 , C01P2004/50 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2006/12 , C09C1/40 , Y10T428/2991 , Y10T428/2993
摘要：本發明提供一種,以碳數3以上之有機化合物進行表面處理、比表面積為5~150m^2/g,由在溫度25℃、濕度50%曝露250小時之情況的水蒸氣吸附曲線算出相當於微空隙及超微空隙之概念値x、以及相當於宏空隙及微空隙容積之概念値y,在特定範圍內之鋁碳酸鎂類化合物粒子中存在。本發明之鋁碳酸鎂類化合物粒子,可捕捉各種樹脂中之微量鹵素,且發揮優越之抑制劣化效果。進而,本發明之鋁碳酸鎂類化合物粒子係,鋁碳酸鎂類化合物粒子本身完全不溶解,為粉末狀或成形體,自溶液捕捉陰離子性之有機‧無機化合物的功能,可發揮至最大限度。
简体摘要：本发明提供一种,以碳数3以上之有机化合物进行表面处理、比表面积为5~150m^2/g,由在温度25℃、湿度50%曝露250小时之情况的水蒸气吸附曲线算出相当于微空隙及超微空隙之概念値x、以及相当于宏空隙及微空隙容积之概念値y,在特定范围内之铝碳酸镁类化合物粒子中存在。本发明之铝碳酸镁类化合物粒子,可捕捉各种树脂中之微量卤素,且发挥优越之抑制劣化效果。进而,本发明之铝碳酸镁类化合物粒子系,铝碳酸镁类化合物粒子本身完全不溶解,为粉末状或成形体,自溶液捕捉阴离子性之有机‧无机化合物的功能,可发挥至最大限度。

5. 发明专利

TW461873B 鈾含量低之水滑石化合物及其製法失效
简体标题：铀含量低之水滑石化合物及其制法
公开(公告)号：TW461873B
公开(公告)日：2001-11-01
申请号：TW088116329
申请日：1999-09-21
申请人：協和化學工業股份有限公司
发明人：岡田彰 , 山下聰子 , 清水晃治
IPC分类号： C01B , B01D , C08K
CPC分类号： H01L23/293 , C01F7/005 , C01G9/006 , C01P2002/22 , C01P2002/72 , C01P2002/77 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/12 , C01P2006/44 , C01P2006/80 , C01P2006/88 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明係關於一種水滑石化合物,其可作為如環氧樹脂之合成樹脂的添加劑,特別是用在半導體裝置的密封劑,該半導體裝置例如電晶體、積體電路(IC)、大型積體電路(LSl)、及其類似物,上述水滑石化合物之特徵在於組成如下式(1)表示:CC(1)式中M2+至少為Mg2+和Zn2+之一,
x 為正數,範圍為0.2≦x≦0.5,
A2-至少為C03^2-和S04^2-之一,且
m至少為範圍O至2的數字,而且該組成中的鈾(U)含量不超過10PPb,平均二級粒徑不超過約3微米,且BET比表面積不超過30米2/克。
简体摘要：本发明系关于一种水滑石化合物,其可作为如环氧树脂之合成树脂的添加剂,特别是用在半导体设备的密封剂,该半导体设备例如晶体管、集成电路(IC)、大型集成电路(LSl)、及其类似物,上述水滑石化合物之特征在于组成如下式(1)表示:CC(1)式中M2+至少为Mg2+和Zn2+之一, x 为正数,范围为0.2≦x≦0.5, A2-至少为C03^2-和S04^2-之一,且 m至少为范围O至2的数字,而且该组成中的铀(U)含量不超过10PPb,平均二级粒径不超过约3微米,且BET比表面积不超过30米2/克。

6. 发明专利

TWI439420B 水滑石化合物及其製造方法、無機離子捕捉劑、電子構件封裝用樹脂組成物、電子構件封裝材、及電子構件有权
简体标题：水滑石化合物及其制造方法、无机离子捕捉剂、电子构件封装用树脂组成物、电子构件封装材、及电子构件
公开(公告)号：TWI439420B
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW097114569
申请日：2008-04-22
申请人：東亞合成股份有限公司 , TOAGOSEI CO., LTD.
发明人：大野康晴 , ONO, YASUHARU
IPC分类号： C01F7/00 , C08K3/22 , B01J39/08 , C08L63/00 , H01L23/29
CPC分类号： H01L23/29 , B82Y30/00 , C01F7/005 , C01P2002/22 , C01P2002/72 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2006/12 , C08G59/184 , C08K3/26 , C08K9/04 , C09J163/00 , H01L23/293 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

7. 发明专利

TW201326044A 水滑石及其製造方法审中-公开
简体标题：水滑石及其制造方法
公开(公告)号：TW201326044A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW101141764
申请日：2012-11-09
申请人：堺化學工業股份有限公司 , SAKAI CHEMICAL INDUSTRY CO., LTD.
发明人：信貴庸克 , SHIGI, NOBUKATSU , 津田耕市 , TSUDA, KOICHI , 大西尚美 , ONISHI, NAOMI
IPC分类号： C01F5/14 , C01F7/02 , C01G9/02 , C08K3/22
CPC分类号： C01F7/005 , C01P2002/22 , C01P2002/72 , C01P2004/51 , C01P2006/12 , C01P2006/22 , C01P2006/80 , C09C1/40
摘要：本發明提供一種所獲得之水滑石(hydrotalcite)中之氧化鋯之含量較少，且若將該水滑石調配於聚氯乙烯樹脂等樹脂中，則樹脂之透明性明顯改善的水滑石之製造方法。本發明係關於一種水滑石之製造方法，其係以鎂化合物及/或鋅化合物、及鋁化合物作為原料者，其包含下列步驟：漿料調製步驟，其調製含有選自由上述原料中之上述原料之氫氧化物、氧化物、及碳酸鹽所組成之群中的至少1種之全部或一部分的漿料；濕式粉碎步驟，其使用氧化鋯珠粒、或氧化鋯-二氧化矽珠粒，於特定之條件下對該漿料進行濕式粉碎；及水熱處理步驟，其於將剩餘原料添加至所獲得之漿料之後進行水熱處理，而合成BET值及Zr之含量達到特定之範圍內之水滑石。
简体摘要：本发明提供一种所获得之水滑石(hydrotalcite)中之氧化锆之含量较少，且若将该水滑石调配于聚氯乙烯树脂等树脂中，则树脂之透明性明显改善的水滑石之制造方法。本发明系关于一种水滑石之制造方法，其系以镁化合物及/或锌化合物、及铝化合物作为原料者，其包含下列步骤：浆料调制步骤，其调制含有选自由上述原料中之上述原料之氢氧化物、氧化物、及碳酸盐所组成之群中的至少1种之全部或一部分的浆料；湿式粉碎步骤，其使用氧化锆珠粒、或氧化锆-二氧化硅珠粒，于特定之条件下对该浆料进行湿式粉碎；及水热处理步骤，其于将剩余原料添加至所获得之浆料之后进行水热处理，而合成BET值及Zr之含量达到特定之范围内之水滑石。

8. 发明专利

TW200829511A 製備含碳酸根離子之層狀雙氫氧化物的方法 PROCESS FOR PREPARING LAYERED DOUBLE HYDROXIDE COMPRISING CARBONATE 审中-公开
简体标题：制备含碳酸根离子之层状双氢氧化物的方法 PROCESS FOR PREPARING LAYERED DOUBLE HYDROXIDE COMPRISING CARBONATE
公开(公告)号：TW200829511A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：TW096135612
申请日：2007-09-21
申请人：艾克索諾貝爾公司 AKZO NOBEL N.V.
发明人：瑪芮恩奈弗瑞德卡瑞狄克 REEDIJK, MARIANNE FREDERIKA , 奧克吉拉杜斯塔瑪 TALMA, AUKE GERARDUS , 艾得特裘翰斯迪瓊 DE JONG, AALDERT JOHANNES
IPC分类号： C01F , C01G
CPC分类号： C01G9/006 , C01F7/005 , C01P2002/22 , C01P2004/54 , C08K3/26
摘要：本發明係關於一種製備包含作為電荷平衡陰離子之碳酸根離子的層狀雙氫氧化物之方法,其包含以下步驟:a)備包含三價金屬離子源、二價金屬離子源及懸浮介質之漿料或溶液,該二價金屬離子源係不含碳酸根離子之源及/或含碳酸根離子之源;b)劑熱法處理該漿料或溶液,且視情況在該溶劑熱法處理期間或之後添加碳酸根離子源至該漿料中,以形成該含碳酸根離子之層狀雙氫氧化物;且若該漿料或溶液不含含碳酸根離子之二價金屬離子源,則在該溶劑熱法處理期間或之後將碳酸根離子源添加至該漿料或溶液中。
简体摘要：本发明系关于一种制备包含作为电荷平衡阴离子之碳酸根离子的层状双氢氧化物之方法,其包含以下步骤:a)备包含三价金属离子源、二价金属离子源及悬浮介质之浆料或溶液,该二价金属离子源系不含碳酸根离子之源及/或含碳酸根离子之源;b)剂热法处理该浆料或溶液,且视情况在该溶剂热法处理期间或之后添加碳酸根离子源至该浆料中,以形成该含碳酸根离子之层状双氢氧化物;且若该浆料或溶液不含含碳酸根离子之二价金属离子源,则在该溶剂热法处理期间或之后将碳酸根离子源添加至该浆料或溶液中。

9. 发明专利

TW200825021A 包含層狀雙氫氧化物之水性懸浮液 AQUEOUS SUSPENSION COMPRISING A LAYERED DOUBLE HYDROXIDE 审中-公开
简体标题：包含层状双氢氧化物之水性悬浮液 AQUEOUS SUSPENSION COMPRISING A LAYERED DOUBLE HYDROXIDE
公开(公告)号：TW200825021A
公开(公告)日：2008-06-16
申请号：TW096140426
申请日：2007-10-26
申请人：艾克索諾貝爾公司 AKZO NOBEL N.V.
发明人：瑪芮恩奈弗瑞德卡瑞狄克 REEDIJK, MARIANNE FREDERIKA , 喬奈夫强奈斯馬里爾貝爾圖森 BALTUSSEN, JOZEF JOHANNES MARIA , 卡爾尼斯艾里拉貝斯强納斯凡萊爾 VAN LARE, CORNELIS ELIZABETH JOHANNUS
IPC分类号： C01B , C01D , C07C
CPC分类号： C01F7/002 , C01F7/005 , C01P2002/22 , D21H17/675
摘要：本發明係關於層狀雙氫氧化物之水性懸浮液,其包含無機電荷平衡陰離子及具有1至18個碳原子之陰離子型懸浮劑,其中該懸浮劑為鹽,其限制條件為該電荷平衡陰離子不僅為碳酸根。
简体摘要：本发明系关于层状双氢氧化物之水性悬浮液,其包含无机电荷平衡阴离子及具有1至18个碳原子之阴离子型悬浮剂,其中该悬浮剂为盐,其限制条件为该电荷平衡阴离子不仅为碳酸根。

10. 发明专利

TW500697B 製造基於氧化錳材料之方法失效
简体标题：制造基于氧化锰材料之方法
公开(公告)号：TW500697B
公开(公告)日：2002-09-01
申请号：TW088115488
申请日：1999-09-08
申请人：阿森特斯股份有限公司
发明人：法茲利庫渥
IPC分类号： C01G
CPC分类号： H01M4/505 , C01G45/1228 , C01P2002/22 , C01P2002/72 , C01P2006/40 , H01M10/052
摘要：一種由兩階段方法所製作之LiMnO2氧化物，其具有層狀單斜結構，且其中有一小部份的錳可用其它類過渡金屬來取代。首先，具有層狀結構的α-NaFeO2型之NaXO2的製造係將化學計量的鈉鹽和一X金屬的鹽類在溶液中反應而形成一種沈澱物質．在空氣中以650和720℃之間的溫度將此沈澱物質乾燥加熱，然後再將此沈澱物在空氣中快速冷卻至室溫。接著，將HaXO2導入一溫度在140和210℃之間之非酒精性溶劑之鋰鹽溶液中進行離子交換。所得的鋰錳氧化物可用來做為可充電式鋰電池的陽極材料。
简体摘要：一种由两阶段方法所制作之LiMnO2氧化物，其具有层状单斜结构，且其中有一小部份的锰可用其它类过渡金属来取代。首先，具有层状结构的α-NaFeO2型之NaXO2的制造系将化学计量的钠盐和一X金属的盐类在溶液中反应而形成一种沈淀物质．在空气中以650和720℃之间的温度将此沈淀物质干燥加热，然后再将此沈淀物在空气中快速冷却至室温。接着，将HaXO2导入一温度在140和210℃之间之非酒精性溶剂之锂盐溶液中进行离子交换。所得的锂锰氧化物可用来做为可充电式锂电池的阳极材料。

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