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1. 外观设计

TWD131002S 行動電話(四) CELLULAR PHONE 有权
简体标题：移动电话(四) CELLULAR PHONE
公开(公告)号：TWD131002S
公开(公告)日：2009-09-21
申请号：TW097300552
申请日：2008-01-30
申请人：三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
设计人：金榮世 KIM, YOUNG SE , 李志垠 LEE, JI EUN , 如榮姝 YEO, YOUNG JU , 李昌秀 LEE, CHANG SOO
摘要：【物品用途】
本創作係有關於通訊用「行動電話」之新式樣設計。
【創作特點】
如圖所示,本案物品之殼體係呈現長方形且四角點修以圓弧線條形狀之外觀。由前視圖觀之,表面為一較大型之方形顯示螢幕,下方設置漸層式之方形按鍵,又,於該螢幕與按鍵之表面中間另設有三條細長的橢圓形構件;而另由後視圖觀之,於上方頂端處有一長形構件,其為兩方形構件之上、下組合,而於下方之殼體有一橫條紋;且由左、右側視圖觀之,該物品之兩側均設有長條形構件。
整體而言,本創作造形獨特美觀、且式樣新穎具獨創性,實為一特殊且實用之新式樣設計。
上述說明僅供輔助瞭解本創作而非用以限制其內容;理應明瞭,新式樣專利範圍係以圖面所示者為準。
简体摘要：【物品用途】本创作系有关于通信用“移动电话”之新式样设计。【创作特点】如图所示,本案物品之壳体系呈现长方形且四角点修以圆弧线条形状之外观。由前视图观之,表面为一较大型之方形显示屏幕,下方设置渐层式之方形按键,又,于该屏幕与按键之表面中间另设有三条细长的椭圆形构件;而另由后视图观之,于上方顶端处有一长形构件,其为两方形构件之上、下组合,而于下方之壳体有一横条纹;且由左、右侧视图观之,该物品之两侧均设有长条形构件。整体而言,本创作造形独特美观、且式样新颖具独创性,实为一特殊且实用之新式样设计。上述说明仅供辅助了解本创作而非用以限制其内容;理应明了,新式样专利范围系以图面所示者为准。

2. 发明专利

TW200939845A 寬頻無線通訊系統中延伸之即時投票服務的重新開始要求的裝置及其方法 APPARATUS AND METHOD FOR RESUMPTION REQUEST OF EXTENDED REAL TIME POLLING SERVICE IN A BROADBAND WIRELESS COMMUNICATION SYSTEM 审中-公开
简体标题：宽带无线通信系统中延伸之实时投票服务的重新开始要求的设备及其方法 APPARATUS AND METHOD FOR RESUMPTION REQUEST OF EXTENDED REAL TIME POLLING SERVICE IN A BROADBAND WIRELESS COMMUNICATION SYSTEM
公开(公告)号：TW200939845A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：TW098102890
申请日：2009-01-23
申请人：三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：孫泳文 SON, YEONG-MOON , 盧元一 ROH, WON-IL , 沈哉廷 SHIM, JAE-JEONG , 林根輝 LIM, GEUN-HWI , 李成真 LEE, SUNG-JIN
IPC分类号： H04W , H04Q , H04L
CPC分类号： H04W72/048
摘要：一種在寬頻無線通訊系統中操作基站(BS)以重新開始延伸之即時輪詢服務(ertPS)的方法。此操作BS的方法包括檢測經由通道品質指標(CQI)通道接收的碼字,且當從移動站(MS)接收了CQI通道(CQICH)碼字要求重新開始延伸之即時輪詢服務(ertPS)連接時,將上行鏈路資源分配給MS,該上行鏈路資源為對應於與MS建立的至少一ertPS連接的最大可持續通訊量。
简体摘要：一种在宽带无线通信系统中操作基站(BS)以重新开始延伸之实时轮询服务(ertPS)的方法。此操作BS的方法包括检测经由信道品质指针(CQI)信道接收的码字,且当从移动站(MS)接收了CQI信道(CQICH)码字要求重新开始延伸之实时轮询服务(ertPS)连接时,将上行链路资源分配给MS,该上行链路资源为对应于与MS创建的至少一ertPS连接的最大可持续通信量。

3. 发明专利

TWI314322B 使用重疊位元線設定與字元線致能區間程式化快閃記憶體元件的方法及其電路 METHODS/CIRCUITS FOR PROGRAMMING FLASH MEMORY DEVICES USING OVERLAPPING BIT LINE SETUP AND WORD LINE ENABLE INTERVALS 有权
简体标题：使用重叠比特线设置与字符线致能区间进程化闪存组件的方法及其电路 METHODS/CIRCUITS FOR PROGRAMMING FLASH MEMORY DEVICES USING OVERLAPPING BIT LINE SETUP AND WORD LINE ENABLE INTERVALS
公开(公告)号：TWI314322B
公开(公告)日：2009-09-01
申请号：TW095126154
申请日：2006-07-18
申请人：三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：金鎮國 KIM, JIN-KOOK , 李真燁 LEE, JIN-YUB
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C16/10 , G11C16/0483
摘要：一種程式化快閃記憶體元件之方法包括:在位元線設定區間期間用第一電壓對選擇線充電,同時將程式化資料施加至位元線,隨後啓動一區塊字元線以將選擇線在電性上連接至對應字元線,以及隨後將大於第一電壓之第二電壓施加至選擇線中之所選擇者。本發明亦揭露了相關元件。
简体摘要：一种进程化闪存组件之方法包括:在比特线设置区间期间用第一电压对选择线充电,同时将进程化数据施加至比特线,随后启动一区块字符线以将选择线在电性上连接至对应字符线,以及随后将大于第一电压之第二电压施加至选择线中之所选择者。本发明亦揭露了相关组件。

4. 发明专利

TW200937429A 多通道快閃記憶體系統及其存取方法 MULTI-CHANNEL FLASH MEMORY SYSTEM AND ACCESS METHOD 审中-公开
简体标题：多信道闪存系统及其存取方法 MULTI-CHANNEL FLASH MEMORY SYSTEM AND ACCESS METHOD
公开(公告)号：TW200937429A
公开(公告)日：2009-09-01
申请号：TW098104478
申请日：2009-02-12
申请人：三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：張世正 JANG, SE-JEONG , 吳文旭 OH, MOON-WOOK , 李洋燮 LEE, YANG-SUP
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G06F13/4239
摘要：一種多通道快閃記憶體系統由具有被劃分為多個扇區(sectors)的頁(pages)之快閃記憶體所形成且透過相對應的通道而被存取。介面裝置被用以藉由至少一扇區的單元以透過通道來存取各快閃記憶體,其中此介面裝置將位址切割成多個位址的扇區單元且控制所切割的位址以便能以一預設大小(given size)來跳躍。
简体摘要：一种多信道闪存系统由具有被划分为多个扇区(sectors)的页(pages)之闪存所形成且透过相对应的信道而被存取。界面设备被用以借由至少一扇区的单元以透过信道来存取各闪存,其中此界面设备将位址切割成多个位址的扇区单元且控制所切割的位址以便能以一默认大小(given size)来跳跃。

5. 发明专利

TWI313967B 準位移位電路及其方法 LEVEL SHIFTING CIRCUIT AND METHOD 失效
简体标题：准位移位电路及其方法 LEVEL SHIFTING CIRCUIT AND METHOD
公开(公告)号：TWI313967B
公开(公告)日：2009-08-21
申请号：TW093108463
申请日：2004-03-29
申请人：三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：李浩榮 LEE, HO-YOUNG
IPC分类号： H03K
CPC分类号： H03K3/356113
摘要：本發明揭露一種準位移位裝置,用於高頻操作。準位移位裝置包括第一至第五電晶體。第一電晶體之閘極連接到輸入信號,其源極連接到在低壓値之電壓節點,以及其汲極連接到輸出信號。第二電晶體之閘極連接到輸入信號,其源極連接到在低壓値之電壓節點,以及其汲極連接到輸出信號的反相版本。第三電晶體之閘極連接到第二電晶體的汲極,以及其汲極連接到第一電晶體的汲極。第四電晶體之閘極連接到第一電晶體的汲極,其汲極連接到第二電晶體的汲極,以及其源極連接至在第一高電壓値之電壓供應。第五電晶體之閘極連接到輸入信號,其源極連接到在第一高電壓値之電壓供應,以及其汲極連接到第三電晶體的來源。輸入信號擺盪在第二高電壓値和低壓値之間,並且輸出信號擺盪在第一高電壓値和低壓値之間。
简体摘要：本发明揭露一种准位移位设备,用于高频操作。准位移位设备包括第一至第五晶体管。第一晶体管之闸极连接到输入信号,其源极连接到在低压値之电压节点,以及其汲极连接到输出信号。第二晶体管之闸极连接到输入信号,其源极连接到在低压値之电压节点,以及其汲极连接到输出信号的反相版本。第三晶体管之闸极连接到第二晶体管的汲极,以及其汲极连接到第一晶体管的汲极。第四晶体管之闸极连接到第一晶体管的汲极,其汲极连接到第二晶体管的汲极,以及其源极连接至在第一高电压値之电压供应。第五晶体管之闸极连接到输入信号,其源极连接到在第一高电压値之电压供应,以及其汲极连接到第三晶体管的来源。输入信号摆荡在第二高电压値和低压値之间,并且输出信号摆荡在第一高电压値和低压値之间。

6. 外观设计

TWD130480S 攜帶式電話 PORTABLE PHONE 有权
简体标题：携带式电话 PORTABLE PHONE
公开(公告)号：TWD130480S
公开(公告)日：2009-08-21
申请号：TW097301505
申请日：2008-03-13
申请人：三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
设计人：金泰昊 KIM, TAE-HO , 金錫根 KIM, SEOG-GUEN , 晟均 BAI, SUNG-KYUN , 韓佑昇 HAN, WOO-SEUNG , 金允洙 KIM, YUN-SU
摘要：【物品用途】
本創作為一種滑蓋型攜帶式電話。
【創作特點】
本創作係由金屬及合成樹脂等材質所製成,其創作特點在於外型與表面配置結合後所形成的外觀設計。本創作的前機體鄰近於上方處設置有數位攝影鏡頭。
使用狀態圖1繪示出本創作的前機體相對於後機體向上滑開後的前視圖。使用狀態圖2繪示出本創作的前機體相對於後機體向上滑開後的後視圖,其顯露出隱藏式數位攝影鏡頭。
简体摘要：【物品用途】本创作为一种滑盖型携带式电话。【创作特点】本创作系由金属及合成树脂等材质所制成,其创作特点在于外型与表面配置结合后所形成的外观设计。本创作的前机体邻近于上方处设置有数码摄影镜头。使用状态图1绘示出本创作的前机体相对于后机体向上滑开后的前视图。使用状态图2绘示出本创作的前机体相对于后机体向上滑开后的后视图,其显露出隐藏式数码摄影镜头。

7. 发明专利

TW200935744A 準位移位電路 LEVEL SHIFTING CIRCUIT 审中-公开
简体标题：准位移位电路 LEVEL SHIFTING CIRCUIT
公开(公告)号：TW200935744A
公开(公告)日：2009-08-16
申请号：TW097132425
申请日：2008-08-25
申请人：三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：金正熙 KIM, CHUNG-HEE , 金修 KIM, MIN-SU , 朴鎮秀 PARK, JIN-SOO
IPC分类号： H03K , G05F
CPC分类号： H03K19/00323 , H03K19/0016 , H03K19/018528
摘要：一種準位移位電路,包括:第一準位移位單元,其包括多個訊號傳送單元;第一操作控制單元,停用第一準位移位單元中的一些訊號傳送單元來回應於箝位訊號;第二準位移位單元,並聯到第一準位移位單元,且包括多個訊號傳送單元;第二操作控制單元,停用第二準位移位單元中的一些訊號傳送單元來回應於箝位訊號;訊號輸出單元,連接到第一準位移位單元與第二準位移位單元的輸出端;以及箝位單元,將第一準位移位單元與第二準位移位單元的輸出端固定在預定的電壓準位以回應於箝位訊號。
简体摘要：一种准位移位电路,包括:第一准位移位单元,其包括多个信号发送单元;第一操作控制单元,停用第一准位移位单元中的一些信号发送单元来回应于箝位信号;第二准位移位单元,并联到第一准位移位单元,且包括多个信号发送单元;第二操作控制单元,停用第二准位移位单元中的一些信号发送单元来回应于箝位信号;信号输出单元,连接到第一准位移位单元与第二准位移位单元的输出端;以及箝位单元,将第一准位移位单元与第二准位移位单元的输出端固定在预定的电压准位以回应于箝位信号。

8. 发明专利

TW200935592A 非揮發性記憶裝置及其形成方法 NON-VOLATILE MEMORY DEVICES AND METHOD OF FORMING THE SAME 审中-公开
简体标题：非挥发性记忆设备及其形成方法 NON-VOLATILE MEMORY DEVICES AND METHOD OF FORMING THE SAME
公开(公告)号：TW200935592A
公开(公告)日：2009-08-16
申请号：TW097143915
申请日：2008-11-13
申请人：三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：薛鐘善 SEL, JONG-SUN , 李忠浩 LEE, CHOONG-HO , 鄭周赫 CHUNG, JU-HYUCK , 崔正達 CHOI, JUNG-DAL , 姜熙秀 KANG, HEE-SOO , 崔東郁 CHOI, DONG-UK
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/485 , H01L21/76804 , H01L21/76816 , H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L27/11524 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：半導體記憶裝置包括具有第一主動區與第二主動區的基底。第一主動區包括第一源極與汲極區,第二主動區包括第二源極與汲極區。第一層間介電層配置在基底上方。第一導電結構延伸地穿過第一層間介電層。第一位元線配置於第一層間介電層上。第二層間介電層配置於第一層間介電層上。接觸窗延伸地穿過第二與第一層間介電層。半導體記憶裝置包括第二導電結構,其配置於接觸窗中且延伸地穿過第一與第二層間介電層。第二位元線配置於第二層間介電層上。位於第二層間介電層之底面處的接觸窗的寬度小於或實質上等於位於第二層間介電層之頂面處的接觸窗的寬度。
简体摘要：半导体记忆设备包括具有第一主动区与第二主动区的基底。第一主动区包括第一源极与汲极区,第二主动区包括第二源极与汲极区。第一层间介电层配置在基底上方。第一导电结构延伸地穿过第一层间介电层。第一比特线配置于第一层间介电层上。第二层间介电层配置于第一层间介电层上。接触窗延伸地穿过第二与第一层间介电层。半导体记忆设备包括第二导电结构,其配置于接触窗中且延伸地穿过第一与第二层间介电层。第二比特线配置于第二层间介电层上。位于第二层间介电层之底面处的接触窗的宽度小于或实质上等于位于第二层间介电层之顶面处的接触窗的宽度。

9. 发明专利

TW200935561A 雙功函數半導體裝置及其製造方法 DUAL WORK FUNCTION SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：双功函数半导体设备及其制造方法 DUAL WORK FUNCTION SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW200935561A
公开(公告)日：2009-08-16
申请号：TW097140893
申请日：2008-10-24
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. , 跨大學校際微電子卓越研究中心 INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM VZW (IMEC) , 三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：趙學柱 HAG-JU CHO , 張世勳 CHANG, VINCENT S.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/823462 , H01L21/82345 , H01L21/823842 , H01L21/823857 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明係揭露一種簡化的雙功函數半導體裝置的製造方法,其始於一單一金屬閘極,進而完成裝置本身的製造。一單一金屬單一介電質的互補式金氧半積體電路系統中,先沈積具有一閘介電層與一介電頂蓋層的一單一介電質堆疊結構及其上的一金屬層,而形成一金屬-介電質界面。在形成上述介電質堆疊結構與上述金屬層後,立即藉由在至少部分的上述介電頂蓋層加入功函數調整元素而對其作選擇性地改質,上述部分是鄰接於上述金屬-介電質界面。
简体摘要：本发明系揭露一种简化的双功函数半导体设备的制造方法,其始于一单一金属闸极,进而完成设备本身的制造。一单一金属单一介电质的互补式金氧半集成电路系统中,先沉积具有一闸介电层与一介电顶盖层的一单一介电质堆栈结构及其上的一金属层,而形成一金属-介电质界面。在形成上述介电质堆栈结构与上述金属层后,立即借由在至少部分的上述介电顶盖层加入功函数调整元素而对其作选择性地改质,上述部分是邻接于上述金属-介电质界面。

10. 发明专利

TW200935281A 終端機以及執行其功能的方法 TERMINAL AND METHOD FOR PERFORMING FUCTION THEREIN 审中-公开
简体标题：终端机以及运行其功能的方法 TERMINAL AND METHOD FOR PERFORMING FUCTION THEREIN
公开(公告)号：TW200935281A
公开(公告)日：2009-08-16
申请号：TW097146990
申请日：2008-12-03
申请人：三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：鄭碩鉉 JEONG, SEOK-HYUN , 吳政燁 OH, JUNG-YEOB , 卜一根 BOK, IL-GEUN
IPC分类号： G06F
CPC分类号： G06F3/0488 , G06F3/04886 , G06F2203/04808 , H04M1/72547 , H04M2250/22
摘要：一種終端機以及執行其功能的方法。執行終端機之功能的方法包括以特定模式偵測在觸控螢幕的第一區域及第二區域中之點選,以及執行與第二區域的相對應項目有關之第一區域的相對應功能。
简体摘要：一种终端机以及运行其功能的方法。运行终端机之功能的方法包括以特定模式侦测在触摸屏幕的第一区域及第二区域中之点击,以及运行与第二区域的相对应项目有关之第一区域的相对应功能。

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