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1. 发明专利

TWI686838B 改善混合式掃描離子束植入機之生產力的系統及方法有权
简体标题：改善混合式扫描离子束植入机之生产力的系统及方法
公开(公告)号：TWI686838B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW104143753
申请日：2015-12-25
申请人：美商艾克塞利斯科技公司 , AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.
发明人：梵德伯格寶 , VANDERBERG, BO , 芮安迪 , RAY, ANDY
IPC分类号： H01J37/317

2. 发明专利

TWI682420B 離子植入系統及具有可變能量控制的方法有权
简体标题：离子植入系统及具有可变能量控制的方法
公开(公告)号：TWI682420B
公开(公告)日：2020-01-11
申请号：TW104101458
申请日：2015-01-16
申请人：美商艾克塞利斯科技公司 , AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.
发明人：任克川 , JEN,CAUSON KO-CHUAN , 法雷馬文 , FARLEY, MARVIN
IPC分类号： H01J37/05 , H01J37/317 , H01L21/265

3. 发明专利

TWI679670B 雙極性晶圓電荷監測器系統及包含其的離子植入系統有权
简体标题：双极性晶圆电荷监测器系统及包含其的离子植入系统
公开(公告)号：TWI679670B
公开(公告)日：2019-12-11
申请号：TW105105812
申请日：2016-02-25
申请人：美商艾克塞利斯科技公司 , AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.
发明人：法雷馬文 , FARLEY, MARVIN , 坂瀨貴夫 , SAKASE, TAKAO , 佛里約瑟夫 , FOLEY, JOSEPH
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/304

4. 发明专利

TWI653705B 靜電夾鉗系統及用以夾鉗工件的方法有权
简体标题：静电夹钳系统及用以夹钳工件的方法
公开(公告)号：TWI653705B
公开(公告)日：2019-03-11
申请号：TW104104358
申请日：2015-02-10
申请人：美商艾克塞利斯科技公司 , AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.
发明人：李威廉大衛斯 , LEE, WILLIAM DAVIS
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/687

5. 发明专利

TW201835963A 晶圓冷卻方法审中-公开
简体标题：晶圆冷却方法
公开(公告)号：TW201835963A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW106118087
申请日：2017-06-01
申请人：艾克塞利斯科技公司 , AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.
发明人：法雷馬文 , FARLEY, MARVIN , 鄂敏麥可 , AMEEN, MIKE , 任克川 , JEN, CAUSON KO-CHAUN
IPC分类号： H01J37/20 , H01J37/317 , H01L21/265 , H01L21/67
摘要：本發明提供一種離子植入系統，其具有一第一腔室及具有一經加熱夾盤之一處理腔室。一控制器使工件在該經加熱夾盤與該第一腔室之間轉移且選擇性地在一第一模式及一第二模式下為該經加熱夾盤供能。在該第一模式及該第二模式下，該經加熱夾盤分別經加熱至一第一溫度及一第二溫度。該第一溫度係預定的。該第二溫度係可變的，由此該控制器基於一熱預算、一植入能量及/或該工件在該第一腔室中之一初始溫度來判定該第二溫度，且在該第二模式下大體上維持該第二溫度。將該工件自該經加熱夾盤轉移至該第一腔室在該第二模式下自該處理腔室移除植入能量。熱可藉由該工件在該經加熱夾盤與一冷卻台板之間的一轉移而進一步自該經加熱夾盤轉移至該冷卻台板，以依序冷卻該經加熱夾盤。
简体摘要：本发明提供一种离子植入系统，其具有一第一腔室及具有一经加热夹盘之一处理腔室。一控制器使工件在该经加热夹盘与该第一腔室之间转移且选择性地在一第一模式及一第二模式下为该经加热夹盘供能。在该第一模式及该第二模式下，该经加热夹盘分别经加热至一第一温度及一第二温度。该第一温度系预定的。该第二温度系可变的，由此该控制器基于一热预算、一植入能量及/或该工件在该第一腔室中之一初始温度来判定该第二温度，且在该第二模式下大体上维持该第二温度。将该工件自该经加热夹盘转移至该第一腔室在该第二模式下自该处理腔室移除植入能量。热可借由该工件在该经加热夹盘与一冷却台板之间的一转移而进一步自该经加热夹盘转移至该冷却台板，以依序冷却该经加热夹盘。

6. 发明专利

TW201835962A 用於碳植入的三氟化磷共伴氣體审中-公开
简体标题：用于碳植入的三氟化磷共伴气体
公开(公告)号：TW201835962A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW106140300
申请日：2017-11-21
申请人：美商艾克塞利斯科技公司 , AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.
发明人：卡爾文奈爾K , COLVIN, NEIL K. , 謝澤仁 , HSIEH, TSEH-JEN
IPC分类号： H01J37/08 , H05H1/42
摘要：本發明係關於用於碳植入的方法和系統，包括利用三氟化磷(PF3)作為和碳氧化物一起的共伴氣體，並且在一些具體實例中，與鑭系鎢合金離子源組件結合有利地導致陰極和陰極遮蔽的最小氧化。此外，已經觀察到電弧腔室內部組件上可接受水平的碳沉積還有顯著減少的鹵素循環，即WFx形成。
简体摘要：本发明系关于用于碳植入的方法和系统，包括利用三氟化磷(PF3)作为和碳氧化物一起的共伴气体，并且在一些具体实例中，与镧系钨合金离子源组件结合有利地导致阴极和阴极屏蔽的最小氧化。此外，已经观察到电弧腔室内部组件上可接受水平的碳沉积还有显着减少的卤素循环，即WFx形成。

7. 发明专利

TW201810350A 使用固體碘化鋁（ＡｌＩ）之植入製造原子鋁離子及碘化鋁與相關副產物之原位清潔审中-公开
简体标题：使用固体碘化铝（ＡｌＩ）之植入制造原子铝离子及碘化铝与相关副产物之原位清洁
公开(公告)号：TW201810350A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106120967
申请日：2017-06-21
申请人：艾克塞利斯科技公司 , AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.
发明人：卡曼提莎丹尼斯亞力特 , KAMENITSA, DENNIS ELLIOTT , 瑞蘇特理查J , RZESZUT, RICHARD J. , 蘇菲亞佛洛納多M , SILVA, FERNANDO M. , 畢林格傑森R , BERINGER, JASON R. , 吳向陽 , WU, XIANGYANG
IPC分类号： H01J37/317 , H01L21/265
CPC分类号： C23C16/12 , C01B7/135 , C01B31/36 , C01F7/48 , C23C14/48 , C23C16/448 , H01J37/3171 , H01J2237/022 , H01J2237/08 , H01J2237/31705 , H01L21/02019 , H01L21/02167 , H01L21/26506 , H01L21/306
摘要：提供離子植入系統，其具有經配置以從碘化鋁形成離子束的離子源。束線組件選擇性地將該離子束輸送至經配置以接受用於將鋁離子植入至工件中之離子束的終端站。離子源具有固態材料源，其具有固體形式的碘化鋁。固體源蒸發器蒸發該碘化鋁，其界定氣態碘化鋁。電弧室從該氣態碘化鋁形成電漿，其中來自電源的電弧電流經配置以從該碘化鋁解離鋁離子。一或多個提取電極從該電弧室提取該離子束。水蒸氣源進一步引入水以使殘餘碘化鋁反應形成氫碘酸，其中該殘餘碘化鋁及氫碘酸從該系統中排空。
简体摘要：提供离子植入系统，其具有经配置以从碘化铝形成离子束的离子源。束线组件选择性地将该离子束输送至经配置以接受用于将铝离子植入至工件中之离子束的终端站。离子源具有固态材料源，其具有固体形式的碘化铝。固体源蒸发器蒸发该碘化铝，其界定气态碘化铝。电弧室从该气态碘化铝形成等离子，其中来自电源的电弧电流经配置以从该碘化铝解离铝离子。一或多个提取电极从该电弧室提取该离子束。水蒸气源进一步引入水以使残余碘化铝反应形成氢碘酸，其中该残余碘化铝及氢碘酸从该系统中排空。

8. 发明专利

TW201807735A 鑭系鎢離子源及光束線組件审中-公开
简体标题：镧系钨离子源及光束线组件
公开(公告)号：TW201807735A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW106115768
申请日：2017-05-12
申请人：艾克塞利斯科技公司 , AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.
发明人：卡爾文奈爾K , COLVIN, NEIL K. , 謝澤仁 , HSIEH, TSEH-JEN , 席爾斯坦保羅 , SILVERSTEIN, PAUL
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/30 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3002 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/061
摘要：本發明提供一種離子植入系統，其具有一或多個導電組件，該等組件由鑭系鎢以及與預定百分比的稀土金屬形成合金的耐火金屬之一或多者構成。導電組件可為離子源的組件，諸如陰極、陰極遮蔽、斥拒極、襯裡、孔徑板、電弧腔室本體及撞擊板之一或多者。孔徑板可與提取孔、抑制孔及接地孔之一或多者相關聯。
简体摘要：本发明提供一种离子植入系统，其具有一或多个导电组件，该等组件由镧系钨以及与预定百分比的稀土金属形成合金的耐火金属之一或多者构成。导电组件可为离子源的组件，诸如阴极、阴极屏蔽、斥拒极、衬里、孔径板、电弧腔室本体及撞击板之一或多者。孔径板可与提取孔、抑制孔及接地孔之一或多者相关联。

9. 发明专利

TWI612856B 用於減少能量污染之射束線設計有权
简体标题：用于减少能量污染之射束线设计
公开(公告)号：TWI612856B
公开(公告)日：2018-01-21
申请号：TW102101595
申请日：2013-01-16
申请人：艾克塞利斯科技公司 , AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.
发明人：艾斯能愛德華 , EISNER, EDWARD , 梵德伯格寶 , VANDERBERG, BO
IPC分类号： H05H7/12 , H01L21/265

10. 发明专利

TWI608514B 離子植入系統和方法有权
简体标题：离子植入系统和方法
公开(公告)号：TWI608514B
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：TW104115372
申请日：2011-03-17
申请人：艾克塞利斯科技公司 , AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.
发明人：李威廉達維斯 , LEE, WILLIAM DAVIS , 普羅西特艾許溫M , PUROHIT, ASHWIN M. , 拉方騰馬文R , LAFONTAINE, MARVIN R.
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/20 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/6831 , H01J37/20 , H01J37/3171 , H01J2237/002 , H01J2237/2001 , H01J2237/2007 , H01J2237/20214 , H01J2237/2065 , H01J2237/31701 , H01L21/67109

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