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    • 3. 发明专利
    • 氧化性柴油控制觸媒
    • 氧化性柴油控制触媒
    • TW263448B
    • 1995-11-21
    • TW082102260
    • 1993-03-25
    • 提古沙公司
    • 艾格伯.凡克伯德.安吉勒喬傑.雷爾藍納.陶母斯
    • B01J
    • B01J23/6482B01D53/944B01J35/04B01J37/0027B01J37/0236B01J37/0248F02B3/06Y02A50/2341
    • 本發明有關一種氧化性柴油控制觸媒,此觸媒對烴及一氧化碳之轉化率高且對氮氧化物及二氧化硫有抑制氧化之效果,觸媒含有整塊(monolithic)觸媒元件,而元件中具有塗有促進活性用之分散塗層(dispersion coating)的陶瓷或金屬貫流通道,該塗層中催化活性組份所用之載體為細粒之金屬氧化物,氧化鋁,氧化鈦,氧化矽,沸石或其混合物,而活性組份存在之形式為摻有釩或與氧化之釩化合物接觸的鉑,鈀,銠及/或銥。
      因為細粒之金屬氧化物為表面經改質之氧化鋁,氧化鈦,氧化矽,沸石或其混合物,故對二氧化硫之氧化效應減低。表面改質包括在金屬氧化物之比表面上塗上由1至5單層構成之二氧化鈦或二氧化矽層。
    • 本发明有关一种氧化性柴油控制触媒,此触媒对烃及一氧化碳之转化率高且对氮氧化物及二氧化硫有抑制氧化之效果,触媒含有整块(monolithic)触媒组件,而组件中具有涂有促进活性用之分散涂层(dispersion coating)的陶瓷或金属贯流信道,该涂层中催化活性组份所用之载体为细粒之金属氧化物,氧化铝,氧化钛,氧化硅,沸石或其混合物,而活性组份存在之形式为掺有钒或与氧化之钒化合物接触的铂,钯,铑及/或铱。 因为细粒之金属氧化物为表面经改质之氧化铝,氧化钛,氧化硅,沸石或其混合物,故对二氧化硫之氧化效应减低。表面改质包括在金属氧化物之比表面上涂上由1至5单层构成之二氧化钛或二氧化硅层。
    • 8. 发明专利
    • 導電性觸媒粒子及其製造方法、氣體擴散性觸媒電極及電化學裝置
    • 导电性触媒粒子及其制造方法、气体扩散性触媒电极及电化学设备
    • TW544968B
    • 2003-08-01
    • TW091111459
    • 2002-05-29
    • 新力股份有限公司
    • 香取健二金光俊明白井克彌
    • H01M
    • C23C14/223B01J23/40B01J23/56B01J23/62B01J23/6482B01J23/6527B01J23/89B01J35/0033B01J37/0238B01J37/34B22F1/025C22C5/00H01M4/9016H01M4/9075H01M4/9083
    • 本發明係一種不發生燒結且觸媒特性優異之導電性觸媒粒子及其製造方法、氣體擴散性觸媒電極及電化學裝置。本發明之導電性觸媒粒子,其係於導電性粉體之表面附著一種觸媒材料,其係由貴金屬材料與相對於前述貴金屬材料為熱非固溶系的添加材料之合金所構成;及一種導電性觸媒粒子之製造方法,其係用以製造該導電性觸媒粒子者,使貴金屬材料與相對於前述貴金屬材料為熱非固溶系之添加材料藉物理蒸鍍法而同時附著於導電性粉體的表面,得到前述觸媒材料附著而成之導電性觸媒粒子。本發明之導電性觸媒粒子及其導電性觸媒粒子之製造方法,係於導電性粉體之表面附著一種觸媒材料,該材料係由MI(MI為至少一種選自Pt、Ir、Pd、Rh、Au、Ru等之重金屬元素)、與MII(MII為至少一種選自Fe、Co、Ni、Cr、Al、Cu、Hf、Zr、Ti、V、Nb、Ta、W、Ga、Sn、Ge、Si、Re、Os、 Pb、Bi、Sb、Mo、Mn、O、N、F、C、Zn、In及稀土族元素)之合金所構成 。
    • 本发明系一种不发生烧结且触媒特性优异之导电性触媒粒子及其制造方法、气体扩散性触媒电极及电化学设备。本发明之导电性触媒粒子,其系于导电性粉体之表面附着一种触媒材料,其系由贵金属材料与相对于前述贵金属材料为热非固溶系的添加材料之合金所构成;及一种导电性触媒粒子之制造方法,其系用以制造该导电性触媒粒子者,使贵金属材料与相对于前述贵金属材料为热非固溶系之添加材料藉物理蒸镀法而同时附着于导电性粉体的表面,得到前述触媒材料附着而成之导电性触媒粒子。本发明之导电性触媒粒子及其导电性触媒粒子之制造方法,系于导电性粉体之表面附着一种触媒材料,该材料系由MI(MI为至少一种选自Pt、Ir、Pd、Rh、Au、Ru等之重金属元素)、与MII(MII为至少一种选自Fe、Co、Ni、Cr、Al、Cu、Hf、Zr、Ti、V、Nb、Ta、W、Ga、Sn、Ge、Si、Re、Os、 Pb、Bi、Sb、Mo、Mn、O、N、F、C、Zn、In及稀土族元素)之合金所构成 。
    • 9. 发明专利
    • 利用氣相氫化作用生產芳族胺之方法
    • 利用气相氢化作用生产芳族胺之方法
    • TW436473B
    • 2001-05-28
    • TW086118215
    • 1997-12-04
    • 拜耳廠股份有限公司
    • 賴瑞得傅漢喬葛曼夫阮布克蓋費奇
    • C07C
    • C07C209/36B01J23/6482C07C211/44C07C211/46
    • 本發明係關於一種製造芳族胺類之方法,其係於氣相中在固定化觸媒上,進行相應芳族硝基化合物之催化氫化作用,該固定化觸媒含有一或多種元素週期表系統(Mendeleyev)之第Ⅷa、Ⅰb、Ⅱb、Ⅳa、Va、Ⅵa、Ⅳb及Ⅴb族之金屬,在具有BET表面積低於40平方米/克之陶瓷擔體材料上,氫對硝基或硝基族群之莫耳比為3:1至30:1,且在觸媒床中之溫度為180至500℃,其特徵在於觸媒負載所使用之芳族硝基化合物之量,係連續地或逐步地從0.01-0.5增加至0.7-5.0公斤/升X小時,其中最大負載係在10至1000小時內達成。
      根據本發明之方法可毫無問題地以工業規模施行,並確保高空間/時間產率,且伴隨著所使用觸媒之經改良生產率。
    • 本发明系关于一种制造芳族胺类之方法,其系于气相中在固定化触媒上,进行相应芳族硝基化合物之催化氢化作用,该固定化触媒含有一或多种元素周期表系统(Mendeleyev)之第Ⅷa、Ⅰb、Ⅱb、Ⅳa、Va、Ⅵa、Ⅳb及Ⅴb族之金属,在具有BET表面积低于40平方米/克之陶瓷担体材料上,氢对硝基或硝基族群之莫耳比为3:1至30:1,且在触媒床中之温度为180至500℃,其特征在于触媒负载所使用之芳族硝基化合物之量,系连续地或逐步地从0.01-0.5增加至0.7-5.0公斤/升X小时,其中最大负载系在10至1000小时内达成。 根据本发明之方法可毫无问题地以工业规模施行,并确保高空间/时间产率,且伴随着所使用触媒之经改良生产率。