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    • 3. 发明专利
    • 電漿沉積裝置 PLASMA DEPOSITION APPARATUS
    • 等离子沉积设备 PLASMA DEPOSITION APPARATUS
    • TW200939286A
    • 2009-09-16
    • TW097143267
    • 2008-11-07
    • P2I有限公司 P2I LTD
    • 史帝芬 理查 柯森 COULSON, STEPHEN RICHARD
    • H01JH05H
    • C23C16/045B05D1/62B05D7/22B29C2035/0855B29C2035/0861B29L2031/7542B29L2031/7544C23C16/505
    • 本發明展示用於電漿處理一小型通道12之一表面以修飾該表面並改變功能效應的裝置10。該裝置包括:一活性物種源14,其用於供給至一處理區域18之一入口16以在該處理區域形成電漿;構件20,其用以將一電場施加至該處理區域之該活性物種,以便形成電漿;及真空抽吸構件22,其用以連接至該處理區域之一出口24。該等真空抽吸構件係可操作以在該處理區域提供一自其入口至出口之流徑26並控制該控制區域中之壓力。裝置10進一步包括支撐構件,其用以支撐至少一個小型通道,以便在使用中,該流徑自此延伸穿過且該至少一個小型通道之一內表面藉由電漿沉積而塗覆一薄膜聚合物層。
    • 本发明展示用于等离子处理一小型信道12之一表面以修饰该表面并改变功能效应的设备10。该设备包括:一活性物种源14,其用于供给至一处理区域18之一入口16以在该处理区域形成等离子;构件20,其用以将一电场施加至该处理区域之该活性物种,以便形成等离子;及真空抽吸构件22,其用以连接至该处理区域之一出口24。该等真空抽吸构件系可操作以在该处理区域提供一自其入口至出口之流径26并控制该控制区域中之压力。设备10进一步包括支撑构件,其用以支撑至少一个小型信道,以便在使用中,该流径自此延伸穿过且该至少一个小型信道之一内表面借由等离子沉积而涂覆一薄膜聚合物层。